權(quán)利要求書： 1.一種太陽能電池制作方法，其特征在于，包括：提供一模具，其中，該模具的支架具有N行M列共N*M個(gè)間隔呈矩陣分布的固定槽；

針對(duì)每一固定槽，將一襯底固定于該固定槽，其中，所述襯底為鐵材料層；

對(duì)各所述襯底進(jìn)行清洗處理；

針對(duì)每一襯底，在該襯底相對(duì)的兩面分別制作保護(hù)層和阻擋層；

針對(duì)每一阻擋層，在該阻擋層的上方位置的一面制作電極層，其中，所述電極層為鉬材料層；

針對(duì)每一電極層，在該電極層的上方位置的一面制作吸收層；

針對(duì)每一吸收層，在該吸收層的上方位置的一面制作緩沖層，其中，所述緩沖層為三硫化二銦材料層、三硒化二銦材料層或硫化鋅材料層；

針對(duì)每一緩沖層，在該緩沖層的上方位置的一面制作高阻抗層；

針對(duì)每一高阻抗層，在該高阻抗層的上方位置的一面制作低阻抗層；

分離所述模具，以得到N*M片具有保護(hù)層、襯底、阻擋層、電極層、吸收層、緩沖層、高阻抗層以及低阻抗層的太陽能電池；

所述針對(duì)每一襯底，在該襯底相對(duì)的兩面分別制作保護(hù)層和阻擋層的步驟包括：針對(duì)每一襯底，在該襯底的下方位置的一面制作保護(hù)層；針對(duì)每一襯底，在該襯底的上方位置的一面制作阻擋層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池制作方法，其特征在于，所述針對(duì)每一吸收層，在該吸收層的上方位置的一面制作緩沖層的步驟包括：針對(duì)每一吸收層，在該吸收層的上方位置的一面通過物理氣相沉積法制作三硫化二銦材料層、三硒化二銦材料層或硫化鋅材料層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池制作方法，其特征在于，所述針對(duì)每一電極層，在該電極層的上方位置的一面制作吸收層的步驟包括：針對(duì)每一電極層，在該電極層的上方位置的一面制作銅銦鎵硒材料層，其中，所述銅銦鎵硒材料層作為吸收層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能電池制作方法，其特征在于，所述針對(duì)每一電極層，在該電極層的上方位置的一面制作吸收層的步驟還包括：針對(duì)每一銅銦鎵硒材料層，通過硒化氫對(duì)該銅銦鎵硒材料層進(jìn)行硒化處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能電池制作方法，其特征在于，所述針對(duì)每一電極層，在該電極層的上方位置的一面制作吸收層的步驟還包括：針對(duì)每一銅銦鎵硒材料層，通過硫化氫對(duì)該銅銦鎵硒材料層進(jìn)行硫化處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池制作方法，其特征在于，所述針對(duì)每一緩沖層，在該緩沖層的上方位置的一面制作高阻抗層的步驟包括：針對(duì)每一緩沖層，在該緩沖層的上方位置的一面通過物理氣相沉積法制作本征氧化鋅材料層，其中，所述本征氧化鋅材料層作為高阻抗層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池制作方法，其特征在于，所述針對(duì)每一高阻抗層，在該高阻抗層的上方位置的一面制作低阻抗層的步驟包括：針對(duì)每一高阻抗層，在該高阻抗層的上方位置的一面通過物理氣相沉積法制作參鋁氧化鋅材料層，其中，所述參鋁氧化鋅材料層作為低阻抗層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池制作方法，其特征在于，針對(duì)每一襯底，在該襯底的上方位置的一面制作阻擋層的步驟包括：針對(duì)每一襯底，在該襯底的上方位置的一面制作鎢鈦合金材料層，其中，該鎢鈦合金材料層作為阻擋層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽能電池制作方法，其特征在于，針對(duì)每一襯底，在該襯底的下方位置的一面制作保護(hù)層的步驟包括：針對(duì)每一襯底，在該襯底的下方位置的一面制作氮化鈦材料層、鉻材料層、鎳材料層、鎢鈦合金材料層和/或鎳釩合金材料層，其中，該氮化鈦材料層、鉻材料層、鎳材料層、鎢鈦合金材料層和/或鎳釩合金材料層作為保護(hù)層。

