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L-半胱氨酸修飾納米金孔膜電極的制備方法

908   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:45:50
本發(fā)明涉及分析化學(xué)材料制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及L-半胱氨酸修飾納米金孔膜電極的制備方法。一種L-半胱氨酸修飾納米金孔膜電極的制備方法,將ITO導(dǎo)電玻璃劃成4.0cm×0.5cm的長方形,依次用稀氨水、無水乙醇、亞沸水各超聲清洗10min;采用循環(huán)伏安法沉積金銀合金納米膜。將制得的金銀合金納米膜電極浸泡在HClO4溶液中,12h后取出,并在烘箱中放置1h,制得納米多孔金膜電極。將納米多孔金膜電極浸泡在lmmol/LL-半胱氨酸水溶液中,在4℃冰箱中保存約2h后取出,沖洗干凈并用高純氮?dú)獯蹈?,即制得L-半胱氨酸修飾納米金孔膜電極。本發(fā)明采用電化學(xué)沉積金銀合金及去合金化法在ITO電極表面制備了納米孔金膜,電極制備方法簡單,孔膜結(jié)構(gòu)及表面積可由電沉積條件調(diào)控。
聲明:
“L-半胱氨酸修飾納米金孔膜電極的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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