本發(fā)明的名稱為母排聯(lián)接式高性能IGBT模塊及其制作方法。屬于功率半導(dǎo)體器件和電力電子技術(shù)領(lǐng)域。它主要是解決現(xiàn)有鋁絲鍵合存在
芯片和聯(lián)接線間的接觸面積小、IGBT器件的浪涌電流能力和過載能力不夠高、器件工作可靠性不夠高的問題。它的主要特征是:包括外殼、底板、電極和封裝在外殼內(nèi)的半導(dǎo)體芯片、DBC、電極、母排、鉬片、焊料等。所述的芯片、DBC、電極相互間是通過母排聯(lián)接的。母排聯(lián)接方法是將各部件依次組裝在專用的制具中,并緊固,在真空爐中焊接而成。本發(fā)明能顯著提高IGBT器件的頻率特性,改善器件的開關(guān)性能,對高頻、大功率、高可靠性半導(dǎo)體器件非常適用。相比傳統(tǒng)技術(shù),可節(jié)省投資,縮短生產(chǎn)加工周期。
聲明:
“母排聯(lián)接式高性能IGBT模塊及其制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)