本發(fā)明公開了以四氯化硅為硅源制備超長SiC納米線的方法。本發(fā)明以四氯化硅、碳質(zhì)材料粉體、水或堿性溶液為原料,在碳質(zhì)材料粉體的表面生成原硅酸,高溫下原硅酸分解獲得二氧化硅與碳質(zhì)材料粉體的均勻混合物。將混合物放入
石墨坩堝中,并用蓋子將坩堝蓋好后放入高溫真空燒結(jié)爐中,抽真空并充入氬氣保護(hù)氣,然后加熱到1200~1700℃,保持高溫一段時(shí)間后關(guān)掉電源。冷卻后取出石墨坩鍋,得到棉花狀淡綠色產(chǎn)物。將產(chǎn)物采用X射線衍射分析產(chǎn)物的相組成,場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡觀察其形貌,用透射電鏡分析其微結(jié)構(gòu)。本發(fā)明制備的超長SiC納米線為單晶β-SiC相,納米線直徑為50-200納米,長度為1-10毫米。
聲明:
“以四氯化硅為硅源制備超長SiC納米線的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)