說明書： 太陽能電池制作方法技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種太陽能電池制作方法。背景技術(shù)[0002] 太陽能作為可再生、清潔能源，被廣泛關(guān)注。其中，通過半導(dǎo)體技術(shù)制造得到的太陽能電池因具有光電轉(zhuǎn)換特性，而作為太陽能應(yīng)用的一種常用器件。并且，太陽能電池的整

體發(fā)電效率取決于該太陽能電池的各區(qū)域中最低的光電轉(zhuǎn)換效率。也就是說，若太陽能電

池的均勻性較差，將導(dǎo)致部分區(qū)域具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率、部分區(qū)域具有較低的光電轉(zhuǎn)

換效率，進(jìn)而導(dǎo)致整體發(fā)電效率低的問題。

[0003] 經(jīng)發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中一般通過降低制造的太陽能電池的面積，以提高制造的太陽能電池的均勻性。但是，若通過現(xiàn)有技術(shù)實(shí)現(xiàn)單片或少量的太陽能電池的制造，

將存在產(chǎn)率低的問題。

發(fā)明內(nèi)容[0004] 有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種太陽能電池制作方法，以改善通過現(xiàn)有的方法以制作太陽能電池而存在產(chǎn)率低的問題。

[0005] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：[0006] 一種太陽能電池制作方法，包括：[0007] 提供一模具，其中，該模具的支架具有N行M列共N*M個(gè)間隔呈矩陣分布的固定槽；[0008] 針對(duì)每一固定槽，將一襯底固定于該固定槽，其中，所述襯底為鐵材料層；[0009] 針對(duì)每一襯底，在該襯底相對(duì)的兩面分別制作保護(hù)層和阻擋層；[0010] 針對(duì)每一阻擋層，在該阻擋層的上方位置的一面制作電極層，其中，所述電極層為鉬材料層；

[0011] 針對(duì)每一電極層，在該電極層的上方位置的一面制作吸收層；[0012] 針對(duì)每一吸收層，在該吸收層的上方位置的一面制作緩沖層，其中，所述緩沖層為三硫化二銦材料層、三硒化二銦材料層或硫化鋅材料層；

[0013] 針對(duì)每一緩沖層，在該緩沖層的上方位置的一面制作高阻抗層；[0014] 針對(duì)每一高阻抗層，在該高阻抗層的上方位置的一面制作低阻抗層；[0015] 分離所述模具，以得到N*M片具有保護(hù)層、襯底、阻擋層、電極層、吸收層、緩沖層、高阻抗層以及低阻抗層的太陽能電池。

[0016] 在本發(fā)明實(shí)施例較佳的選擇中，在上述太陽能電池制作方法中，所述針對(duì)每一吸收層，在該吸收層的上方位置的一面制作緩沖層的步驟包括：

[0017] 針對(duì)每一吸收層，在該吸收層的上方位置的一面通過物理氣相沉積法制作三硫化二銦材料層、三硒化二銦材料層或硫化鋅材料層。

[0018] 在本發(fā)明實(shí)施例較佳的選擇中，在上述太陽能電池制作方法中，所述針對(duì)每一電極層，在該電極層的上方位置的一面制作吸收層的步驟包括：

[0019] 針對(duì)每一電極層，在該電極層的上方位置的一面制作銅銦鎵硒材料層，其中，所述銅銦鎵硒材料層作為吸收層。

[0020] 在本發(fā)明實(shí)施例較佳的選擇中，在上述太陽能電池制作方法中，所述針對(duì)每一電極層，在該電極層的上方位置的一面制作吸收層的步驟還包括：

