本申請?zhí)峁┮环N半導體失效檢測結構及其檢測方法,應用于半導體器件失效檢測過程,半導體失效檢測方法包括:在待檢測晶圓預設范圍內設置參考層;獲取設置參考層對應待檢測晶圓的晶圓圖像;將晶圓圖像與檢測標準圖像進行對比,根據參考層得到待檢測晶圓中失效的位置信息及分析結果。本說明書實施例設置類似金屬材料的參考層,該參考層為多個最小單元規(guī)則排布的參考塊,尤其使參考塊構成的參考層呈米型狀或T型狀排布,優(yōu)化測試結構周邊和上下層dummy結構的設計,在不影響各種不同功能的測試結構的基礎上,不僅有助于形成更加清晰高對比度的測試結構圖形影像,而且大大提升失效分析定位的準確性和物性失效分析的成功率和效率。
聲明:
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