權(quán)利要求書： 1.一種疊加SE的堿拋光太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括先后進(jìn)行的鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG位于所述SE步驟和堿拋光工藝之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG使用鏈?zhǔn)皆O(shè)備，按電池片傳送方向依次進(jìn)行氧化、堿洗、第一水洗、去PSG、第二水洗和烘干。

4.根據(jù)權(quán)利要求1?3任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述氧化使用硝酸溶液；

優(yōu)選地，所述硝酸溶液的質(zhì)量濃度為60～70％；

優(yōu)選地，所述氧化的溫度為80～120℃；

優(yōu)選地，所述氧化的反應(yīng)時間為2～8min；

優(yōu)選地，所述堿洗使用弱堿；

優(yōu)選地，所述弱堿包括氫氧化鉀和/或氫氧化鈉；

優(yōu)選地，所述弱堿的質(zhì)量濃度為1～5％；

優(yōu)選地，所述去PSG的溶液包括HF溶液；

優(yōu)選地，所述去PSG的溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5～15％；

優(yōu)選地，所述鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG使用滾輪帶液的方式去除所述電池片表面的氧化層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1?4任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：硅片依次進(jìn)行制絨、擴(kuò)散、SE、鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG、堿拋光清洗刻蝕、熱氧化退火、背鈍化、正面減反射、激光開槽、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)和電注入，從而制備太陽能電池。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述制絨包括通過制絨硅片表面形成陷光結(jié)構(gòu)，得到硅片A；

優(yōu)選地，所述制絨得到的絨面的反射率為8～10％；

優(yōu)選地，所述擴(kuò)散包括通過擴(kuò)散形成PN結(jié)，得到具有輕摻雜區(qū)域的硅片B；

優(yōu)選地，所述擴(kuò)散得到的所述輕摻雜區(qū)域的方阻為110～170Ω；

優(yōu)選地，通過所述SE步驟包括在所述硅片B的表面的輕摻雜區(qū)域形成選擇性重?fù)诫s區(qū)域，得到硅片C；

優(yōu)選地，所述重?fù)诫s區(qū)域的方阻為50～80Ω；

優(yōu)選地，對所述硅片C進(jìn)行所述鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG，得到硅片D。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的制備方法，其特征在于，所述堿拋光清洗刻蝕包括使用堿溶液拋光所述硅片D的背面，得到硅片E；

優(yōu)選地，所述堿溶液包括氫氧化鈉溶液和/或氫氧化鉀溶液；

優(yōu)選地，所述堿溶液的質(zhì)量濃度為10～15％；

優(yōu)選地，所述硅片E背面的反射率為38～45％；

優(yōu)選地，所述熱氧化退火包括氧化所述硅片E的擴(kuò)散面，形成二氧化硅膜層，得到硅片F(xiàn)；

優(yōu)選地，所述氧化的溫度為650～750℃；

優(yōu)選地，所述氧化的時間為15～25min。

8.根據(jù)權(quán)利要求5?7任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述背鈍化包括PECD氧化鋁或氮氧化硅，疊加氮化硅膜層，得到硅片G；

優(yōu)選地，所述氮化硅膜層的總膜厚為120～150nm；

優(yōu)選地，所述正面減反射包括通過PECD所述硅片G的擴(kuò)散面，在所述硅片G的正面形成氮化硅減反射膜，得到硅片H；

優(yōu)選地，所述氮化硅減反射膜的厚度為65～85nm；

優(yōu)選地，所述激光開槽包括使用激光打穿所述硅片H的背面鈍化層，制備接觸孔，得到硅片I；

優(yōu)選地，所述絲網(wǎng)印刷包括在所述硅片I的背面絲網(wǎng)印刷金屬漿料；

優(yōu)選地，所述燒結(jié)包括通過燒結(jié)使得所述金屬漿料和所述硅片I形成歐姆接觸，得到電池片。

9.根據(jù)權(quán)利要求1?8任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟：

(1)通過制絨硅片表面形成陷光結(jié)構(gòu)，得到硅片A，所述制絨得到絨面的反射率為8～

10％；

(2)步驟(1)所述硅片A通過擴(kuò)散形成PN結(jié)，得到具有輕摻雜區(qū)域的硅片B，所述擴(kuò)散得到的具有輕摻雜區(qū)域的方阻為110～170Ω；

(3)通過SE步驟包括在步驟(2)所述硅片B的表面的輕摻雜區(qū)域形成選擇性重?fù)诫s區(qū)域，得到硅片C，所述重?fù)诫s區(qū)域的方阻為50～80Ω；