[0021] 針對(duì)每一銅銦鎵硒材料層，通過硒化氫對(duì)該銅銦鎵硒材料層進(jìn)行硒化處理。[0022] 在本發(fā)明實(shí)施例較佳的選擇中，在上述太陽能電池制作方法中，所述針對(duì)每一電極層，在該電極層的上方位置的一面制作吸收層的步驟還包括：

[0023] 針對(duì)每一銅銦鎵硒材料層，通過硫化氫對(duì)該銅銦鎵硒材料層進(jìn)行硫化處理。[0024] 在本發(fā)明實(shí)施例較佳的選擇中，在上述太陽能電池制作方法中，所述針對(duì)每一緩沖層，在該緩沖層的上方位置的一面制作高阻抗層的步驟包括：

[0025] 針對(duì)每一緩沖層，在該緩沖層的上方位置的一面通過物理氣相沉積法制作本征氧化鋅材料層，其中，所述本征氧化鋅材料層作為高阻抗層。

[0026] 在本發(fā)明實(shí)施例較佳的選擇中，在上述太陽能電池制作方法中，所述針對(duì)每一高阻抗層，在該高阻抗層的上方位置的一面制作低阻抗層的步驟包括：

[0027] 針對(duì)每一高阻抗層，在該高阻抗層的上方位置的一面通過物理氣相沉積法制作參鋁氧化鋅材料層，其中，所述參鋁氧化鋅材料層作為低阻抗層。

[0028] 在本發(fā)明實(shí)施例較佳的選擇中，在上述太陽能電池制作方法中，所述針對(duì)每一襯底，在該襯底相對(duì)的兩面分別制作保護(hù)層和阻擋層的步驟包括：

[0029] 針對(duì)每一襯底，在該襯底的下方位置的一面制作保護(hù)層；[0030] 針對(duì)每一襯底，在該襯底的上方位置的一面制作阻擋層。[0031] 在本發(fā)明實(shí)施例較佳的選擇中，在上述太陽能電池制作方法中，針對(duì)每一襯底，在該襯底的上方位置的一面制作阻擋層的步驟包括：

[0032] 針對(duì)每一襯底，在該襯底的上方位置的一面制作鎢鈦合金材料層，其中，該鎢鈦合金材料層作為阻擋層。

[0033] 在本發(fā)明實(shí)施例較佳的選擇中，在上述太陽能電池制作方法中，針對(duì)每一襯底，在該襯底的下方位置的一面制作保護(hù)層的步驟包括：

[0034] 針對(duì)每一襯底，在該襯底的下方位置的一面制作氮化鈦材料層、鉻材料層、鎳材料層、鎢鈦合金材料層和/或鎳釩合金材料層，其中，該氮化鈦材料層、鉻材料層、鎳材料層、鎢

鈦合金材料層和/或鎳釩合金材料層作為保護(hù)層。

[0035] 本發(fā)明提供的太陽能電池制作方法，通過采用具有N行M列共N*M個(gè)間隔呈矩陣分布的固定槽的模具以制作得到N*M片具有保護(hù)層、襯底、阻擋層、電極層、吸收層、緩沖層、高

阻抗層以及低阻抗層的太陽能電池，在保證總體受光面積不變的同時(shí)，可以使單片太陽能

電池的面積較小，從而保證各片太陽能電池的具有較高的均勻性，進(jìn)而改善通過現(xiàn)有技術(shù)

制造的太陽能電池因均勻性較差而存在發(fā)電效率低的問題。并且，可以實(shí)現(xiàn)N*M片太陽能電

池的同步制造，可以改善通過現(xiàn)有的方法以制作太陽能電池而存在產(chǎn)率低的問題。

[0036] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說明如下。

附圖說明[0037] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的太陽能電池制作方法的流程示意圖。[0038] 圖2為通過圖1所示的太陽能電池制作方法得到的太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。[0039] 圖3為圖1中步驟S130的流程示意圖。[0040] 圖4為通過圖3所示的太陽能電池制作方法得到的太陽能電池的部份結(jié)構(gòu)示意圖。[0041] 圖標(biāo)：100?太陽能電池；110?襯底；120?電極層；130?吸收層；140?緩沖層；150?高阻抗層；160?低阻抗層；170?保護(hù)層；180?阻擋層。

