權(quán)利要求書(shū)： 1.一種層疊太陽(yáng)能電池，其特征在于，包括：

光吸收層組，包括激發(fā)層、設(shè)置在所述激發(fā)層的第一側(cè)面的第一電子傳輸層組和設(shè)置在所述激發(fā)層的第二側(cè)面的第一空穴傳輸層組，異質(zhì)結(jié)層組，所述異質(zhì)結(jié)層組的第一側(cè)面為第二電子傳輸層并且與所述第一空穴傳輸層組接觸，所述異質(zhì)結(jié)層組的第二側(cè)面為第二空穴傳輸層，所述第一空穴傳輸層組包括與所述激發(fā)層接觸的空穴傳輸層，與所述空穴傳輸層接觸的PN節(jié)，與所述PN節(jié)接觸的第一光傳輸層，所述第一光傳輸層與所述第二電子傳輸層接觸，所述第一光傳輸層的折射率小于所述第二電子傳輸層的折射率；

其中，在太陽(yáng)光的照射下，所述激發(fā)層和異質(zhì)結(jié)層組均被激發(fā)，所述激發(fā)層生產(chǎn)生的電子經(jīng)所述第一電子傳輸層傳出所述層疊太陽(yáng)能電池；所述激發(fā)層產(chǎn)生的空穴通過(guò)所述第一空穴傳輸層組流向所述異質(zhì)結(jié)層組并與所述異質(zhì)結(jié)層組產(chǎn)生的電子復(fù)合，所述異質(zhì)結(jié)層組產(chǎn)生的空穴從所述第二空穴傳輸層傳出所述層疊太陽(yáng)能電池。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述第一光傳輸層的折射率在

1.15?1.35之間，厚度在50nm?200nm之間；

所述第二空穴傳輸層的折射率在3.5?4.2之間，厚度在0?30nm之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的層疊太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述第一光傳輸層包括：與所述PN節(jié)接觸的第一導(dǎo)電層，

與所述第一導(dǎo)電層接觸的第一保護(hù)層，

與所述第一保護(hù)層接觸的第二導(dǎo)電層，

與所述第二導(dǎo)電層接觸的第二保護(hù)層，以及

與所述第二保護(hù)層接觸的光出射層，

所述第一導(dǎo)電層具有第一折射率n1和第一厚度d1，所述第一保護(hù)層具有第二折射率n2和第二厚度d2，所述第二導(dǎo)電層具有第三折射率n3和第三厚度d3，所述第二保護(hù)層具有第四折射率n4和第四厚度d4，所述光出射層具有第五折射率n5和第五厚度d5，其中，n1在1.8?2.1之間，d1在20nm?80nm；n2在0.1?5之間，d2在0.5nm?10nm之間；n3在

0.1?1.5之間，d3在5nm?50nm之間；n4在1.3?2.1之間，d4在0.5nm?25nm之間；n5在1.4?2.4之間，d5在20nm?80nm之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的層疊太陽(yáng)能電池，其特征在于，

所述第一導(dǎo)電層包括導(dǎo)電金屬氧化物，

所述第一保護(hù)層包括金屬、能導(dǎo)電的金屬氧化物和能導(dǎo)電的金屬氮化物中的一種；

所述第二導(dǎo)電層包括導(dǎo)電材料以及金屬氧化物和/或金屬氮化物；

所述第二保護(hù)層包括非金屬氧化物、金屬氮化物和金屬氧化物中的一種；

所述光出射層包括非金屬的氧化物、氮化物、硫化物、氟化物和碳化物中的一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的層疊太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層的材料選自In2O3、SnO2、ZnO、ITO、AZO、IZO、ITiO、IZTO和FTO中的一種；

所述第一保護(hù)層的材料選自Si、Ti、Al、Ni、Cr、NiCr、TiN、ZnO、TiO2、SnO2、SiO2、Nb2O5、Ta2O5和Si3N4中的一種；

所述第二導(dǎo)電層的導(dǎo)電材料選自Ag、Cu、Al、Mo、Ag合金、Cu合金、Al合金和Mo合金中的一種，還含有由所述第二導(dǎo)電層的導(dǎo)電材料的氧化物和/或氮化物形成的夾雜物；

所述第二保護(hù)層的材料選自TiN、ZnO、TiO2、SnO2、SiO2、Si3N4、AZO、IZO和YZO中的一種；

所述光出射層的材料選自TiO2、SnO2、ZnO、Nb2O5、Ta2O5、Si3N4、ZnS，SiO2、Al2O3、MgF，MgS、SiC、AZO、GZO和YZO中的一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1到5中任一項(xiàng)所述的層疊太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述異質(zhì)結(jié)層組包括：N型Si晶片；

