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高居里點(diǎn)低溫共燒壓電陶瓷材料及其制備方法

595   編輯:中冶有色技術(shù)網(wǎng)   來源:邦瓷電子科技(鹽城)有限責(zé)任公司  
2023-12-06 13:46:37
權(quán)利要求書: 1.一種高居里點(diǎn)低溫共燒壓電陶瓷材料,其特征在于,包括如下按照重量份數(shù)計的組分:97.4%-99.2%的鈦酸鋇,0%-1%的鈣硼硅玻璃,0.5%-2.5%的氧化銅和0.05%-

2%的五氧化二釩。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高居里點(diǎn)低溫共燒壓電陶瓷材料,其特征在于,所述鈦酸鋇中原材料氧化鋅與二氧化鈦摩爾比為0.82-1.22:1,所述鈣硼硅玻璃中原材料氧化鈣、三氧化二硼與二氧化硅摩爾比為:35-50:18-35:15-47。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高居里點(diǎn)低溫共燒壓電陶瓷材料,其特征在于,所述低溫共燒陶瓷材料的燒結(jié)溫度為880℃,低溫共燒陶瓷材料的保溫時間為25min,介電常數(shù)為25。

4.根據(jù)權(quán)利要求1~3任一項所述的一種高居里點(diǎn)低溫共燒壓電陶瓷材料,其特征在于,所述高居里點(diǎn)低溫共燒壓電陶瓷材料制備方法包括單層壓電陶瓷制備方法和多層壓電陶瓷制備方法。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種高居里點(diǎn)低溫共燒壓電陶瓷材料制備方法,其特征在于,所述單層壓電陶瓷制備方法包括如下步驟:S1、烘干:將陶瓷原料放入烘箱,于120℃下烘16h;

S2、配料:按配方比例稱量各種原材料;

S3、混料:采取水磨的方法,對原料進(jìn)行機(jī)械混合,在球磨罐中加入水、配好后的各種原料,對各種原料進(jìn)行混勻,為預(yù)燒進(jìn)行完全的固相反應(yīng)準(zhǔn)備條件;

S4、烘干:經(jīng)磨細(xì)的混料送入120℃的造粒塔中干燥2小時;

S5、燒料:干燥后的濾料裝入坩堝內(nèi),密封坩堝,置入高溫隧道爐鍛燒,鍛燒技術(shù)參數(shù):室溫漸升至900℃,保溫1h,冷卻160℃;

S6、二次細(xì)磨:將濾料在球磨罐中進(jìn)行二次細(xì)磨(工藝過程同S3中的混料);

S7、造粒:將瓷料與粘結(jié)劑混合后,使用噴霧造粒塔將粉料與粘結(jié)劑充分均勻混合,并且烘干過篩,得到度均勻,流動性好的較粗顆粒(約100目/吋,濕度為37%);

S8、成型:將干燥后的顆粒壓制成陶瓷毛坯;

S9、排膠:將陶瓷毛坯置入高溫隧道爐內(nèi),溫度升至600℃后,保溫1.5h,預(yù)先排除有機(jī)膠黏劑,防止坯體變形、開裂;

S10、燒成:陶瓷毛坯排膠后在高溫隧道爐內(nèi)繼續(xù)升溫?zé)Y(jié)成瓷,鍛燒技術(shù)參數(shù):900℃,

4.5h;1256℃,3h;1240℃,2h,自然冷卻200℃;

S11、機(jī)加工:將燒成后的陶瓷經(jīng)打磨機(jī)濕式磨片、倒角整理成型,得到一定厚底外徑的陶瓷;

S12、絲網(wǎng)印刷:在陶瓷表面印上銀漿,并烘干;

S13、極化:該工序以硅油為絕緣煤質(zhì),在一定極化電場、溫度和時間條件下對樣品進(jìn)行極化,使陶瓷晶體中本來雜亂無章的電疇在電場的作用下轉(zhuǎn)向,用環(huán)保清洗劑將表面的硅油清洗干凈并晾干;