具體實(shí)施方式[0042] 為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例只

是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。通常在此處附圖中描述和示出的本發(fā)明

實(shí)施例的組件可以以各種不同的配置來布置和設(shè)計(jì)。

[0043] 因此，以下對(duì)在附圖中提供的本發(fā)明的實(shí)施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通

技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范

圍。

[0044] 應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。在本發(fā)明的描述

中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“設(shè)置”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是

固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接；可以是

直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通

技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

[0045] 如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種太陽能電池制作方法，以制作如圖2所示的太陽能電池100。其中，該太陽能電池制作方法可以包括步驟S110?步驟S190。下面將結(jié)合圖

1對(duì)該太陽能電池制作方法包括的各流程步驟進(jìn)行詳細(xì)的說明。

[0046] 步驟S110，提供一具有N行M列共N*M個(gè)間隔呈矩陣分布的固定槽的模具。[0047] 在本實(shí)施例中，所述模具可以包括載體和支架。所述支架設(shè)置于所述載體，且具有多個(gè)固定槽。所述多個(gè)固定槽可以呈N行M列矩陣分布，也就是說，所述固定槽可以為N*M個(gè)。

[0048] 可選地，所述固定槽的具體數(shù)量不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，例如，可以根據(jù)載體的尺寸、固定槽的尺寸等因素進(jìn)行設(shè)置。例如，在載體的尺寸為1.2m*

1.4m、固定槽的尺寸為156mm*156mm時(shí)，固定槽的數(shù)量可以為48個(gè)，也就是說，可以呈6行8列

分布。又例如，在載體的尺寸為1.1m*1.3m、固定槽的尺寸為156mm*156mm時(shí)，固定槽的數(shù)量

可以為48個(gè)，也就是說，可以呈6行8列分布。

[0049] 進(jìn)一步地，在考慮通過設(shè)置加熱機(jī)以避免進(jìn)行退火處理而導(dǎo)致制造效率降低的問題時(shí)，在載體的尺寸為1.2m*1.4m、固定槽的尺寸為156mm*156mm時(shí)，固定槽的數(shù)量可以為42

個(gè)，也就是說，可以呈6行7列分布。又例如，在載體的尺寸為1.1m*1.3m、固定槽的尺寸為

156mm*156mm時(shí)，固定槽的數(shù)量可以為30個(gè)，也就是說，可以呈5行6列分布。

[0050] 可以理解的是，在上述示例中，所述固定槽的尺寸為156mm*156mm，但不應(yīng)理解為所述固定槽的尺寸只能為156mm*156mm，根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求也可以是其它的尺寸，例如，也

可以是100mm*100mm、200mm*200mm等其它尺寸。

[0051] 步驟S120，針對(duì)每一固定槽，將一襯底110固定于該固定槽。[0052] 在本實(shí)施例中，可以提供N*M片襯底110，以分別固定于N*M個(gè)固定槽。其中，將各所述襯底110固定于各所述固定槽之后，可以對(duì)各所述襯底110進(jìn)行清洗處理，以避免雜質(zhì)對(duì)

制造的太陽能電池100的性能造成影響。

[0053] 可選地，對(duì)所述襯底110進(jìn)行清洗的方式不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，例如，可以包括，但不限于超聲清洗、高壓噴淋清洗、激光束清洗、冷凝噴霧清洗、干法清

洗以及等離子清洗中的一種或多種。

[0054] 可選地，所述襯底110的材料不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，例如，可以是鐵片、鋼片等金屬材料。在本實(shí)施例中，所述襯底110可以為鐵材料層。并且，還可以包