(4)對步驟(3)所述硅片C進(jìn)行鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG，得到硅片D，所述鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG使用鏈?zhǔn)皆O(shè)備，按電池片傳送方向依次進(jìn)行硝酸質(zhì)量濃度為60～

70％、溫度為80～120℃的氧化、弱堿質(zhì)量濃度為1～5％的堿洗、水洗、質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5～15％的HF溶液去PSG、水洗和烘干；

(5)通過10～15％質(zhì)量濃度的堿溶液進(jìn)行所述堿拋光清洗刻蝕，使用堿溶液拋光步驟(4)所述硅片D的背面，得到硅片E，所述堿拋光后背面反射率為38～45％；

(6)通過熱氧化退火，氧化溫度為650～750℃，氧化步驟(5)所述硅片F(xiàn)的擴(kuò)散面15～

25min，形成二氧化硅膜層，得到硅片F(xiàn)；

(7)背鈍化包括步驟(6)所述硅片F(xiàn)通過PECD氧化鋁，疊加氮化硅膜層，得到總膜厚為

120～150nm的氮化硅膜層；

(8)正面減反射包括通過PECD步驟(7)所述硅片G的擴(kuò)散面，在所述硅片G的正面形成氮化硅減反射膜，得到氮化硅膜厚為65～85nm的硅片H；

(9)激光開槽包括使用激光打穿步驟(8)所述硅片的背面鈍化層，制備接觸孔，得到硅片I；

(10)在步驟(9)所述硅片I的背面絲網(wǎng)印刷金屬漿料，再進(jìn)行燒結(jié)使得金屬漿料和硅片形成歐姆接觸，得到電池片；

(11)電注入步驟(10)所述電池片得到太陽能電池。

10.一種太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池由權(quán)利要求1?9任一項(xiàng)所述的制備方法得到。

說明書： 一種疊加SE的堿拋光太陽能電池的制備方法及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本發(fā)明涉及光伏領(lǐng)域，涉及太陽能電池片制造領(lǐng)域，尤其涉及一種疊加SE的堿拋光太陽能電池的制備方法及太陽能電池。

背景技術(shù)[0002] 光伏發(fā)電是主要的清潔能源之一，發(fā)電的核心是太陽能電池片。目前市場主流的太陽能制造工藝都包括制絨、擴(kuò)散、刻蝕、鍍膜、絲網(wǎng)等工序。主流的刻蝕工藝有干法刻蝕，

酸拋光體系濕法刻蝕、堿拋光體系濕法刻蝕。相對于酸拋光和離子干法刻蝕，堿拋光刻蝕有

拋光效果好，工藝減重低，工藝重復(fù)性好，減排環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)。缺點(diǎn)在于堿拋光需要增加一道

氧化工序，氧化硅片擴(kuò)散面生成二氧化硅，二氧化硅在堿拋光中不與堿反應(yīng)，保護(hù)擴(kuò)散面。

氧化工序一般有管式氧化和鏈?zhǔn)窖趸壳斑@兩種技術(shù)都有使用，各有優(yōu)缺點(diǎn)。管式氧化的

缺點(diǎn)是自動化工序多，設(shè)備成本高；優(yōu)點(diǎn)是工藝穩(wěn)定，重復(fù)性好，氧化層致密。鏈?zhǔn)窖趸膬?yōu)

點(diǎn)是自動化成本低，工序簡單，缺點(diǎn)是工藝不穩(wěn)定，對環(huán)境要求高，工藝重復(fù)性相對較差，氧

化層均勻性差良率低。

[0003] CN111883618A公開了一種使用臭氧氧化電池片擴(kuò)散面后堿拋光刻蝕的SE疊加PERC工藝的太陽能電池制作工藝。臭氧的氧化性比氧氣強(qiáng)，所以氧化的溫度可以在常溫下

進(jìn)行，減少高溫帶來的晶體缺陷和制程污染，自動化較為簡單。缺點(diǎn)是因?yàn)槌粞鯓O不穩(wěn)定，

氧化的效果不均勻，氧化的厚度較低。

[0004] CN110010721A公開一種使用管式熱氧化電池片擴(kuò)散面的PERC電池工藝。管式熱氧化的溫度500～800℃，優(yōu)點(diǎn)是氧化效果好，氧化層致密均勻；缺點(diǎn)是對多了一道高溫工藝，

硅片的制程污染會增加，熱氧化和SE工序的工藝衛(wèi)生直接影響良率。而且管式熱氧化工藝

對自動化和氧化設(shè)備的需求明顯增加。

[0005] CN111074280A公開了一種新型堿拋光工藝，包括如下步驟：S1、堿拋光前預(yù)處理：將待堿拋工件進(jìn)行清洗預(yù)處理，然后將清洗后的工件烘干備用；S2、拋光堿溶液配制：在堿