S14、測試、包裝入庫:利用檢測儀,檢驗(yàn)合格后包裝入庫。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種高居里點(diǎn)低溫共燒壓電陶瓷材料制備方法,其特征在于,所述S3中使用的是純水制備的純凈水,所述S4中使用液化氣燃燒作為能源。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種高居里點(diǎn)低溫共燒壓電陶瓷材料及其制備方法,其特征在于,所述S12中烘干溫度為200℃左右,烘干時間約為45分鐘。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種高居里點(diǎn)低溫共燒壓電陶瓷材料制備方法,其特征在于,所述多層壓電陶瓷制備方法包括如下步驟:S1、烘干:將陶瓷原料放入烘箱,于120℃下烘16h;

S2、配料:按配方比例稱量各種原材料;

S3、混料:采取水磨的方法,對原料進(jìn)行機(jī)械混合,在球磨罐中加入水、配好后的各種原料,對各種原料進(jìn)行混勻,為預(yù)燒進(jìn)行完全的固相反應(yīng)準(zhǔn)備條件;

S4、烘干:經(jīng)磨細(xì)的混料送入120℃的造粒塔中干燥2小時;

S5、燒料:干燥后的濾料裝入坩堝內(nèi),密封坩堝,置入高溫隧道爐鍛燒,鍛燒技術(shù)參數(shù):室溫漸升至900℃,保溫1h,冷卻160℃;

S6、二次細(xì)磨:將濾料在球磨罐中進(jìn)行二次細(xì)磨(工藝過程同S3中的混料);

S7、流延:將粉體與粘結(jié)劑、分散劑、溶劑按一定配比混合球磨得到粉體均勻分散、具有一定粘度的液體混合物,使用流延機(jī)將液體鋪開并烘干得到幾十微米的膜片;

S8、絲網(wǎng)印刷:在陶瓷膜片表面印上銀鈀漿,并烘干;

S9、等靜壓:將所需成型的產(chǎn)品利用工裝把原料裝好放入靜壓里面進(jìn)行加壓成型;

S10、切割:使用切割機(jī)對陶瓷膜片按照產(chǎn)品規(guī)格要求進(jìn)行切割;

S11、靜置:將經(jīng)過切割的陶瓷膜片放置烘箱里于30℃下12小時;

S12、排膠:將陶瓷毛坯置入高溫隧道爐內(nèi),溫度升至600℃后,保溫1.5h,預(yù)先排除有機(jī)膠黏劑,防止坯體變形、開裂;

S13、燒成:陶瓷毛坯排膠后在高溫隧道爐內(nèi)繼續(xù)升溫?zé)Y(jié)成瓷,鍛燒技術(shù)參數(shù):980℃,

4h;自然冷卻;

S14、機(jī)加工:將燒成后的陶瓷經(jīng)打磨機(jī)濕式磨片、倒角整理成型;

S15、外電極印刷;

S16、極化:壓電陶瓷極化過程是將整理好的陶瓷坯片置入被電極整流機(jī)組電場中,以空氣為絕緣媒質(zhì),極化溫度從居里溫度以上(高于居里溫度10?20℃)逐步降至100℃以下,相應(yīng)的極化電場從較弱(約30/mm)逐步增加到較強(qiáng)(約300/mm),完成對陶瓷坯片的極化;

S17、測試、包裝入庫:利用檢測儀,檢驗(yàn)合格后包裝入庫。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種高居里點(diǎn)低溫共燒壓電陶瓷材料制備方法,其特征在于,所述S8中烘干溫度為200℃左右,烘干時間約為45分鐘,所述S14中使用循環(huán)冷卻水。