括有鉻、鎳等金屬材料，以形成不銹鋼片。

[0055] 步驟S130，針對(duì)每一襯底110，在該襯底110相對(duì)的兩面分別制作保護(hù)層170和阻擋層180。

[0056] 可選地，所述保護(hù)層170的材料不受限制，例如，可以包括，但不限于是氮化鈦材料層、鉻材料層、鎳材料層、鎢鈦合金材料層和/或鎳釩合金材料層。在一種實(shí)例中，可以是上

述各材料層中的任意一種，也可以是任意兩種的組合。其中，在鎢鈦合金材料層中，鎢和鈦

的質(zhì)量占比可以分別是90％和10％。在鎳釩合金材料層中，鎳和釩的質(zhì)量占比可以分別為

93％和7％。

[0057] 并且，在所述保護(hù)層170由兩種材料層構(gòu)成時(shí)，制作的順序不受限制，例如，在包括氮化鈦材料層和鉻材料層時(shí)，既可以是氮化鈦材料層位于鉻材料層和襯底110之間，也可以

是鉻材料層位于氮化鈦材料層和襯底110之間。

[0058] 進(jìn)一步地，為避免所述鐵材料層中的鐵離子或其它金屬離子擴(kuò)散至電極層120中，在本實(shí)施例中，還可以在所述鐵材料層的一面制作阻擋層180，阻止鐵離子或其它金屬離子

進(jìn)入位于所述阻擋層180的上方位置的一面。

[0059] 其中，所述阻擋層180的材料不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，只要能夠有效地阻止鐵離子或其它金屬離子的擴(kuò)散即可。在本實(shí)施例中，所述阻擋層180可以為鎢

鈦合金材料層。并且，在該鎢鈦合金材料層中，鎢和鈦的質(zhì)量占比可以分別是90％和10％。

[0060] 可選地，制作所述保護(hù)層170和所述阻擋層180的流程不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，例如，既可以是先制作所述保護(hù)層170，也可以是先制作所述阻擋層180，

還可以是同時(shí)進(jìn)行制作。在本實(shí)施例中，結(jié)合圖3，步驟S130可以包括步驟S131和步驟S133，

以得到如圖4所示結(jié)構(gòu)。

[0061] 步驟S131，針對(duì)每一襯底110，在該襯底110的下方位置的一面制作保護(hù)層170。[0062] 步驟S133，針對(duì)每一襯底110，在該襯底110的上方位置的一面制作阻擋層180。[0063] 在本實(shí)施例中，上述上方位置和下方位置是指基于附圖2和圖4中的各層結(jié)構(gòu)的相對(duì)位置形成的相對(duì)位置關(guān)系，而不是絕對(duì)位置關(guān)系，例如，如附圖2和圖4所示結(jié)構(gòu)倒置時(shí)，

所述保護(hù)層170可以是位于所述襯底110的上方位置的一面，對(duì)應(yīng)地，所述阻擋層180可以是

位于所述襯底110的下方位置的一面。同理，在后文中的上方位置等位置關(guān)系的描述，也應(yīng)

理解為是基于附圖中的各層結(jié)構(gòu)的相對(duì)位置關(guān)系，而不是絕對(duì)位置關(guān)系。

[0064] 步驟S140，針對(duì)每一阻擋層180，在該阻擋層180的上方位置的一面制作電極層120。

[0065] 在本實(shí)施例中，可以在每一阻擋層180的上方位置的一面制作電極層120，也就是說，可以在每一阻擋層180遠(yuǎn)離所述襯底110的一面制作電極層120。其中，所述電極層120可

以為鉬材料層，以實(shí)現(xiàn)與相鄰的吸收層130形成良好的歐姆接觸，以保證電流的有效傳導(dǎo)。

[0066] 可選地，制作所述電極層120的方式不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，例如，可以包括，但不限于磁控濺射法、化學(xué)氣相沉積法或者化學(xué)電鍍法。

[0067] 步驟S150，針對(duì)每一電極層120，在該電極層120的上方位置的一面制作吸收層130。

[0068] 在本實(shí)施例中，可以在每一電極層120的上方位置的一面制作吸收層130，也就是說，可以在每一電極層120遠(yuǎn)離所述阻擋層180的一面制作吸收層130。其中，所述吸收層130