處于所述N型Si晶片的第一表面上的第一本征非晶硅層，所述第一本征非晶硅層中摻雜有氧；

處于所述第一本征非晶硅層上的N型非晶硅層，所述N型非晶硅層形成所述第二電子傳輸層；

處于所述N型Si晶片的第二表面上的第二本征非晶硅層，所述第二本征非晶硅層與所述第一本征非晶硅層相同；

處于所述第二本征非晶硅層上的P型非晶硅層，所述P型非晶硅層形成所述第二空穴傳輸層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的層疊太陽(yáng)能電池，其特征在于，在所述第一本征非晶硅層中，氧的含量為0～30wt％之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的層疊太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述P型非晶硅層的外側(cè)還設(shè)置有第二光傳輸層，所述第二光傳輸層與所述第一光傳輸層相同，所述P型非晶硅層的折射率在3.2?3.8之間，厚度在0?60nm之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1到5中任一項(xiàng)所述的層疊太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述PN節(jié)包括與所述第一光傳輸層接觸的N型納米硅層和處于所述N型納米硅層上的P型納米硅層，所述P型納米硅層與所述空穴傳輸層接觸。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述第一電子傳輸層組包括與所述激發(fā)層接觸的電子傳輸層和與所述電子傳輸層接觸的導(dǎo)電層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的層疊太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述導(dǎo)電層的材料為In2O3，摻雜物為Ga2O3、ZnO2、CeO2、TiO2、Mo2O3、ZrO2和WO2中的一種或多種，其中In2O3的重量含量為

80wt％～100wt％之間，余量為摻雜物和不可避免的雜質(zhì)；或所述導(dǎo)電層的材料為ZnO，摻雜物為SnO2、Al2O3、Ga2O3、B2O3中的一種或多種，其中ZnO的重量含量為80wt％～100wt％之間，余量為摻雜物和不可避免的雜質(zhì)。

說(shuō)明書(shū)： 一種層疊太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本申請(qǐng)涉及光伏領(lǐng)域，特別是涉及一種層疊太陽(yáng)能電池。背景技術(shù)[0002] 太陽(yáng)能電池是一種利用太陽(yáng)光直接發(fā)電的光電半導(dǎo)體薄片。太陽(yáng)能電池的基本原理是太陽(yáng)光照在半導(dǎo)體p?n結(jié)上，形成空穴?電子對(duì)，在p?n結(jié)內(nèi)建電場(chǎng)的作用下，光生空穴流向p區(qū)，光生電子流向n區(qū)，接通電路后就產(chǎn)生電流。目前，太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率較低，需要改進(jìn)。發(fā)明內(nèi)容[0003] 為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提出了一種層疊太陽(yáng)能電池，包括：光吸收層組，包括激發(fā)層、設(shè)置在所述激發(fā)層的第一側(cè)面的第一電子傳輸層組和設(shè)置在所述激發(fā)層的第二側(cè)面的第一空穴傳輸層組，異質(zhì)結(jié)層組，所述異質(zhì)結(jié)層組的第一側(cè)面為第二電子傳輸層并且與所述第一空穴傳輸層組接觸，所述異質(zhì)結(jié)層組的第二側(cè)面為第二空穴傳輸層，其中，在太陽(yáng)光的照射下，所述激發(fā)層和異質(zhì)結(jié)層組均被激發(fā)，所述激發(fā)層生產(chǎn)生的電子經(jīng)所述第一電子傳輸層傳出所述層疊太陽(yáng)能電池；所述激發(fā)層產(chǎn)生的空穴通過(guò)所述第一空穴傳輸層組流向所述異質(zhì)結(jié)層組并與所述異質(zhì)結(jié)層組產(chǎn)生的電子復(fù)合，所述異質(zhì)結(jié)層組產(chǎn)生的空穴從所述第二空穴傳輸層傳出所述層疊太陽(yáng)能電池。[0004] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一空穴傳輸層組包括與所述激發(fā)層接觸的空穴傳輸層，與所述空穴傳輸層接觸的PN節(jié)，與所述PN節(jié)接觸的第一光傳輸層，所述第一光傳輸層與所述第二電子傳輸層接觸，所述第一光傳輸層的折射率小于所述第二電子傳輸層的折射率。[0005] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一光傳輸層的折射率在1.15?1.35之間，厚度在50nm?200nm之間；所述第二電子傳輸層的折射率在3.5?4.2之間，厚度在0?30nm之間。

