本發(fā)明提供了一種快速制備金剛石-碳化硅電子封裝材料的方法,其特征是按重量百分比,將10~15%的粘接劑,5~20%的石墨,20~40%的硅粉,30~60%的金剛石濕混16~24h。然后在100~200℃和10~50MPa壓力下溫壓成形獲得
復(fù)合材料毛坯。在氬氣氣氛中1000~1100℃燒結(jié)16~24h,冷卻后得到具有一定強度和孔隙度的金剛石/硅/碳多孔基體。將所制備的金剛石/硅/碳多孔基體置于
石墨坩堝中,用液相滲透的滲料填埋后將坩堝整體置于高真空燒結(jié)爐中進(jìn)行真空液相滲透0.5-1h,滲透溫度1450~1550℃,真空度-0.08~-0.01MPa。冷卻后即獲得致密的金剛石-碳化硅電子封裝材料。
聲明:
“快速制備金剛石-碳化硅電子封裝材料的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)