可以用于對(duì)太陽光進(jìn)行吸收，并進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換以輸出電能。

[0069] 可選地，所述電極層120的材料不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，例如，可以根據(jù)制造成本或發(fā)電效率進(jìn)行設(shè)置。在本實(shí)施例中，所述吸收層130可以為銅銦鎵硒材

料層。通過將銅銦鎵硒材料層作為吸收層130，可以保證制造得到的太陽能電池100的發(fā)電

效率高、弱光性能好、溫度系數(shù)低以及穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。

[0070] 可選地，制作所述吸收層130的方式不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，例如，可以根據(jù)所述吸收層130的材料選擇一種制作方式。在本實(shí)施例中，在所述吸收層130

的材料為銅銦鎵硒時(shí)，可以通過磁控濺射法或電化學(xué)沉積法在所述電極層120的一面制作

銅銦鎵硒材料層。

[0071] 進(jìn)一步地，在將銅銦鎵硒材料層作為吸收層130時(shí)，為保證該銅銦鎵硒材料層能夠形成晶體膜，在本實(shí)施例中，還可以對(duì)所述銅銦鎵硒材料層進(jìn)行硒化處理或硫化處理。

[0072] 其中，進(jìn)行硒化處理時(shí)，可以采用硒化氫氣體對(duì)所述銅銦鎵硒材料層進(jìn)行處理。進(jìn)行硫化處理時(shí)，可以采用硫化氫氣體對(duì)所述銅銦鎵硒材料層進(jìn)行處理。

[0073] 并且，考慮到進(jìn)行硒化或硫化處理時(shí)，需要將所述銅銦鎵硒材料層置于高溫密閉環(huán)境中，因此，可以在其中充入氬氣或其它與銅、銦、鎵、硒不反應(yīng)的保護(hù)氣體，然后充入少

量的硒化氫氣體或硫化氫氣體。此時(shí)，所述保護(hù)層170可以有效地阻止硒化氫氣體或硫化氫

氣體對(duì)襯底110造成硒化或硫化，以保證襯底110的下方位置的一面作為電極時(shí)電阻不會(huì)過

高。

[0074] 步驟S160，針對(duì)每一吸收層130，在該吸收層130的上方位置的一面制作緩沖層140。

[0075] 在本實(shí)施例中，可以在每一吸收層130的上方位置的一面制作緩沖層140，也就是說，可以在每一吸收層130遠(yuǎn)離所述電極層120的一面制作緩沖層140，以對(duì)位于該緩沖層

140的兩側(cè)的吸收層130和高阻抗層150進(jìn)行能帶匹配，以起到過渡和緩沖的作用。并且，還

可以避免在制作高阻抗層150時(shí)對(duì)吸收層130造成損耗。其中，所述緩沖層140可以覆蓋所述

吸收層130，以減少在所述吸收層130形成的界面態(tài)。

[0076] 可選地，所述緩沖層140的材料不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，例如，可以根據(jù)所述吸收層130和所述高阻抗層150的材料和能級(jí)進(jìn)行設(shè)置。在本實(shí)施例中，所述

緩沖層140可以為三硫化二銦材料層、三硒化二銦材料層或硫化鋅材料層。

[0077] 可選地，制作所述緩沖層140的方式不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，例如，可以根據(jù)所述緩沖層140的材料進(jìn)行選擇。在本實(shí)施例中，在所述緩沖層140的材料為

三硫化二銦材料層、三硒化二銦材料層或硫化鋅材料層時(shí)，可以通過物理氣相沉積法在所

述吸收層130的一面制作形成三硫化二銦材料層、三硒化二銦材料層或硫化鋅材料層。

[0078] 步驟S170，針對(duì)每一緩沖層140，在該緩沖層140的上方位置的一面制作高阻抗層150。

[0079] 在本實(shí)施例中，可以在每一緩沖層140的上方位置的一面制作高阻抗層150，也就是說，可以在每一緩沖層140遠(yuǎn)離吸收層130的一面制作高阻抗層150。其中，通過在所述緩