[0006] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一光傳輸層包括：與所述PN節(jié)接觸的第一導(dǎo)電層，與所述第一導(dǎo)電層接觸的第一保護(hù)層，與所述第一保護(hù)層接觸的第二導(dǎo)電層，與所述第二導(dǎo)電層接觸的第二保護(hù)層，以及與所述第二保護(hù)層接觸的光出射層，所述第一導(dǎo)電層具有第一折射率n1和第一厚度d1，所述第一保護(hù)層具有第二折射率n2和第二厚度d2，所述第二導(dǎo)電層具有第三折射率n3和第三厚度d3，所述第二保護(hù)層具有第四折射率n4和第四厚度d4，所述光出射層具有第五折射率n5和第五厚度d5，其中，n1在1.8?2.1之間，d1在20nm?80nm；n2在0.1?5之間，d2在0.5nm?10nm之間；n3在0.1?1.5之間，d3在5nm?50nm之間；n4在1.3?2.1之間，d4在0.5nm?25nm之間；n5在1.4?2.4之間，d5在20nm?80nm之間。

[0007] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層包括導(dǎo)電金屬氧化物，所述第一保護(hù)層包括金屬、能導(dǎo)電的金屬氧化物和能導(dǎo)電的金屬氮化物中的一種；所述第二導(dǎo)電層包括導(dǎo)電材料以及金屬氧化物和/或金屬氮化物；所述第二保護(hù)層包括非金屬氧化物、金屬氮化物和金屬氧化物中的一種；所述光出射層包括非金屬的氧化物、氮化物、硫化物、氟化物和碳化物中的一種。[0008] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層的材料選自In2O3、SnO2、ZnO、ITO、AZO、IZO、ITiO、IZTO和FTO中的一種；所述第一保護(hù)層的材料選自Si、Ti、Al、Ni、Cr、NiCr、TiN、ZnO、TiO2、SnO2、SiO2、Nb2O5、Ta2O5和Si3N4中的一種；所述第二導(dǎo)電層的導(dǎo)電材料選自Ag、Cu、Al、Mo、Ag合金、Cu合金、Al合金和Mo合金中的一種，還含有由所述第二導(dǎo)電層的導(dǎo)電材料的氧化物和/或氮化物形成的夾雜物；所述第二保護(hù)層的材料選自TiN、ZnO、TiO2、SnO2、SiO2、Si3N4、AZO、IZO和YZO中的一種；所述光出射層的材料選自TiO2、SnO2、ZnO、Nb2O5、Ta2O5、Si3N4、ZnS，SiO2、Al2O3、MgF，MgS、SiC、AZO、GZO和YZO中的一種。[0009] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述異質(zhì)結(jié)層組包括：N型Si晶片；處于所述N型Si晶片的第一表面上的第一本征非晶硅層，所述第一本征非晶硅層中摻雜有氧；處于所述第一本征非晶硅層上的N型非晶硅層，所述N型非晶硅層形成所述第二電子傳輸層；處于所述N型Si晶片的第二表面上的第二本征非晶硅層，所述第二本征非晶硅層與所述第一本征非晶硅層相同；處于所述第二本征非晶硅層上的P型非晶硅層，所述P型非晶硅層形成所述第二空穴傳輸層。[0010] 在一個(gè)實(shí)施例中，在所述第一本征非晶硅層中，氧的含量為0～30wt％之間。[0011] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述P型非晶硅層的外側(cè)還設(shè)置有第二光傳輸層，所述第二光傳輸層與所述第一光傳輸層相同，所述P型非晶硅層的折射率在3.2?3.8之間，厚度在0?60nm之間。[0012] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述PN節(jié)包括與所述第一光傳輸層接觸的N型納米硅層和處于所述N型納米硅層上的P型納米硅層，所述P型納米硅層與所述空穴傳輸層接觸。[0013] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一電子傳輸層組包括與所述激發(fā)層接觸的電子傳輸層和與所述電子傳輸層接觸的導(dǎo)電層。[0014] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述導(dǎo)電層的材料為In2O3，摻雜物為Ga2O3、ZnO2、CeO2、TiO2、Mo2O3、ZrO2和WO2中的一種或多種，其中In2O3的重量含量為80wt％～100wt％之間，余量為摻雜物和不可避免的雜質(zhì)；或所述導(dǎo)電層的材料為ZnO，摻雜物為SnO2、Al2O3、Ga2O3、B2O3中的一種或多種，其中ZnO的重量含量為80wt％～100wt％之間，余量為摻雜物和不可避免的雜質(zhì)。[0015] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果如下：在本申請(qǐng)的層疊太陽(yáng)能電池中，異質(zhì)結(jié)層組對(duì)光吸收層組激發(fā)產(chǎn)生的空穴?