說明書: 一種高居里點(diǎn)低溫共燒壓電陶瓷材料及其制備方法技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本發(fā)明涉及低溫共燒陶瓷材料技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種高居里點(diǎn)低溫共燒壓電陶瓷材料及其制備方法。背景技術(shù)[0002] 目前低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用在射頻或微波無線通訊、半導(dǎo)體、光電子、MEMS等領(lǐng)域中,在多層陶瓷基片、封裝及多層陶瓷集成電路(multilayersceramicintegratedcircuits,MCIC)中有廣泛應(yīng)用,隨著4G通信時代的到來,對微波器件/組件的小型化,集成化,高頻化等都有具有更高要求。因此,LTCC材料作為基礎(chǔ)材料受到學(xué)者們的廣泛關(guān)注。美國DuPont公司生產(chǎn)的951、Ferro公司生產(chǎn)的A6系列LTCC材料已經(jīng)十分成熟,是國內(nèi)外LTCC主要生產(chǎn)原材料,但是,這種工藝隨著IC集成度的不斷提高,對材料提出新的要求,首先,隨著芯片尺寸越來越小,就要求陶瓷基板介電常數(shù)變大,但常見的LTCC材料均為玻璃或Al2O3+玻璃體系,介電常數(shù)低(εr≤10),極大地限制了LTCC組件集成化,現(xiàn)有的陶瓷材料機(jī)械強(qiáng)度低,加工性能較差。發(fā)明內(nèi)容[0003] 本發(fā)明的目的是提供一種高居里點(diǎn)低溫共燒壓電陶瓷材料及其制備方法。[0004] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案:[0005] 一種高居里點(diǎn)低溫共燒壓電陶瓷材料及其制備方法,包括如下按照重量份數(shù)計的組分:97.4%-99.2%的鈦酸鋇,0%-1%的鈣硼硅玻璃,0.5%-2.5%的氧化銅和0.05%-2%的五氧化二釩。

[0006] 優(yōu)選的,所述鈦酸鋇中原材料鈣硼硅玻璃氧化鋅與氧化銅二氧化鈦摩爾比為0.82-1.22:1,所述鈣硼硅玻璃中原材料氧化鈣、三氧化二硼與二氧化硅摩爾比為:35-

50:18-35:15-47。

[0007] 優(yōu)選的,所述低溫共燒陶瓷材料的燒結(jié)溫度為880℃,低溫共燒陶瓷材料的保溫時間為25min,介電常數(shù)為25。[0008] 優(yōu)選的,所述高居里點(diǎn)低溫共燒壓電陶瓷材料制備方法包括單層壓電陶瓷制備方法和多層壓電陶瓷制備方法。[0009] 優(yōu)選的,所述單層壓電陶瓷制備方法包括如下步驟:[0010] S1、烘干:將陶瓷原料放入烘箱,于120℃下烘16h;[0011] S2、配料:按配方比例稱量各種原材料;[0012] S3、混料:采取水磨的方法,對原料進(jìn)行機(jī)械混合,在球磨罐中加入水、配好后的各種原料,對各種原料進(jìn)行混勻,為預(yù)燒進(jìn)行完全的固相反應(yīng)準(zhǔn)備條件;[0013] S4、烘干:經(jīng)磨細(xì)的混料送入120℃的造粒塔中干燥2小時;[0014] S5、燒料:干燥后的濾料裝入坩堝內(nèi),密封坩堝,置入高溫隧道爐鍛燒,鍛燒技術(shù)參數(shù):室溫漸升至900℃,保溫1h,冷卻160℃;[0015] S6、二次細(xì)磨:將濾料在球磨罐中進(jìn)行二次細(xì)磨(工藝過程同S3中的混料);[0016] S7、造粒:將瓷料與粘結(jié)劑混合后,使用噴霧造粒塔將粉料與粘結(jié)劑充分均勻混合,并且烘干過篩,得到度均勻,流動性好的較粗顆粒(約100目/吋,濕度為37%);[0017] S8、成型:將干燥后的顆粒壓制成陶瓷毛坯;[0018] S9、排膠:將陶瓷毛坯置入高溫隧道爐內(nèi),溫度升至600℃后,保溫1.5h,預(yù)先排除有機(jī)膠黏劑,防止坯體變形、開裂;[0019] S10、燒成:陶瓷毛坯排膠后在高溫隧道爐內(nèi)繼續(xù)升溫?zé)Y(jié)成瓷,鍛燒技術(shù)參數(shù):900℃,4.5h,1256℃,3h,1240℃,2h,自然冷卻200℃;