拋槽內(nèi)加入純水、氫氧化鈉、亞硝酸鈉、氟化鈉和磷酸鈉，進(jìn)行配制堿拋溶液：S3、堿拋光處

理：將預(yù)處理后的工件放入到堿拋槽內(nèi)，進(jìn)行拋光處理。優(yōu)點(diǎn)是工藝簡單，成本低，安全環(huán)

保。缺點(diǎn)是工藝不穩(wěn)定，對環(huán)境要求高，氧化層均勻性差良率低。

[0006] 如何通過簡單、穩(wěn)定的工藝得到氧化層均勻性好并且具備環(huán)境友好的太陽能電池，是本領(lǐng)域重要的研究方向。

發(fā)明內(nèi)容[0007] 鑒于現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種疊加SE的堿拋光高效太陽能電池的制備方法，使用堿拋光工藝，工序位于SE后，氧化退火前，使氧化層生長均勻致

密，本發(fā)明的工藝具有環(huán)境友好、設(shè)備成本低的優(yōu)勢外還為太陽能電池提供了良好的電性

能。

[0008] 為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：[0009] 本發(fā)明的目的之一在于提供一種疊加SE的堿拋光太陽能電池的制備方法，所述制備方法包括先后進(jìn)行的鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG。

[0010] 本發(fā)明使用鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸?，使用濃硝酸氧化SE工序后的硅片，然后水洗進(jìn)入下道工序。反應(yīng)的溫度80～120℃，氧化層生長均勻致密，較低的溫度可以避免高溫工序帶來的

污染，鏈?zhǔn)綕穹ㄔ黾釉阪準(zhǔn)饺SG設(shè)備前，匹配鏈?zhǔn)饺SG設(shè)備，不需要額外的自動化設(shè)備。

[0011] 作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，所述鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG位于所述SE步驟和堿拋光工藝之間。

[0012] 作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，所述鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG使用鏈?zhǔn)皆O(shè)備，按電池片傳送方向依次進(jìn)行氧化、堿洗、第一水洗、去PSG、第二水洗和烘干。

[0013] 作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，所述氧化使用硝酸溶液。[0014] 優(yōu)選地，所述硝酸溶液的質(zhì)量濃度為60～70％，所述質(zhì)量濃度可以是60％、61％、62％、63％、64％、65％、66％、67％、68％、69％或70％等，，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該

數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

[0015] 優(yōu)選地，所述氧化的溫度為80～120℃，所述溫度可以是80℃、85℃、90℃、95℃、100℃、105℃、110℃、115℃或120℃等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未

列舉的數(shù)值同樣適用。

[0016] 優(yōu)選地，所述氧化的反應(yīng)時間為2～8min，所述時間可以是2min、3min、4min、5min、6min、7min或8min等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適

用。

[0017] 優(yōu)選地，所述堿洗使用弱堿。[0018] 優(yōu)選地，所述弱堿包括氫氧化鉀和/或氫氧化鈉。[0019] 優(yōu)選地，所述弱堿的質(zhì)量濃度為1～5％，其中所述弱堿的質(zhì)量濃度可以是1％、1.5％、2％、2.5％、3％、3.5％、4％、4.5％或5％等，但不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍

內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

[0020] 優(yōu)選地，所述去PSG的溶液包括HF溶液。[0021] 優(yōu)選地，所述去PSG的溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5～15％，其中所述去PSG的質(zhì)量分?jǐn)?shù)可以是5％、6％、7％、8％、9％、10％、11％、12％、13％、14％或15％等，但不僅限于所列舉的數(shù)

值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

[0022] 優(yōu)選地，所述鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG使用滾輪帶液的方式去除所述電池片表面的氧化層。

[0023] 作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，所述制備方法包括：硅片依次進(jìn)行制絨、擴(kuò)散、SE、鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG、堿拋光清洗刻蝕、熱氧化退火、背鈍化、正面減反射、激光開

槽、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)和電注入，從而制備太陽能電池。

[0024] 作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，所述制絨包括通過制絨硅片表面形成陷光結(jié)構(gòu)，得到硅片A。

[0025] 優(yōu)選地，所述制絨得到的絨面的反射率為8～10％，所述反射率可以是8％、9％或10％等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

[0026] 優(yōu)選地，所述擴(kuò)散包括通過擴(kuò)散形成PN結(jié)，得到具有輕摻雜區(qū)域的硅片B。[0027] 優(yōu)選地，所述擴(kuò)散得到的所述輕摻雜區(qū)域的方阻為110～170Ω，所述方阻可以是110Ω、120Ω、130Ω、140Ω、150Ω、160Ω或170Ω等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值