電子對(duì)的數(shù)量起到了放大作用，從而極大地提高了層疊太陽(yáng)能電池的效率。附圖說(shuō)明[0016] 此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本申請(qǐng)的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，本申請(qǐng)的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本申請(qǐng)，并不構(gòu)成對(duì)本申請(qǐng)的不當(dāng)限定。在附圖中：[0017] 圖1示意性地顯示了根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例的層疊太陽(yáng)能電池。[0018] 圖2示意性地顯示了圖1中的第一或第二光傳輸層的結(jié)構(gòu)。具體實(shí)施方式[0019] 為使本申請(qǐng)的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本申請(qǐng)具體實(shí)施例及相應(yīng)的附圖對(duì)本申請(qǐng)技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本申請(qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。[0020] 圖1示意性地顯示了根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)實(shí)施例的層疊太陽(yáng)能電池1的結(jié)構(gòu)。如圖1所示，層疊太陽(yáng)能電池1包括：光吸收層組10和處于光吸收層組10內(nèi)側(cè)(即，遠(yuǎn)離外界環(huán)境的方向)并與其接觸的異質(zhì)結(jié)層組20。光吸收層組10包括激發(fā)層11、設(shè)置在激發(fā)層11的第一側(cè)面的第一電子傳輸層組12和設(shè)置在激發(fā)層11的第二側(cè)面的第一空穴傳輸層組13。異質(zhì)結(jié)層組20的第一側(cè)面為第二電子傳輸層203，其與第一空穴傳輸層組13接觸。異質(zhì)結(jié)層組20的第二側(cè)面為第二空穴傳輸層205。[0021] 在這種層疊太陽(yáng)能電池1中，在太陽(yáng)光的照射下，激發(fā)層11和異質(zhì)結(jié)層組20均被激發(fā)。激發(fā)層11生產(chǎn)生的電子經(jīng)第一電子傳輸層12傳出層疊太陽(yáng)能電池1。激發(fā)層11產(chǎn)生的空穴通過(guò)第一空穴傳輸層組13流向異質(zhì)結(jié)層組20并與異質(zhì)結(jié)層組20產(chǎn)生的電子復(fù)合。異質(zhì)結(jié)層組20產(chǎn)生的空穴從第二空穴傳輸層205傳出層疊太陽(yáng)能電池1。這樣，異質(zhì)結(jié)層組20對(duì)光吸收層組10激發(fā)產(chǎn)生的空穴?電子對(duì)的數(shù)量起到了放大作用，從而極大地提高了層疊太陽(yáng)能電池1的效率。[0022] 在一個(gè)實(shí)施例中，第一空穴傳輸層組13包括與激發(fā)層11接觸的空穴傳輸層40，與空穴傳輸層40接觸的PN節(jié)42，與PN節(jié)42接觸的第一光傳輸層41。第一光傳輸層41與第二電子傳輸層203接觸，第一光傳輸層41的折射率小于第二電子傳輸層203的折射率。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，PN節(jié)42在太陽(yáng)光的照射下也會(huì)激發(fā)，從而會(huì)進(jìn)一步放大光吸收層組10激發(fā)產(chǎn)生的空穴?電子對(duì)的數(shù)量，由此進(jìn)一步提高了疊層太陽(yáng)能電池1的效率。另外，由于第一光傳輸層41的折射率小于第二電子傳輸層203的折射率，因此形成了增透層，這有助于太陽(yáng)能盡可能地照射到層疊太陽(yáng)能電池1的內(nèi)部(即，更多的太陽(yáng)光照射到異質(zhì)結(jié)層組20)，并有助于異質(zhì)結(jié)層組20的激發(fā)，提高了層疊太陽(yáng)能電池1的效率。[0023] 在一個(gè)實(shí)施例中，第一光傳輸層41的折射率在1.15?1.35之間，厚度在50nm?200nm；所述第二電子傳輸層203的折射率在3.5?4.2之間，厚度在0?30nm之間。應(yīng)理解的是，在本申請(qǐng)中，第二電子傳輸層203的厚度不等于零，而是會(huì)大于零。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，將第一光傳輸層41和第二電子傳輸層203設(shè)置在此參數(shù)范圍內(nèi)，能夠更有效地使太陽(yáng)光射入到層疊太陽(yáng)能電池1的內(nèi)部，從而有助于提高層疊太陽(yáng)能電池1的效率。

