本發(fā)明Sm-Co合金非晶磁性納米線陣列的制備方法的技術(shù)方案,涉及鈷作主要成分的非晶態(tài)合金,將用100mL去離子水配制得到的摩爾濃度配比為SmCl3·6H2O∶CoCl2·6H2O∶H3BO3∶甘氨酸∶抗壞血酸=0.5~1.8∶2~5∶5~10∶4~8∶3~7的電解沉積液放入專用的Sm-Co合金非晶磁性納米線沉積裝置的電解沉積槽中進(jìn)行納米線的沉積,再對沉積的Sm-Co合金非晶磁性納米線陣列進(jìn)行退火處理,制得Sm-Co合金非晶磁性納米線陣列產(chǎn)品。本發(fā)明方法克服了現(xiàn)有技術(shù)中Sm-Co合金納米線即Sm-Co合金非晶磁性納米線陣列沉積率低的缺陷。
聲明:
“Sm-Co合金非晶磁性納米線陣列的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)