范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

[0028] 優(yōu)選地，通過所述SE步驟包括在所述硅片B的表面的輕摻雜區(qū)域形成選擇性重?fù)诫s區(qū)域，得到硅片C。

[0029] 優(yōu)選地，所述重?fù)诫s區(qū)域的方阻為50～80Ω，所述方阻可以是50Ω、55Ω、60Ω、65Ω、70Ω、75Ω或80Ω等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同

樣適用。

[0030] 優(yōu)選地，對所述硅片C進(jìn)行所述鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG，得到硅片D。[0031] 作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，所述堿拋光清洗刻蝕包括使用堿溶液拋光所述硅片D的背面，得到硅片E。

[0032] 優(yōu)選地，所述堿溶液包括氫氧化鈉溶液和/或氫氧化鉀溶液。[0033] 優(yōu)選地，所述堿溶液的質(zhì)量濃度為10～15％，所述質(zhì)量濃度可以是10％、11％、12％、13％、14％或15％等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值

同樣適用。

[0034] 優(yōu)選地，所述硅片E背面的反射率為38～45％，所述反射率可以是38％、39％、40％、41％、42％、43％、44％或45％等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未

列舉的數(shù)值同樣適用。

[0035] 優(yōu)選地，所述熱氧化退火包括氧化所述硅片E的擴(kuò)散面，形成二氧化硅膜層，得到硅片F(xiàn)。

[0036] 優(yōu)選地，所述氧化的溫度為650～750℃，所述溫度可以是650℃、660℃、670℃、680℃、690℃、700℃、710℃、720℃、730℃、740℃或750℃等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)

值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

[0037] 優(yōu)選地，所述氧化的時間為15～25min，所述時間可以是15min、16min、17min、18min、19min、20min、21min、22min、23min、24min或25min等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，

該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

[0038] 作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，所述背鈍化包括PECD氧化鋁或氮氧化硅，疊加氮化硅膜層，得到硅片G。

[0039] 優(yōu)選地，所述氮化硅膜層的總膜厚為120～150nm，所述膜厚可以是120nm、125nm、130nm、135nm、140nm、145nm或150nm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未

列舉的數(shù)值同樣適用。

[0040] 優(yōu)選地，所述正面減反射包括通過PECD所述硅片G的擴(kuò)散面，在所述硅片G的正面形成氮化硅減反射膜，得到硅片H。

[0041] 優(yōu)選地，所述氮化硅減反射膜的厚度為65～85nm，所述厚度可以是65nm、66nm、67nm、68nm、69nm、70nm、71nm、72nm、73nm、74nm、75nm、76nm、77nm、78nm、79nm、80nm、81nm、

82nm、83nm、84nm或85nm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值

同樣適用。

[0042] 優(yōu)選地，所述激光開槽包括使用激光打穿所述硅片H的背面鈍化層，制備接觸孔，得到硅片I。

[0043] 優(yōu)選地，所述絲網(wǎng)印刷包括在所述硅片I的背面絲網(wǎng)印刷金屬漿料。[0044] 優(yōu)選地，所述燒結(jié)包括通過燒結(jié)使得所述金屬漿料和所述硅片I形成歐姆接觸，得到電池片。

[0045] 作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，所述制備方法包括以下步驟：[0046] (1)通過制絨硅片表面形成陷光結(jié)構(gòu)，得到硅片A，所述制絨得到絨面的反射率為8～10％；

[0047] (2)步驟(1)所述硅片A通過擴(kuò)散形成PN結(jié)，得到具有輕摻雜區(qū)域的硅片B，所述擴(kuò)散得到的具有輕摻雜區(qū)域的方阻為110～170Ω；

[0048] (3)通過SE步驟包括在步驟(2)所述硅片B的表面的輕摻雜區(qū)域形成選擇性重?fù)诫s區(qū)域，得到硅片C，所述重?fù)诫s區(qū)域的方阻為50～80Ω；

[0049] (4)對步驟(3)所述硅片C進(jìn)行鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG，得到硅片D，所述鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG使用鏈?zhǔn)皆O(shè)備，按電池片傳送方向依次進(jìn)行硝酸質(zhì)量濃度為

60～70％、溫度為80～120℃的氧化、弱堿質(zhì)量濃度為1～5％的堿洗、水洗、質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5～

15％的HF溶液去PSG、水洗和烘干；

[0050] (5)通過10～15％質(zhì)量濃度的堿溶液進(jìn)行所述堿拋光清洗刻蝕，使用堿溶液拋光步驟(4)所述硅片D的背面，得到硅片E，所述堿拋光后背面反射率為38～45％；

