本發(fā)明公開了一種基于化學(xué)氣相沉積制備具有光電響應(yīng)的二硒化鈮納米片陣列的方法,是以五氧化二鈮粉末和硒粉為原料,通過(guò)一步常壓化學(xué)氣相沉積在氧化硅襯底上生長(zhǎng)出高質(zhì)量的二硒化鈮納米片陣列。本發(fā)明具有生長(zhǎng)簡(jiǎn)便、大面積、高效的特點(diǎn),所制備的材料具有良好的紫外?可見光吸收性能和良好的穩(wěn)定性,且光探測(cè)響應(yīng)速度快。
聲明:
“基于化學(xué)氣相沉積制備具有光電響應(yīng)的二硒化鈮納米片陣列的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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