[0020] S11、機(jī)加工:將燒成后的陶瓷經(jīng)打磨機(jī)濕式磨片、倒角整理成型,得到一定厚底外徑的陶瓷;[0021] S12、絲網(wǎng)印刷:在陶瓷表面印上銀漿,并烘干;[0022] S13、極化:該工序以硅油為絕緣煤質(zhì),在一定極化電場、溫度和時間條件下對樣品進(jìn)行極化,使陶瓷晶體中本來雜亂無章的電疇在電場的作用下轉(zhuǎn)向,用環(huán)保清洗劑將表面的硅油清洗干凈并晾干;[0023] S14、測試、包裝入庫:利用檢測儀,檢驗(yàn)合格后包裝入庫。[0024] 優(yōu)選的,所述S3中使用的是純水制備的純凈水,所述S4中使用液化氣燃燒作為能源。[0025] 優(yōu)選的,所述S12中烘干溫度為200℃左右,烘干時間約為45分鐘。[0026] 優(yōu)選的,所述多層壓電陶瓷制備方法包括如下步驟:[0027] S1、烘干:將陶瓷原料放入烘箱,于120℃下烘16h;[0028] S2、配料:按配方比例稱量各種原材料;[0029] S3、混料:采取水磨的方法,對原料進(jìn)行機(jī)械混合,在球磨罐中加入水、配好后的各種原料,對各種原料進(jìn)行混勻,為預(yù)燒進(jìn)行完全的固相反應(yīng)準(zhǔn)備條件;[0030] S4、烘干:經(jīng)磨細(xì)的混料送入120℃的造粒塔中干燥2小時;[0031] S5、燒料:干燥后的濾料裝入坩堝內(nèi),密封坩堝,置入高溫隧道爐鍛燒。鍛燒技術(shù)參數(shù):室溫漸升至900℃,保溫1h,冷卻160℃;[0032] S6、二次細(xì)磨:將濾料在球磨罐中進(jìn)行二次細(xì)磨(工藝過程同S3中的混料);[0033] S7、流延:將粉體與粘結(jié)劑、分散劑、溶劑按一定配比混合球磨得到粉體均勻分散、具有一定粘度的液體混合物,使用流延機(jī)將液體鋪開并烘干得到幾十微米的膜片;[0034] S8、絲網(wǎng)印刷:在陶瓷膜片表面印上銀鈀漿,并烘干;[0035] S9、等靜壓:將所需成型的產(chǎn)品利用工裝把原料裝好放入靜壓里面進(jìn)行加壓成型;[0036] S10、切割:使用切割機(jī)對陶瓷膜片按照產(chǎn)品規(guī)格要求進(jìn)行切割;[0037] S11、靜置:將經(jīng)過切割的陶瓷膜片放置烘箱里于30℃下12小時;[0038] S12、排膠:將陶瓷毛坯置入高溫隧道爐內(nèi),溫度升至600℃后,保溫1.5h,預(yù)先排除有機(jī)膠黏劑,防止坯體變形、開裂;[0039] S13、燒成:陶瓷毛坯排膠后在高溫隧道爐內(nèi)繼續(xù)升溫?zé)Y(jié)成瓷。鍛燒技術(shù)參數(shù):980℃,4h;自然冷卻;