[0051] (6)通過熱氧化退火，氧化溫度為650～750℃，氧化步驟(5)所述硅片F(xiàn)的擴(kuò)散面15～25min，形成二氧化硅膜層，得到硅片F(xiàn)；

[0052] (7)背鈍化包括步驟(6)所述硅片F(xiàn)通過PECD氧化鋁，疊加氮化硅膜層，得到總膜厚為120～150nm的氮化硅膜層；

[0053] (8)正面減反射包括通過PECD步驟(7)所述硅片G的擴(kuò)散面，在所述硅片G的正面形成氮化硅減反射膜，得到氮化硅膜厚為65～85nm的硅片H；

[0054] (9)激光開槽包括使用激光打穿步驟(8)所述硅片的背面鈍化層，制備接觸孔，得到硅片I；

[0055] (10)在步驟(9)所述硅片I的背面絲網(wǎng)印刷金屬漿料，再進(jìn)行燒結(jié)使得金屬漿料和硅片形成歐姆接觸，得到電池片；

[0056] (11)電注入步驟(10)所述電池片得到太陽能電池。[0057] 本發(fā)明目的之二在于提供一種太陽能電池，所述太陽能電池由目的之一所述的制備方法制備得到。

[0058] 本發(fā)明制造太陽能電池的工序?yàn)橹平q、擴(kuò)散、SE、堿拋光、退火氧化、PECD背膜、PECD正膜、激光開槽、絲網(wǎng)印刷，本發(fā)明是一種堿拋光工藝，工序位于SE后，氧化退火前，使

氧化層生長均勻致密，本發(fā)明的制備方法具有環(huán)境友好、設(shè)備成本低的優(yōu)勢外還為太陽能

電池提供了良好的電性能。

[0059] 其中，Uoc可以達(dá)到0.685伏特以上，Isc可以達(dá)到11.3安培以上。FF可以達(dá)到80％以上，Ncell22.95％以上，EL黑斑不良0.4％以下，EL黑點(diǎn)不良0.4％以下，電性能不良

0.35％以下。

附圖說明[0060] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例1?5和對比例1的技術(shù)方案流程圖。具體實(shí)施方式[0061] 下面結(jié)合附圖并通過具體實(shí)施方式來進(jìn)一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。但下述的實(shí)例僅僅是本發(fā)明的簡易例子，并不代表或限制本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，本發(fā)明的保護(hù)范圍

以權(quán)利要求書為準(zhǔn)。

[0062] 實(shí)施例1[0063] 本實(shí)施例提供一種太陽能電池的制備方法，所述制備方法包括以下步驟(如圖1所示)：

[0064] (1)通過制絨硅片表面形成陷光結(jié)構(gòu)，得到硅片A，其表面形成金字塔絨面，所述制絨得到絨面的反射率為10％；

[0065] (2)步驟(1)所述硅片A通過擴(kuò)散形成PN結(jié)，得到具有輕摻雜區(qū)域的硅片B，所述擴(kuò)散得到的具有輕摻雜區(qū)域的方阻為170Ω；

[0066] (3)通過SE步驟包括在步驟(2)所述硅片B的表面的輕摻雜區(qū)域形成選擇性重?fù)诫s區(qū)域，得到硅片C，所述重?fù)诫s區(qū)域的方阻為50Ω；

[0067] (4)對步驟(3)所述硅片C進(jìn)行鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG，得到硅片D，所述鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG使用鏈?zhǔn)皆O(shè)備，按電池片傳送方向依次進(jìn)行硝酸質(zhì)量濃度為

65％、溫度為100℃的氧化6min、氫氧化鉀溶液質(zhì)量濃度為1％的堿洗、水洗、溶液的質(zhì)量分

數(shù)為5％的去PSG、使用滾輪帶液的方式去除電池片非擴(kuò)散面的氧化層、水洗和烘干；

[0068] (5)通過15％質(zhì)量濃度的氫氧化鉀溶液進(jìn)行所述堿拋光清洗刻蝕，使用氫氧化鉀溶液步驟(4)所述硅片D的背面，得到硅片E，所述堿拋光后背面反射率為45％；

[0069] (6)通過熱氧化退火，氧化溫度為700℃，氧化步驟(5)所述硅片F(xiàn)的擴(kuò)散面20min，形成二氧化硅膜層，得到硅片F(xiàn)；

