本發(fā)明公開了一種模塊內(nèi)并聯(lián)器件峰值
芯片溫度的無損測試方法,該方法通過構(gòu)建特定測試電流下的基于電流占比的溫度?導(dǎo)通壓降曲線簇,實(shí)現(xiàn)對并聯(lián)器件或模塊的峰值結(jié)溫測量。獲得校溫電流?溫度?導(dǎo)通壓降三維數(shù)據(jù)庫,根據(jù)測試電流與并聯(lián)器件數(shù)量,利用電流轉(zhuǎn)換公式,得到特定測試電流下的基于電流占比的溫度?導(dǎo)通壓降曲線簇;利用曲線簇和測量得到器件工作狀態(tài)測試小電流對應(yīng)的導(dǎo)通壓降,得出不同測試電流下的電流占比?溫度曲線;最后,根據(jù)不同測試電流下電流占比?溫度曲線交點(diǎn),確定并聯(lián)器件或模塊的峰值結(jié)溫和電流占比。利用該方法,可在成熟小電流壓降法的基礎(chǔ)上,無需增加額外設(shè)備,即可實(shí)現(xiàn)模塊內(nèi)并聯(lián)器件峰值芯片溫度的無損測量。
聲明:
“多芯片并聯(lián)封裝模塊內(nèi)芯片峰值結(jié)溫的無損測試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)