[0040] S14、機(jī)加工:將燒成后的陶瓷經(jīng)打磨機(jī)濕式磨片、倒角整理成型;[0041] S15、外電極印刷;[0042] S16、極化:壓電陶瓷極化過程是將整理好的陶瓷坯片置入被電極整流機(jī)組電場中,以空氣為絕緣媒質(zhì),極化溫度從居里溫度以上(高于居里溫度10?20℃)逐步降至100℃以下,相應(yīng)的極化電場從較弱(約30/mm)逐步增加到較強(qiáng)(約300/mm),完成對陶瓷坯片的極化;[0043] S17、測試、包裝入庫:利用檢測儀,檢驗(yàn)合格后包裝入庫。[0044] 優(yōu)選的,所述S8中烘干溫度為200℃左右,烘干時間約為45分鐘,所述S14中使用循環(huán)冷卻水。[0045] 本發(fā)明至少具備以下有益效果:[0046] 本發(fā)明提供了一種高居里點(diǎn)低溫共燒陶瓷材料,該低溫共燒陶瓷材料燒結(jié)溫度低,燒結(jié)時間短,與貴金屬匹配性能優(yōu)良,從而可以降低LTCC材料中鉑、鈀等耐高溫貴金屬的含量,選用銀等普通導(dǎo)電材料即可實(shí)現(xiàn)共燒,大大降低了制造成本,同時該制備方法制備得到的LTCC材料具有較高的居里溫度,使其具有較寬的應(yīng)用溫度范圍,適用更多的應(yīng)用環(huán)境,本發(fā)明提供的高居里點(diǎn)低溫共燒陶瓷材料大大降低了LTCC的生產(chǎn)成本,有利于產(chǎn)品的工業(yè)化生產(chǎn),高的居里點(diǎn)使得產(chǎn)品的應(yīng)用更廣泛,有利于市場推廣及市場競爭,該制備工藝簡單,工藝控制難度較低,與玻璃基陶瓷基材料機(jī)械強(qiáng)度高,加工性能較好,同時不同的制備方法,從而提高低溫共燒陶瓷材料的機(jī)械強(qiáng)度和熱導(dǎo)率,同時選擇不同層數(shù),更加方便使用人員使用,提高了工作效率。附圖說明[0047] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。[0048] 圖1為本發(fā)明中單層壓電陶瓷制備方法的工作流程圖;[0049] 圖2為本發(fā)明中多層壓電陶瓷制備方法的工作流程圖。具體實(shí)施方式[0050] 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。[0051] 參照圖1?2,一種高居里點(diǎn)低溫共燒壓電陶瓷材料及其制備方法,包括如下按照重量份數(shù)計的組分:97.4%-99.2%的鈦酸鋇,0%-1%的鈣硼硅玻璃,0.5%-2.5%的氧化銅和0.05%-2%的五氧化二釩。[0052] 本方案具備以下工作過程:[0053] 單層壓電陶瓷制備方法包括如下步驟:[0054] S1、烘干:將陶瓷原料放入烘箱,于120℃下烘16h;[0055] S2、配料:按配方比例稱量各種原材料;[0056] S3、混料:采取水磨的方法,對原料進(jìn)行機(jī)械混合,在球磨罐中加入水、配好后的各種原料,對各種原料進(jìn)行混勻,為預(yù)燒進(jìn)行完全的固相反應(yīng)準(zhǔn)備條件;[0057] S4、烘干:經(jīng)磨細(xì)的混料送入120℃的造粒塔中干燥2小時;[0058] S5、燒料:干燥后的濾料裝入坩堝內(nèi),密封坩堝,置入高溫隧道爐鍛燒,鍛燒技術(shù)參數(shù):室溫漸升至900℃,保溫1h,冷卻160℃;[0059] S6、二次細(xì)磨:將濾料在球磨罐中進(jìn)行二次細(xì)磨(工藝過程同S3中的混料);[0060] S7、造粒:將瓷料與粘結(jié)劑混合后,使用噴霧造粒塔將粉料與粘結(jié)劑充分均勻混合,并且烘干過篩,得到度均勻,流動性好的較粗顆粒(約100目/吋,濕度為37%);[0061] S8、成型:將干燥后的顆粒壓制成陶瓷毛坯;[0062] S9、排膠:將陶瓷毛坯置入高溫隧道爐內(nèi),溫度升至600℃后,保溫1.5h,預(yù)先排除有機(jī)膠黏劑,防止坯體變形、開裂;[0063] S10、燒成:陶瓷毛坯排膠后在高溫隧道爐內(nèi)繼續(xù)升溫?zé)Y(jié)成瓷,鍛燒技術(shù)參數(shù):900℃,4.5h,1256℃,3h,1240℃,2h,自然冷卻200℃;