[0070] (7)背鈍化包括步驟(6)所述硅片F(xiàn)通過PECD氧化鋁，疊加氮化硅膜層，得到總膜厚為130nm的氮化硅膜層；

[0071] (8)正面減反射包括通過PECD步驟(7)所述硅片G的擴(kuò)散面，在正面形成氮化硅減反射膜，得到氮化硅膜厚為70nm的硅片H；

[0072] (9)激光開槽為包括使用激光打穿步驟(8)所述硅片的背面鈍化層，制備接觸孔，得到硅片I；

[0073] (10)在步驟(9)所述硅片I的背面絲網(wǎng)印刷金屬漿料，再進(jìn)行燒結(jié)使得金屬漿料和硅片形成歐姆接觸，得到電池片；

[0074] (11)電注入步驟(10)所述電池片得到太陽能電池，通過電注入的方式激發(fā)氫鍵，提升電池片效率。

[0075] 實(shí)施例2[0076] 本實(shí)施例提供一種太陽能電池的制備方法，所述制備方法包括以下步驟(如圖1所示)：

[0077] (1)通過制絨硅片表面形成陷光結(jié)構(gòu)，得到硅片A，其表面形成金字塔絨面，所述制絨得到絨面的反射率為8％；

[0078] (2)步驟(1)所述硅片A通過擴(kuò)散形成PN結(jié)，得到具有輕摻雜區(qū)域的硅片B，所述擴(kuò)散得到的具有輕摻雜區(qū)域的方阻為110Ω；

[0079] (3)通過SE步驟包括在步驟(2)所述硅片B的表面的輕摻雜區(qū)域形成選擇性重?fù)诫s區(qū)域，得到硅片C，所述重?fù)诫s區(qū)域的方阻為80Ω；

[0080] (4)對步驟(3)所述硅片C進(jìn)行鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG，得到硅片D，所述鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG使用鏈?zhǔn)皆O(shè)備，按電池片傳送方向依次進(jìn)行硝酸質(zhì)量濃度為

60％、溫度為120℃的氧化2min、氫氧化鉀溶液質(zhì)量濃度為2％的堿洗、水洗、溶液的質(zhì)量分

數(shù)為8％的HF溶液去PSG、使用滾輪帶液的方式去除電池片非擴(kuò)散面的氧化層、水洗和烘干；

[0081] (5)通過10％質(zhì)量濃度的氫氧化鉀溶液進(jìn)行堿拋光清洗刻蝕步驟(4)所述硅片D的背面，得到硅片E，所述堿拋光后背面反射率為38％；

[0082] (6)通過熱氧化退火，氧化溫度為650℃，氧化步驟(5)所述硅片F(xiàn)的擴(kuò)散面25min，形成二氧化硅膜層，得到硅片F(xiàn)；

[0083] (7)背鈍化包括步驟(6)所述硅片F(xiàn)通過PECD氧化鋁，疊加氮化硅膜層，得到總膜厚為120nm的氮化硅膜層；

[0084] (8)正面減反射包括通過PECD步驟(7)所述硅片G的擴(kuò)散面，在正面形成氮化硅減反射膜，得到氮化硅膜厚為85nm的硅片H；

[0085] (9)激光開槽包括使用激光打穿步驟(8)所述硅片的背面鈍化層，形成接觸孔，得到硅片I；

[0086] (10)在步驟(9)所述硅片I的背面絲網(wǎng)印刷金屬漿料，再進(jìn)行燒結(jié)使得金屬漿料和硅片形成歐姆接觸，得到電池片；

[0087] (11)電注入步驟(10)所述電池片得到太陽能電池，通過電注入的方式激發(fā)氫鍵，提升電池片效率。

[0088] 實(shí)施例3[0089] 本實(shí)施例提供一種太陽能電池的制備方法，所述制備方法包括以下步驟(如圖1所示)：

[0090] (1)通過制絨硅片表面形成陷光結(jié)構(gòu)，得到硅片A，本表面形成金字塔絨面，所述制絨得到絨面的反射率為9％；

[0091] (2)步驟(1)所述硅片A通過擴(kuò)散形成PN結(jié)，得到具有輕摻雜區(qū)域的硅片B，所述擴(kuò)散得到的具有輕摻雜區(qū)域的方阻為140Ω；

[0092] (3)通過SE步驟包括在步驟(2)所述硅片B的表面的輕摻雜區(qū)域形成選擇性重?fù)诫s區(qū)域，得到硅片C，所述重?fù)诫s區(qū)域的方阻為60Ω；

[0093] (4)對步驟(3)所述硅片C進(jìn)行鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG，得到硅片D，所述鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG使用鏈?zhǔn)皆O(shè)備，按電池片傳送方向依次進(jìn)行硝酸質(zhì)量濃度為

70％、溫度為80℃的氧化4min、氫氧化鉀溶液質(zhì)量濃度為1％的堿洗、水洗、溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)

