本發(fā)明公開了一種三維存儲器失效樣品制備方法,屬于集成電路的失效分析領(lǐng)域,一種三維存儲器失效樣品制備方法,包括以下步驟:步驟一、將
芯片表面金屬層去除;步驟二、將去除金屬層的芯片置于機(jī)械研磨設(shè)備的樣品臺上;步驟三、調(diào)整樣品臺位置,使芯片目標(biāo)分析區(qū)位于微拋光磨頭的正下方;步驟四、調(diào)整微拋光磨頭的位置,使其接觸芯片表面,微拋光磨頭與芯片表面接觸角為45度;步驟五、設(shè)定微拋光磨頭移動距離,然后開啟微拋光磨頭旋轉(zhuǎn)。本發(fā)明,通過結(jié)合高精度機(jī)械研磨和聚焦離子束,實(shí)現(xiàn)弧形側(cè)壁結(jié)構(gòu),在垂直視角下即可對三維堆疊層數(shù)進(jìn)行準(zhǔn)確計(jì)數(shù),比較垂直側(cè)壁結(jié)構(gòu),能夠更快速及準(zhǔn)確的找到失效位置,提高分析效率和準(zhǔn)確度。
聲明:
“三維存儲器失效樣品制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)