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MOS器件的測試方法、裝置、系統(tǒng)、設備和存儲介質

657   編輯：管理員   來源：中冶有色技術網  
2023-03-19 09:00:22
本申請公開了一種MOS器件的測試方法、裝置、系統(tǒng)、設備和存儲介質，該方法包括：獲取測試器件的漏極電流，該漏極電流是向測試器件施加柵極電壓時測量得到的；根據(jù)柵極電壓和漏極電流計算得到測試器件的閾值電壓的測量值；獲取晶圓所在環(huán)境的環(huán)境溫度；調用預測模型對柵極電壓、柵極電壓對應的漏極電流和環(huán)境溫度進行處理，得到測試器件的閾值電壓的預測值，預測模型是根據(jù)測試組訓練得到的機器學習模型，測試組是對樣本器件進行測試得到的數(shù)據(jù)，測試組包括量測數(shù)據(jù)和樣本器件對應的閾值電壓，量測數(shù)據(jù)包括施加于樣本器件的柵極電壓、樣本器件的柵極電壓對應的漏極電流以及樣本器件所在環(huán)境的環(huán)境溫度；根據(jù)測量值和預測值確定測試器件是否失效。
聲明：
“MOS器件的測試方法、裝置、系統(tǒng)、設備和存儲介質” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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