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基于氮吡咯噻吩的免摻雜空穴傳輸材料的制備及應(yīng)用

945   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:56:36
本發(fā)明公開了一種基于氮吡咯噻吩的免摻雜空穴傳輸材料的制備及應(yīng)用。步驟如下:步驟一、通過碳?碳偶聯(lián)、碳?氮偶聯(lián)、溴代反應(yīng)、Stille反應(yīng)等多種反應(yīng)類型合成所需中間體,由中間體合成空穴傳輸材料W3,需要經(jīng)歷多次反應(yīng)及純化。步驟二、將W3配成溶液以空穴傳輸層應(yīng)用于器件制備,得到的樣品進(jìn)行各種光電化學(xué)測試,證明W3作為空穴傳輸材料的優(yōu)異特性。步驟三、對得到的測試數(shù)據(jù)進(jìn)行處理得到圖表。本發(fā)明利用氮吡咯噻吩為基礎(chǔ)合成了一種免摻雜空穴傳輸材料,該種材料應(yīng)用于鈣鈦礦太陽能電池,有成本低,易于加工,穩(wěn)定性高的優(yōu)勢,為免摻雜空穴的進(jìn)一步發(fā)展提供了思路。
聲明:
“基于氮吡咯噻吩的免摻雜空穴傳輸材料的制備及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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