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酸蝕內藏臺面的硅整流圓芯片生產工藝

697   編輯：管理員   來源：中冶有色技術網  
2023-03-18 15:02:03
本發(fā)明公開了一種酸蝕內藏臺面的硅整流圓芯片生產工藝，屬于大功率半導體芯片的技術領域，以解決人工磨角的控制力差異導致芯片的質量參差不齊，且人工手持硅片，費時費力，工作效率低下等問題。該生產工藝包括硅片切割清洗、裝模燒結、酸洗腐蝕、涂保護膠、室溫硫化、高溫老化和檢測包裝，通過腐蝕臺面造型代替機械磨角，使磨角的角度達到最優(yōu)的45?50°，提高芯片性能，并且酸腐蝕不會在其內部產生應力和熱損傷，不易產生正反兩面的崩邊、微損傷、裂痕等問題，而且省時省力，提高工作效率，其次，通過在混合酸溶液中添加含緩釋劑的熱敏微膠囊，抑制反應速率，并在下電極鉬片表面形成鈍化層，解決了腐蝕均勻性以及鉬片腐蝕損傷的問題。
聲明：
“酸蝕內藏臺面的硅整流圓芯片生產工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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