基于3D成型技術(shù)制備多孔SiC陶瓷的方法,本發(fā)明涉及基于3D成型技術(shù)制備多孔SiC陶瓷的方法。本發(fā)明的目的是為了解決目前選擇性激光燒結(jié)技術(shù)制備多孔SiC陶瓷時,成型件孔隙率低的問題。本發(fā)明方法為:繪制多孔SiC陶瓷的三維模型、設(shè)定SLS成型機的參數(shù)、混合SiC粉末、粘結(jié)劑粉末和造孔劑、制得陶瓷坯體、進(jìn)行CIP包套然后冷等靜壓致密化處理,進(jìn)行脫脂預(yù)燒結(jié),再在有氧環(huán)境下進(jìn)行燒結(jié),即完成。操作簡便,成型速度快,原料利用率高,有效地提高多孔SiC陶瓷的孔隙率,最終成型件的孔隙率為70%~80%,且具備一定的強度。本發(fā)明應(yīng)用于多孔SiC陶瓷的制備領(lǐng)域。
聲明:
“基于3D成型技術(shù)制備多孔SiC陶瓷的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)