[0064] S11、機(jī)加工:將燒成后的陶瓷經(jīng)打磨機(jī)濕式磨片、倒角整理成型,得到一定厚底外徑的陶瓷;[0065] S12、絲網(wǎng)印刷:在陶瓷表面印上銀漿,并烘干;[0066] S13、極化:該工序以硅油為絕緣煤質(zhì),在一定極化電場、溫度和時間條件下對樣品進(jìn)行極化,使陶瓷晶體中本來雜亂無章的電疇在電場的作用下轉(zhuǎn)向,用環(huán)保清洗劑將表面的硅油清洗干凈并晾干;[0067] S14、測試、包裝入庫:利用檢測儀,檢驗(yàn)合格后包裝入庫。[0068] 多層壓電陶瓷制備方法包括如下步驟:[0069] S1、烘干:將陶瓷原料放入烘箱,于120℃下烘16h;[0070] S2、配料:按配方比例稱量各種原材料;[0071] S3、混料:采取水磨的方法,對原料進(jìn)行機(jī)械混合,在球磨罐中加入水、配好后的各種原料,對各種原料進(jìn)行混勻,為預(yù)燒進(jìn)行完全的固相反應(yīng)準(zhǔn)備條件;[0072] S4、烘干:經(jīng)磨細(xì)的混料送入120℃的造粒塔中干燥2小時;[0073] S5、燒料:干燥后的濾料裝入坩堝內(nèi),密封坩堝,置入高溫隧道爐鍛燒。鍛燒技術(shù)參數(shù):室溫漸升至900℃,保溫1h,冷卻160℃;[0074] S6、二次細(xì)磨:將濾料在球磨罐中進(jìn)行二次細(xì)磨(工藝過程同S3中的混料);[0075] S7、流延:將粉體與粘結(jié)劑、分散劑、溶劑按一定配比混合球磨得到粉體均勻分散、具有一定粘度的液體混合物,使用流延機(jī)將液體鋪開并烘干得到幾十微米的膜片;[0076] S8、絲網(wǎng)印刷:在陶瓷膜片表面印上銀鈀漿,并烘干;[0077] S9、等靜壓:將所需成型的產(chǎn)品利用工裝把原料裝好放入靜壓里面進(jìn)行加壓成型;[0078] S10、切割:使用切割機(jī)對陶瓷膜片按照產(chǎn)品規(guī)格要求進(jìn)行切割;[0079] S11、靜置:將經(jīng)過切割的陶瓷膜片放置烘箱里于30℃下12小時;[0080] S12、排膠:將陶瓷毛坯置入高溫隧道爐內(nèi),溫度升至600℃后,保溫1.5h,預(yù)先排除有機(jī)膠黏劑,防止坯體變形、開裂;[0081] S13、燒成:陶瓷毛坯排膠后在高溫隧道爐內(nèi)繼續(xù)升溫?zé)Y(jié)成瓷。鍛燒技術(shù)參數(shù):980℃,4h,自然冷卻;

[0082] S14、機(jī)加工:將燒成后的陶瓷經(jīng)打磨機(jī)濕式磨片、倒角整理成型;[0083] S15、外電極印刷;[0084] S16、極化:壓電陶瓷極化過程是將整理好的陶瓷坯片置入被電極整流機(jī)組電場中,以空氣為絕緣媒質(zhì),極化溫度從居里溫度以上(高于居里溫度10?20℃)逐步降至100℃以下,相應(yīng)的極化電場從較弱(約30/mm)逐步增加到較強(qiáng)(約300/mm),完成對陶瓷坯片的極化;[0085] S17、測試、包裝入庫:利用檢測儀,檢驗(yàn)合格后包裝入庫。[0086] 根據(jù)上述工作過程可知:[0087] 本發(fā)明提供了一種高居里點(diǎn)低溫共燒陶瓷材料,該低溫共燒陶瓷材料燒結(jié)溫度低,燒結(jié)時間短,與貴金屬匹配性能優(yōu)良,從而可以降低LTCC材料中鉑、鈀等耐高溫貴金屬的含量,選用銀等普通導(dǎo)電材料即可實(shí)現(xiàn)共燒,大大降低了制造成本,同時該制備方法制備得到的LTCC材料具有較高的居里溫度,使其具有較寬的應(yīng)用溫度范圍,適用更多的應(yīng)用環(huán)境,本發(fā)明提供的高居里點(diǎn)低溫共燒陶瓷材料大大降低了LTCC的生產(chǎn)成本,有利于產(chǎn)品的工業(yè)化生產(chǎn),高的居里點(diǎn)使得產(chǎn)品的應(yīng)用更廣泛,有利于市場推廣及市場競爭,該制備工藝簡單,工藝控制難度較低,與玻璃基陶瓷基材料機(jī)械強(qiáng)度高,加工性能較好,同時不同的制備方法,從而提高低溫共燒陶瓷材料的機(jī)械強(qiáng)度和熱導(dǎo)率,同時選擇不同層數(shù),更加方便使用人員使用,提高了工作效率。[0088] 以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解,本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制,上述實(shí)施例和說明書中描述的只是本發(fā)明的原理,在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下本發(fā)明還會有各種變化和改進(jìn),這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍內(nèi)。本發(fā)明要求的保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等同物界定。



聲明:
“高居里點(diǎn)低溫共燒壓電陶瓷材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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