[0024] 如圖2所示，第一光傳輸層41包括：與PN節(jié)42接觸的第一導(dǎo)電層410，與第一導(dǎo)電層410接觸的第一保護(hù)層411，與第一保護(hù)層411接觸的第二導(dǎo)電層412，與第二導(dǎo)電層412接觸的第二保護(hù)層413，以及與第二保護(hù)層413接觸的光出射層414。即，第一導(dǎo)電層410、第一保護(hù)層411、第二導(dǎo)電層412、第二保護(hù)層413和光出射層414層疊設(shè)置，并且第一導(dǎo)電層410與PN節(jié)42電接觸，光出射層414與異質(zhì)結(jié)層組20接觸。

[0025] 第一導(dǎo)電層410具有第一折射率n1和第一厚度d1，第一保護(hù)層411具有第二折射率n2和第二厚度d2，第二導(dǎo)電層412具有第三折射率n3和第三厚度d3，第二保護(hù)層413具有第四折射率n4和第四厚度d4，光出射層414具有第五折射率n5和第五厚度d5。其中，n1在1.8?2.1之間，d1在20nm?80nm；n2在0.1?5之間，d2在0.5nm?10nm之間；n3在0.1?1.5之間，d3在

5nm?50nm之間；n4在1.3?2.1之間，d4在0.5nm?25nm之間；n5在1.4?2.4之間，d5在20nm?80nm之間。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過(guò)將第一光傳輸層41構(gòu)造為這些子層，可方便地將第一光傳輸層41的折射率在1.15?1.35之間調(diào)整，同時(shí)保持第一光傳輸層41的厚度在50nm到200nm之間。這樣，太陽(yáng)光能更有效地超地照射到層疊太陽(yáng)能1的內(nèi)部，以提高層疊太陽(yáng)能1的效率。

[0026] 應(yīng)理解的是，第一光傳輸層41的子層的數(shù)量可以更多或更少(甚至，可以為一層)，只要其厚度和折射率能滿足要求即可，這里不再贅述。[0027] 第一導(dǎo)電層410包括導(dǎo)電金屬氧化物，例如第一導(dǎo)電層410的材料選自In2O3、SnO2、ZnO、ITO、AZO、IZO、ITiO、IZTO和FTO中的一種。在ITO中，Sn2O摻雜重量百分比大于0且小于或等于50％；在IZO中，ZnO摻雜重量百分比大于0且小于或等于50％；在AZO中，Al2O3摻雜重量百分比大于0且小于或等于50％；在ITiO中，TiO2摻雜重量百分比大于0且小于或等于10％；在IZTO中，TiO2摻雜重量百分比大于0且小于或等于10％，ZnO摻雜重量百分比大于0且小于或等于40％，在FTO中，F(xiàn)摻雜重量百分比大于0且小于或等于10％。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，使用上述材料時(shí)，不但能夠?qū)崿F(xiàn)所要求的折射率，而且具有良好的導(dǎo)電性，降低電阻，有助于提高層疊太陽(yáng)能1的效率。

[0028] 第一保護(hù)層411包括金屬、能導(dǎo)電的金屬氧化物和能導(dǎo)電的金屬氮化物中的一種。例如，金屬可以為Si、Ti、Al、Ni、Cr和NiCr中的一種；金屬氧化物可以為ZnO、TiO2、SnO2、SiO2、Nb2O5、Ta2O5中的一種；金屬氮化物可以為T(mén)iN、Si3N4中的一種。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，第一保護(hù)層411選用這些材料不但可以實(shí)現(xiàn)所要求的折射率，而且具有良好的抗氧性能，這可以防止氧分子滲透到第二導(dǎo)電層412處，從而保證第二導(dǎo)電層412具有良好地導(dǎo)電性。此外，由于第一保護(hù)層411的厚度較小，金屬氧化物或金屬氮化物由于量子隧穿效應(yīng)也具有較好的導(dǎo)電性，有助于提高層疊太陽(yáng)能1的效率。

[0029] 第二導(dǎo)電層412包括導(dǎo)電材料以及不可避免的金屬氧化物和/或金屬氮化物夾雜。例如，導(dǎo)電材料選自Ag、Cu、Al、Mo、Ag合金、Cu合金、Al合金和Mo合金中的一種。在一個(gè)具體的實(shí)施例中，在Ag合金層中，Ag的重量比例大于50％，其余50％可以為Zn、Cu、In、Pt、Pd、Au、Nb、Nd、B、Bi、Ni等金屬元素一種；在Cu合金中，Cu的重量比例大于50％，其余50％可以為Zn、Ag、In、Pt、Pd、Au、Nb、Nd、B、Bi、Ni等金屬元素一種；在Mo合金層中，Mo的重量比例大于80％，其余20％可以為Zn、Cu、In、Pt、Pd、Au、Nb、Nd、B、Bi、Ni等金屬元素一種；在Al合金層中，Al的重量比例大于80％，其余20％可以為Zn、Cu、In、Pt、Pd、Au、Nb、Nd、B、Bi、Ni、等金屬元素一種。金屬氧化物和/或金屬氮化物夾雜則由在金屬靶材鍍膜過(guò)程中，通入的少量氧氣、氮?dú)馐菇饘倩蚝辖鹧趸?、氮化而形成。這些金屬或合金具有良好的導(dǎo)電性，即使含有少量的金屬氧化物和/或氮化物夾雜，也并不從整體上弱化第二導(dǎo)電層412的導(dǎo)電性。另外，這些金屬氧化物、金屬氮化物也改善了第二導(dǎo)電層412的光透過(guò)性。這有助于提高層疊太陽(yáng)能1的效率。