為15％的氫氟酸溶液的去PSG、使用滾輪帶液的方式去除電池片非擴(kuò)散面的氧化層、水洗和

烘干；

[0094] (5)通過11％質(zhì)量濃度的氫氧化鈉溶液進(jìn)行堿拋光清洗刻蝕步驟(4)所述硅片D的背面，得到硅片E，所述堿拋光后背面反射率為41％；

[0095] (6)通過熱氧化退火，氧化溫度為750℃，氧化步驟(5)所述硅片F(xiàn)的擴(kuò)散面15min，形成二氧化硅膜層，得到硅片F(xiàn)；

[0096] (7)背鈍化包括步驟(6)所述硅片F(xiàn)通過PECD氧化鋁，疊加氮化硅膜層，得到總膜厚為150nm的氮化硅膜層；

[0097] (8)正面減反射包括通過PECD步驟(7)所述硅片G的擴(kuò)散面，在正面形成氮化硅減反射膜，得到氮化硅膜厚為65nm的硅片H；

[0098] (9)激光開槽包括使用激光打穿步驟(8)所述硅片的背面鈍化層，制備接觸孔，得到硅片I；

[0099] (10)在步驟(9)所述硅片I的背面絲網(wǎng)印刷金屬漿料，再進(jìn)行燒結(jié)使得金屬漿料和硅片形成歐姆接觸，得到電池片；

[0100] (11)電注入步驟(10)所述電池片得到太陽能電池，通過電注入的方式激發(fā)氫鍵，提升電池片效率。

[0101] 實(shí)施例4[0102] 本實(shí)施例提供一種太陽能電池的制備方法，所述制備方法包括以下步驟(如圖1所示)：

[0103] (1)通過制絨硅片表面形成陷光結(jié)構(gòu)，得到硅片A，本表面形成金字塔絨面，所述制絨得到絨面的反射率為8％；

[0104] (2)步驟(1)所述硅片A通過擴(kuò)散形成PN結(jié)，得到具有輕摻雜區(qū)域的硅片B，所述擴(kuò)散得到的具有輕摻雜區(qū)域的方阻為155Ω；

[0105] (3)通過SE步驟包括在步驟(2)所述硅片B的表面的輕摻雜區(qū)域形成選擇性重?fù)诫s區(qū)域，得到硅片C，所述重?fù)诫s區(qū)域的方阻為65Ω；

[0106] (4)對步驟(3)所述硅片C進(jìn)行鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG，得到硅片D，所述鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG使用鏈?zhǔn)皆O(shè)備，按電池片傳送方向依次進(jìn)行硝酸質(zhì)量濃度為

62％、溫度為90℃的氧化8min、氫氧化鉀溶液質(zhì)量濃度為2％的堿洗、水洗、溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)

為10％的HF的去PSG、使用滾輪帶液的方式去除電池片非擴(kuò)散面的氧化層、水洗和烘干；

[0107] (5)通過12％質(zhì)量濃度的氫氧化鈉溶液進(jìn)行堿拋光清洗刻蝕步驟(4)所述硅片D的背面，得到硅片E，所述堿拋光后背面反射率為40％；

[0108] (6)通過熱氧化退火，氧化溫度為720℃，氧化步驟(5)所述硅片F(xiàn)的擴(kuò)散面17min，形成二氧化硅膜層，得到硅片F(xiàn)；

[0109] (7)背鈍化包括步驟(6)所述硅片F(xiàn)通過PECD氧化鋁，疊加氮化硅膜層，得到總膜厚為140nm的氮化硅膜層；

[0110] (8)正面減反射包括通過PECD步驟(7)所述硅片G的擴(kuò)散面，在正面形成氮化硅減反射膜，得到氮化硅膜厚為75nm的硅片H；

[0111] (9)激光開槽包括使用激光打穿步驟(8)所述硅片的背面鈍化層，形成接觸孔，得到硅片I；

[0112] (10)在步驟(9)所述硅片I的背面絲網(wǎng)印刷金屬漿料，再進(jìn)行燒結(jié)使得金屬漿料和硅片形成歐姆接觸，得到電池片；

[0113] (11)電注入步驟(10)所述電池片得到太陽能電池，通過電注入的方式激發(fā)氫鍵，提升電池片效率。

[0114] 實(shí)施例5[0115] 本實(shí)施例提供一種鋰離子電池負(fù)極材料的制備方法，所述制備方法包括以下步驟(如圖1所示)：

[0116] (1)通過制絨硅片表面形成陷光結(jié)構(gòu)，得到硅片A，本實(shí)例形成金字塔絨面，所述制絨得到絨面的反射率為9％；

[0117] (2)步驟(1)所述硅片A通過擴(kuò)散形成PN結(jié)，得到具有輕摻雜區(qū)域的硅片B，所述擴(kuò)散得到的具有輕摻雜區(qū)域的方阻為125Ω；

