本發(fā)明公開(kāi)了一種難熔金屬表面原位反應(yīng)自生高溫?cái)U(kuò)散障,該原位反應(yīng)自生高溫?cái)U(kuò)散障位于難熔金屬與涂覆在難熔金屬表面的熔燒硅化物高溫防護(hù)涂層之間,以SiC為主相;本發(fā)明還公開(kāi)了一種難熔金屬表面原位反應(yīng)自生高溫?cái)U(kuò)散障的制備方法,該方法將
石墨烯漿料或氧化石墨烯漿料、硅化物復(fù)合懸浮漿料依次預(yù)置在經(jīng)預(yù)處理后的難熔金屬基體的表面,經(jīng)熔燒得到原位反應(yīng)自生高溫?cái)U(kuò)散障。本發(fā)明的高溫?cái)U(kuò)散障降低了高溫防護(hù)涂層與難熔金屬基體之間的高溫互擴(kuò)散速率,保證了高溫防護(hù)涂層的高溫抗氧化性能并延長(zhǎng)其高溫服役壽命;本發(fā)明通過(guò)原位反應(yīng)自生制備高溫?cái)U(kuò)散障,改善了界面相容性,使難熔金屬?擴(kuò)散障?高溫防護(hù)涂層具有良好的抗熱循環(huán)和抗熱震性能。
聲明:
“難熔金屬表面原位反應(yīng)自生高溫?cái)U(kuò)散障及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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