沖層140的一面制作高阻抗層150，利用該高阻抗層150的高阻抗特性可以保證電子可以沿

垂直于高阻抗層150與緩沖層140的接觸面的方向流動(dòng)，從而避免電子沿平行于該接觸面的

方向擴(kuò)散而導(dǎo)致該片太陽能電池100的輸出電流較小的問題。

[0080] 可選地，所述高阻抗層150的材料不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，只要具有較高的阻抗特性即可。在本實(shí)施例中，所述高阻抗層150可以為本征氧化鋅材料層。

[0081] 可選地，制作所述高阻抗層150的方式不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，例如，可以根據(jù)所述高阻抗層150的材料進(jìn)行設(shè)置。在本實(shí)施例中，在所述高阻抗層150

的材料為本征氧化鋅時(shí)，可以通過物理氣相沉積法在所述緩沖層140的一面制作形成所述

本征氧化鋅材料層。

[0082] 步驟S180，針對(duì)每一高阻抗層150，在該高阻抗層150的上方位置的一面制作低阻抗層160。

[0083] 在本實(shí)施例中，可以在每一高阻抗層150的上方位置的一面制作低阻抗層160，也就是說，可以在每一高阻抗層150遠(yuǎn)離緩沖層140的一面制作低阻抗層160。其中，所述低阻

抗層160可以作為所述太陽能電池100的前電極，所述電極層120可以作為所述太陽能電池

100的背電極。

[0084] 可選地，所述低阻抗層160的材料不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行選擇，例如，可以根據(jù)對(duì)導(dǎo)電性能的需求進(jìn)行選擇。在本實(shí)施例中，所述低阻抗層160可以為參鋁氧

化鋅材料層。

[0085] 可選地，制作所述低阻抗層160的方式不受限制，可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)置，例如，可以根據(jù)所述低阻抗層160的材料進(jìn)行設(shè)置。在本實(shí)施例中，在所述低阻抗層160

的材料為參鋁氧化鋅時(shí)，可以通過物理氣相沉積法在所述高阻抗層150的一面制作形成所

述參鋁氧化鋅材料層。

[0086] 步驟S190，分離所述模具，以得到N*M片具有保護(hù)層170、襯底110、阻擋層180、電極層120、吸收層130、緩沖層140、高阻抗層150以及低阻抗層160的太陽能電池100。

[0087] 在本實(shí)施例中，通過執(zhí)行步驟S180，可以得到N*M片截面面積相同的太陽能電池100，由于每一片太陽能電池100的面積較小，因而任意一片太陽能電池100的各個(gè)區(qū)域的均

勻性也較好，并且，該N*M片太陽能電池100由于通過相同的工藝、時(shí)間以及設(shè)備制造形成，

具有較高的相似性。也就是說，通過該N*M片太陽能電池100組成的光伏發(fā)電板具有較好的

均勻性，因此，發(fā)電效率也較高。

[0088] 綜上所述，本發(fā)明提供的太陽能電池制作方法，通過采用具有N行M列共N*M個(gè)間隔呈矩陣分布的固定槽的模具以制作得到N*M片具有保護(hù)層170、襯底110、阻擋層180、電極層

120、吸收層130、緩沖層140、高阻抗層150以及低阻抗層160的太陽能電池100，在保證總體

受光面積不變的同時(shí)，可以使單片太陽能電池100的面積較小，從而保證各片太陽能電池

100的具有較高的均勻性，進(jìn)而改善通過現(xiàn)有技術(shù)制造的太陽能電池100因均勻性較差而存

在發(fā)電效率低的問題。并且，可以實(shí)現(xiàn)N*M片太陽能電池100的同步制造，可以改善通過現(xiàn)有

的方法以制作太陽能電池100而存在產(chǎn)率低的問題。

[0089] 以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修

改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。