[0030] 第二保護(hù)層413包括非金屬氧化物、金屬氮化物和金屬氧化物中的一種。例如，非金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氧化物可以為T(mén)iN、ZnO、TiO2、SnO2、SiO2、Si3N4。這些化合物形成的第二保護(hù)層413具有良好的耐候性，而且防水性很好，提高了對(duì)第二導(dǎo)電層412的保護(hù)作用。由于第二保護(hù)層413的厚度較小，因此非金屬氧化物、金屬氮化物和金屬氧化物由于量子隧穿效應(yīng)也具有較好的導(dǎo)電性，這使得第二保護(hù)層413具有較好的導(dǎo)電性，有助于提高層疊太陽(yáng)能1的效率。[0031] 光出射層414包括非金屬的氧化物、氮化物、硫化物、氟化物、碳化物中的一種。例如，光出射層414的材料選自TiO2、SnO2、ZnO、Nb2O5、Ta2O5、Si3N4、ZnS，SiO2、Al2O3、MgF，MgS、SiC、AZO、GZO和YZO中的一種。這些材料的折射率較高，有助于達(dá)到光取出層200的折射率要求。另外，由于量子隧穿效應(yīng)，這些化合物也具有適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電性，這可以降低光出射層414(以及光取出層200)的電阻，有助于提高層疊太陽(yáng)能1的效率。[0032] 還如圖1所示，PN節(jié)42包括與第一光傳輸層41接觸的N型納米硅層420和處于N型納米硅層420上的P型納米硅層421，P型納米硅層421與空穴傳輸層40接觸。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，PN節(jié)42不但可以放大對(duì)激發(fā)層11的激發(fā)效果，而且可有效降低界面電阻，從而有助于提高層疊太陽(yáng)能1的效率。

[0033] 仍如圖1所示，異質(zhì)結(jié)層組20包括：N型Si晶片201；處于N型Si晶片201的第一表面上的第一本征非晶硅層202，第一本征非晶硅層202中摻雜有氧；處于第一本征非晶硅層202上的N型非晶硅層203，N型非晶硅層203形成前文所述第二電子傳輸層203；處于N型Si晶片201的第二表面上的第二本征非晶硅層204，第二本征非晶硅層204與第一本征非晶硅層201相同；處于第二本征非晶硅層204上的P型非晶硅層205，P型非晶硅層205形成第二空穴傳輸層205。發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，在這種異質(zhì)結(jié)層組20中，處于N型Si晶片201兩側(cè)的半導(dǎo)體層組都可以被激發(fā)，由此異質(zhì)結(jié)層組20的光激發(fā)效率較高，這有助于進(jìn)一步提高對(duì)光吸收層組10的光激發(fā)效果的放大作用，從而進(jìn)一步提高層疊太陽(yáng)能電池1的效率。此外，發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，在第一本征非晶硅層202和第二本征非晶硅層204中摻雜氧，這可增加第一本征非晶硅層202和第二本征非晶硅層204的透光度，從而進(jìn)一步有助于提高異質(zhì)結(jié)層組20的激發(fā)效果，這進(jìn)一步提高了層疊太陽(yáng)能電池1的效率。

[0034] 在一個(gè)具體的實(shí)施例中，在第一本征非晶硅層202中，氧的含量為0～30wt％之間。應(yīng)注意的是，在第一本征非晶硅層202中，氧的含量是大于零的。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在這種氧摻雜濃度下，不但提高了第一本征非晶硅層202和第二本征非晶硅層204的透光性，而且Si不會(huì)全部化合成SiO2，使得第一本征非晶硅層202和第二本征非晶硅層204仍具有較高的電子/空穴傳輸效果，這進(jìn)一步提高了層疊太陽(yáng)能電池1的效率。

[0035] 還如圖1所示，P型非晶硅層205的外側(cè)還設(shè)置有第二光傳輸層30，第二光傳輸層與第一光傳輸層41相同；P型非晶硅層205的折射率3.2?3.8之間，厚度在0?60nm之間。應(yīng)注意的是，P型非晶硅層205的厚度是大于零的。在這種結(jié)構(gòu)中，將第二光傳輸層30和P型非晶硅層205(即，第二空穴傳輸層205)也形成了增透層，有助于太陽(yáng)光射入到異質(zhì)結(jié)層組20的內(nèi)部并激發(fā)，從而有助于提高層疊太陽(yáng)能電池1的效率。[0036] 第一電子傳輸層組12包括與激發(fā)層11接觸的電子傳輸層120和與電子傳輸層120接觸的導(dǎo)電層121。在一個(gè)具體的實(shí)施例中，導(dǎo)電層121的材料為In2O3，摻雜物為Ga2O3、ZnO2、CeO2、TiO2、Mo2O3、ZrO2和WO2中的一種或多種，其中In2O3的重量含量為80wt％～100wt％之間，余量為摻雜物和不可避免的雜質(zhì)；或?qū)щ妼?21的材料為ZnO，摻雜物為SnO2、Al2O3、Ga2O3、B2O3中的一種或多種，其中ZnO的重量含量為80wt％～100wt％之間，余量為摻雜物和不可避免的雜質(zhì)。相比于現(xiàn)有技術(shù)中使用的ITO，本申請(qǐng)的導(dǎo)電層121的材料不但透光性更好，而且導(dǎo)電性也更好，這有助于進(jìn)一步提高層疊太陽(yáng)能電池1的效率。[0037] 還應(yīng)理解的是，在導(dǎo)電層121的外側(cè)設(shè)置有第一金屬電極層50，在第二光傳輸層30的外側(cè)設(shè)置有第二金屬電極層60。第一電極層50和第二電極層60用于與外界導(dǎo)線聯(lián)通以導(dǎo)電，這里不再贅述。[0038] 實(shí)施例1：[0039] 對(duì)于光吸收層10，激發(fā)層11為鈣鈦礦光敏層FAPbI3。電子傳輸層120為SnO，厚度為20nm。導(dǎo)電層121為IMO(即：In2O3中摻雜Mo2O3，In2O3的含量為95wt％)，空穴傳輸層40為NiO。

