本發(fā)明公開的一種鈦釔共摻雜氧化鋯常溫半導體陶瓷材料的制備方法,包括以下步驟:將ZrO2、Y2O3、Ti粉末進行混粉處理,然后取出烘干得到混合粉末;將混合粉末進行造粒壓樣得到成型樣品;將成型樣品進行排膠燒結(jié);將排膠燒結(jié)完成的成型樣品放入真空爐內(nèi)進行高溫燒結(jié),隨爐冷卻后即得鈦釔共摻雜氧化鋯常溫半導體陶瓷材料。本發(fā)明的一種鈦釔共摻雜氧化鋯常溫半導體陶瓷材料的制備方法在ZrO2中摻雜Y2O3,可以在晶格中產(chǎn)生帶正電的氧離子空位,從而提高ZrO2的導電性,ZrO2材料中晶界相主要是由原料中SiO2等雜質(zhì)在燒結(jié)過程中向晶界偏析而形成的,Ti元素的摻雜,可使Ti元素富集在ZrO2晶界位置,在常溫下晶界提供可自由移動的電子,使得導電性能大幅提高。
聲明:
“鈦釔共摻雜氧化鋯常溫半導體陶瓷材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)