本發(fā)明公開了一種多層膜結(jié)構(gòu)SAW器件的各層 薄膜厚度無(wú)損測(cè)量方法,該方法首先確定被測(cè)膜樣片的測(cè)量系 數(shù)k,再測(cè)定該被測(cè)膜樣片的總厚度h,然后計(jì)算被測(cè)薄膜層 的厚度hfilm=h 基片-h(huán)樣片。本 發(fā)明基于平行板電容測(cè)微原理進(jìn)行多層膜材料的測(cè)厚方法,測(cè) 量精度達(dá)0.001μm。該方法不需提前標(biāo)定被測(cè)材料相對(duì)介電常 數(shù),不需特殊制備樣件,是非接觸測(cè)量,測(cè)量方法簡(jiǎn)單、成本 低。因此適用于各種薄膜、特別適用于多層結(jié)構(gòu)基片制備中的 各層膜厚的無(wú)損測(cè)量及平面度測(cè)量,對(duì)提高金剛石多層膜結(jié)構(gòu) SAW器件性能具有重大意義。
聲明:
“多層膜結(jié)構(gòu)SAW器件的各層薄膜厚度無(wú)損測(cè)量方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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