[0040] 對(duì)于PN節(jié)42，P型納米硅層421的厚度為22nm；N型納米硅層420的厚度為28nm。[0041] 對(duì)于光傳輸層，第一光傳輸層41和第二光傳輸層30相同。第一導(dǎo)電層410為IZO，厚度為45nm，折射率為2.0；第一保護(hù)層411為T(mén)i，厚度為1nm，折射率為1.9；第二導(dǎo)電層412為AgIn與AgInOx的混合物，厚度為8nm，折射率為0.3；第二保護(hù)層413為ZnO，厚度為15nm，折射率為2.0；光出射層414為MgF，厚度為60nm，折射率為1.45。[0042] 對(duì)于異質(zhì)結(jié)層組20，N型Si晶片201的厚度0.2mm；第一本征非晶硅層202和第二本征非晶硅層204中，氧含量25wt％，厚度為10nm；N型非晶硅層203的厚度10nm；P型非晶硅層205的厚度10nm。

[0043] 第一金屬電極層50為Ag漿；第二金屬電極層60為Ag漿。[0044] 實(shí)施例1的層疊太陽(yáng)能電池的效率如表1所示。[0045] 實(shí)施例2：[0046] 對(duì)于光吸收層10，激發(fā)層11為鈣鈦礦光敏層FAPbI3。電子傳輸層120為ZnO，厚度為15nm。導(dǎo)電層121為IWO(即：In2O3中摻雜WO2，In2O3的含量為98wt％)，空穴傳輸層40為MoO3。

[0047] 對(duì)于PN節(jié)42，P型納米硅層421的厚度為20nm；N型納米硅層420的厚度為19nm。[0048] 對(duì)于光傳輸層，第一光傳輸層41和第二光傳輸層30相同。第一導(dǎo)電層410為ZnO，厚度為60nm，折射率為2.0；第一保護(hù)層411為Si，厚度為1nm，折射率為3.8；第二導(dǎo)電層412為AlTi與AlTiOx的混合物，厚度為15nm，折射率為1.0；第二保護(hù)層413為YZO，厚度為25nm，折射率為2.0；光出射層414為SiC，厚度為75nm，折射率為1.55。[0049] 對(duì)于異質(zhì)結(jié)層組20，N型Si晶片201的厚度0.2mm；第一本征非晶硅層202和第二本征非晶硅層204中，氧含量為20wt％，厚度為7nm；N型非晶硅層203的厚度10nm；P型非晶硅層205的厚度10nm。

[0050] 第一金屬電極層50為Ag漿；第二金屬電極層60為Ag漿。[0051] 實(shí)施例2的層疊太陽(yáng)能電池的效率如表1所示。[0052] 實(shí)施例3：[0053] 對(duì)于光吸收層10，激發(fā)層11為鈣鈦礦光敏層FAPbI3。電子傳輸層120為SnO2，厚度為15nm。導(dǎo)電層121為IWO(即：In2O3中摻雜WO2，In2O3的含量為90wt％)，空穴傳輸層40為WO3。[0054] 對(duì)于PN節(jié)42，P型納米硅層421的厚度為16nm；N型納米硅層420的厚度為25nm。[0055] 對(duì)于光傳輸層，第一光傳輸層41和第二光傳輸層30相同。第一導(dǎo)電層410為FTO，厚度為60nm，折射率為1.9；第一保護(hù)層411為Cr，厚度為1.5nm，折射率為2.7；第二導(dǎo)電層412為AgZn與AgZnOx的混合物，厚度為9nm，折射率為0.3；第二保護(hù)層413為T(mén)iO2，厚度為15nm，折射率為2.0；光出射層414為T(mén)a2O5，厚度為45nm，折射率為2.0。[0056] 對(duì)于異質(zhì)結(jié)層組20，N型Si晶片201的厚度0.2mm；第一本征非晶硅層202和第二本征非晶硅層204中，氧含量為30wt％，厚度為5nm；N型非晶硅層203的厚度10nm；P型非晶硅層205的厚度10nm。