[0118] (3)通過SE步驟在步驟(2)所述硅片B的表面的輕摻雜區(qū)域形成選擇性重?fù)诫s區(qū)域，得到硅片C，所述重?fù)诫s區(qū)域的方阻為70Ω；

[0119] (4)對步驟(3)所述硅片C進(jìn)行鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG，得到硅片D，所述鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG使用鏈?zhǔn)皆O(shè)備，按電池片傳送方向依次進(jìn)行硝酸質(zhì)量濃度為

67％、溫度為110℃的氧化6min、氫氧化鈉溶液質(zhì)量濃度為3％的堿洗、水洗、溶液的質(zhì)量分

數(shù)為6％的HF的去PSG、使用滾輪帶液的方式去除電池片非擴(kuò)散面的氧化層、水洗和烘干；

[0120] (5)通過14％質(zhì)量濃度的氫氧化鈉溶液進(jìn)行堿拋光清洗刻蝕步驟(4)所述硅片D的背面，得到硅片E，所述堿拋光后背面反射率為43％；

[0121] (6)通過熱氧化退火，氧化溫度為680℃，氧化步驟(5)所述硅片F(xiàn)的擴(kuò)散面23min，形成二氧化硅膜層，得到硅片F(xiàn)；

[0122] (7)背鈍化包括步驟(6)所述硅片F(xiàn)通過PECD氧化鋁，疊加氮化硅膜層，得到總膜厚為125nm的硅片G；

[0123] (8)正面減反射包括通過PECD步驟(7)所述硅片G的擴(kuò)散面，在正面形成氮化硅減反射膜，得到氮化硅膜厚為85nm的硅片H；

[0124] (9)激光開槽包括使用激光打穿步驟(8)所述硅片的背面鈍化層，形成接觸孔，得到硅片I；

[0125] (10)在步驟(9)所述硅片I的背面絲網(wǎng)印刷金屬漿料，再進(jìn)行燒結(jié)使得金屬漿料和硅片形成歐姆接觸，得到電池片；

[0126] (11)電注入步驟(10)所述電池片得到太陽能電池，通過電注入的方式激發(fā)氫鍵，提升電池片效率。

[0127] 對比例1[0128] 本對比例將步驟(4)中的硝酸替換為臭氧，溫度替換為常溫，使用常溫臭氧氧化堿拋光工藝，其他條件均與實(shí)施例1相同。

[0129] 對比例2[0130] 本對比例將步驟(4)鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG步驟替換為常規(guī)的管式熱氧化堿拋光工藝，其他條件均與實(shí)施例1相同。

[0131] 對比例3[0132] 本對比例將步驟(4)鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG步驟替換為常規(guī)的鏈?zhǔn)綗嵫趸瘔A拋光工藝，其他條件均與實(shí)施例1相同。

[0133] 對實(shí)施例1?5以及對比例1?3進(jìn)行電性能以及成品率的測試，其結(jié)果如表1所示。[0134] 其它不良包括劃傷、缺角和印刷。EL不良是使用行業(yè)通用的哲為EL測試機(jī)。[0135] 表1[0136][0137][0138] 通過上述結(jié)果可以看出，對比例1與實(shí)施例1?5相比，將硝酸替換為臭氧進(jìn)行堿拋光，合格率下降，不良率上升，Uoc、Isc、FF和Ncell也下降了，對比例2將鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩?br />
式濕法去PSG步驟替換為常規(guī)的管式熱氧化堿拋光工藝，同樣導(dǎo)致了合格率的下降，對比例

3將鏈?zhǔn)綕穹ㄑ趸玩準(zhǔn)綕穹ㄈSG步驟替換為常規(guī)的鏈?zhǔn)綗嵫趸瘔A拋光工藝，合格率低于

實(shí)施例1?5。因此，疊加SE的堿拋光高效太陽能電池的制備方法，使氧化層生長均勻致密，為

太陽電池提供了良好的電化學(xué)性能。

[0139] 申請人聲明，本發(fā)明通過上述實(shí)施例來說明本發(fā)明的詳細(xì)結(jié)構(gòu)特征，但本發(fā)明并不局限于上述詳細(xì)結(jié)構(gòu)特征，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述詳細(xì)結(jié)構(gòu)特征才能實(shí)施。所

屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明了，對本發(fā)明的任何改進(jìn)，對本發(fā)明所選用部件的等效替換

以及輔助部件的增加、具體方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍和公開范圍之內(nèi)。