[0057] 第一金屬電極層50為Ag漿；第二金屬電極層60為Ag漿。[0058] 實(shí)施例3的層疊太陽(yáng)能電池的效率如表1所示。[0059] 實(shí)施例4：[0060] 對(duì)于光吸收層10，激發(fā)層11為鈣鈦礦光敏層FAPbI3。電子傳輸層120為T(mén)iO2，厚度為7nm。導(dǎo)電層121為AGZO(即：ZnO中摻雜Al2O3和Ga2O3，ZnO的含量為96wt％，Al2O3的含量為2wt％，余量為Ga2O3和不可避免的雜質(zhì))，空穴傳輸層40為Cu2O。

[0061] 對(duì)于PN節(jié)42，P型納米硅層421的厚度為28nm；N型納米硅層420的厚度為10nm。[0062] 對(duì)于光傳輸層，第一光傳輸層41和第二光傳輸層30相同。第一導(dǎo)電層410為ITO，厚度為50nm，折射率為1.9；第一保護(hù)層411為SnO2，厚度為5nm，折射率為2.0；第二導(dǎo)電層412為CuNi與CuNiNx的混合物，厚度為20nm，折射率為0.9；第二保護(hù)層413為Si3N4，厚度為10nm，折射率為2.0；光出射層414為YZO，厚度為40nm，折射率為2.0。[0063] 對(duì)于異質(zhì)結(jié)層組20，N型Si晶片201的厚度0.2mm；第一本征非晶硅層202和第二本征非晶硅層204中，氧含量為15wt％，厚度為5nm；N型非晶硅層203的厚度10nm；P型非晶硅層205的厚度10nm。

[0064] 第一金屬電極層50為Ag漿；第二金屬電極層60為Ag漿。[0065] 實(shí)施例4的層疊太陽(yáng)能電池的效率如表1所示。[0066] 實(shí)施例5：[0067] 對(duì)于光吸收層10，激發(fā)層11為鈣鈦礦光敏層FAPbI3。電子傳輸層120為Al2O3，厚度為5nm。導(dǎo)電層121為BGZO(即：ZnO中摻雜B2O3和Ga2O3，ZnO的含量為98wt％，B2O3的含量為1wt％，余量為Ga2O3和不可避免的雜質(zhì))，空穴傳輸層40為CuO。

[0068] 對(duì)于PN節(jié)42，P型納米硅層421的厚度為25nm；N型納米硅層420的厚度為25nm。[0069] 對(duì)于光傳輸層，第一光傳輸層41和第二光傳輸層30相同。第一導(dǎo)電層410為ITiO，厚度為38nm，折射率為2.0；第一保護(hù)層411為Al，厚度為2nm，折射率為0.9；第二導(dǎo)電層412為AgAl與AgAlOx的混合物，厚度為7nm，折射率為0.3；第二保護(hù)層413為T(mén)iN，厚度為7nm，折射率為2.0；光出射層414為SnO2，厚度為40nm，折射率為2.0。[0070] 對(duì)于異質(zhì)結(jié)層組20，N型Si晶片201的厚度0.2mm；第一本征非晶硅層202和第二本征非晶硅層204中，氧含量為20wt％，厚度為6nm；N型非晶硅層203的厚度10nm；P型非晶硅層205的厚度10nm。

[0071] 第一金屬電極層50為Ag漿；第二金屬電極層60為Ag漿。[0072] 實(shí)施例5的層疊太陽(yáng)能電池的效率如表1所示。[0073] 對(duì)比例[0074] 對(duì)比例為現(xiàn)有技術(shù)中普通的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池。[0075] 激發(fā)層為鈣鈦礦光敏層FAPbI3。電子傳輸層為SnO2?？昭▊鬏攲訛镃uO。[0076] 對(duì)比例的層疊太陽(yáng)能電池的效率如表1所示。[0077] 表1[0078][0079] 如表1所示，根據(jù)本申請(qǐng)的實(shí)施例1?5的層疊太陽(yáng)能電池的效率較高，均在30％以上，而現(xiàn)有技術(shù)中的太陽(yáng)能電池的效率在20％左右，這說(shuō)明根據(jù)本申請(qǐng)的層疊太陽(yáng)能電池的效率更高。[0080] 以上所述僅為本申請(qǐng)的實(shí)施例而已，并不用于限制本申請(qǐng)。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本申請(qǐng)可以有各種更改和變化。凡在本申請(qǐng)的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請(qǐng)的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。