權(quán)利要求書： 1.一種鈣鈦礦薄膜太陽能電池(10)，其特征在于，包括：疊置的多層功能層，多層所述功能層中的其中一層為光活性層(1)，多層所述功能層中除去所述光活性層(1)的其它至少一層功能層構(gòu)造為包繞層(7)，所述包繞層(7)包括：充當(dāng)疊置部分的包繞層本體以及從所述包繞層本體的至少部分邊緣延伸的外圍層，所述包繞層本體和所述外圍層包繞在所述光活性層(1)的至少三個側(cè)面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦薄膜太陽能電池(10)，其特征在于，所述包繞層(7)為一層，且所述包繞層(7)整體包覆所述光活性層(1)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦薄膜太陽能電池(10)，其特征在于，包括：從第一方向朝第二方向排列的前基板層(2)、透明導(dǎo)電氧化物層(3)、所述光活性層(1)、后金屬電極(4)、封裝層(6)和后基板層(5)，所述包繞層(7)的包繞層本體設(shè)置在所述光活性層(1)、所述后金屬電極(4)之間，所述包繞層(7)的外圍層至少包覆所述光活性層(1)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鈣鈦礦薄膜太陽能電池(10)，其特征在于，所述包繞層(7)為第一電荷轉(zhuǎn)移層，所述包繞層(7)還包覆所述前基板層(2)、所述透明導(dǎo)電氧化物層(3)。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鈣鈦礦薄膜太陽能電池(10)，其特征在于，所述透明導(dǎo)電氧化物層(3)、所述光活性層(1)之間設(shè)置有第二電荷轉(zhuǎn)移層(8)，所述前基板層(2)與所述透明導(dǎo)電氧化物層(3)之間設(shè)置有減反射層(72)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦薄膜太陽能電池(10)，其特征在于，所述包繞層(7)為多層，且多層所述包繞層(7)嵌套配合，多層所述包繞層(7)的內(nèi)層包繞層(71)整體包覆所述光活性層(1)，多層所述包繞層(7)的外層包繞層(72)至少部分地包覆所述光活性層(1)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鈣鈦礦薄膜太陽能電池(10)，其特征在于，包括：從第一方向朝第二方向排列的前基板層(2)、封裝層(6)、透明導(dǎo)電氧化物層(3)、所述光活性層(1)、后金屬電極(4)和后基板層(5)，所述光活性層(1)、所述后金屬電極(4)之間設(shè)置有第二電荷轉(zhuǎn)移層(8)，所述內(nèi)層包繞層(71)的包繞層本體設(shè)置在所述光活性層(1)、所述透明導(dǎo)電氧化物層(3)之間，所述內(nèi)層包繞層(71)的外圍層至少包覆所述光活性層(1)，所述外層包繞層(72)的包繞層本體設(shè)置在所述封裝層(6)、所述透明導(dǎo)電氧化物層(3)之間，所述外層包繞層(72)的外圍層至少部分地包覆所述光活性層(1)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的鈣鈦礦薄膜太陽能電池(10)，其特征在于，所述內(nèi)層包繞層(71)為第一電荷轉(zhuǎn)移層，所述內(nèi)層包繞層(71)還包覆所述后金屬電極(4)、所述后基板層(5)；所述外層包繞層(72)為減反射層，所述外層包繞層(72)還包覆所述透明導(dǎo)電氧化物層(3)、所述內(nèi)層包繞層(71)。

9.根據(jù)權(quán)利要求5或8所述的鈣鈦礦薄膜太陽能電池(10)，其特征在于，所述減反射層(72)為單層減反射層或多層減反射層，且所述減反射層(72)的折射率為1.6 1.9。

~

10.根據(jù)權(quán)利要求5或8所述的鈣鈦礦薄膜太陽能電池(10)，其特征在于，所述減反射層(72)為單層Al2O3層或單層SiOxNy層或Al2O3層、SiOxNy層組成的雙層結(jié)構(gòu)。

說明書： 鈣鈦礦薄膜太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本發(fā)明涉及電池技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種鈣鈦礦薄膜太陽能電池。背景技術(shù)[0002] 太陽能電池由于從外部引入的水分和/或氣體而導(dǎo)致自身特性惡化。特別地，由有機/無機材料組成的混合鈣鈦礦材料(即光活性層)具有由水分和氣體加速劣化的缺點。在

柔性基底的情況下，水可以直接穿透聚合物基底和/或通過邊緣密封劑進入鈣鈦礦材料層。

對于使用玻璃基底密封的太陽能電池來講，可以防止水分和氣體穿透玻璃基底，但是它們

仍能穿過邊緣密封劑進入鈣鈦礦材料層，導(dǎo)致鈣鈦礦材料層性能惡化。

[0003] 現(xiàn)有技術(shù)中，有機/無機多層薄膜封裝方法對水分和氣體具有優(yōu)異的阻擋功能，但是，仍然需要開發(fā)1)僅用于封裝的附加工藝，增加成本，2)有機/無機多層薄膜由于其對太

陽光的高反射率或高吸收率，導(dǎo)致太陽光透射率降低，而降低光電轉(zhuǎn)化效率。

發(fā)明內(nèi)容[0004] 有鑒于此，本發(fā)明旨在提出一種鈣鈦礦薄膜太陽能電池，以將光活性層與水分、氣體隔絕。

[0005] 為達到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的：[0006] 一種鈣鈦礦薄膜太陽能電池，包括：疊置的多層功能層，多層所述功能層中的其中一層為光活性層，多層所述功能層中除去所述光活性層的其它至少一層功能層構(gòu)造為包繞

層，所述包繞層包括：充當(dāng)疊置部分的包繞層本體以及從所述包繞層本體的至少部分邊緣

延伸的外圍層，所述包繞層本體和所述外圍層包繞在所述光活性層的至少三個側(cè)面。

[0007] 根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，所述包繞層為一層，且所述包繞層整體包覆所述光活性層。

[0008] 根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，所述鈣鈦礦薄膜太陽能電池包括：從第一方向朝第二方向排列的前基板層、透明導(dǎo)電氧化物層、所述光活性層、后金屬電極和后基板層，所述包

繞層的包繞層本體設(shè)置在所述光活性層、所述后金屬電極之間，所述包繞層的外圍層至少

包覆所述光活性層。

[0009] 進一步地，所述包繞層為第一電荷轉(zhuǎn)移層，所述包繞層還包覆所述前基板層、所述透明導(dǎo)電氧化物層。

[0010] 進一步地，所述透明導(dǎo)電氧化物層、所述光活性層之間設(shè)置有所述第二電荷轉(zhuǎn)移層。

[0011] 可選地，所述前基板層與所述透明導(dǎo)電氧化物層之間設(shè)置有減反射層。[0012] 進一步地，所述鈣鈦礦薄膜太陽能電池還包括封裝層，所述封裝層設(shè)置在所述后金屬電極、所述后基板層之間。

[0013] 根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，所述包繞層為多層，且多層所述包繞層嵌套配合。[0014] 具體地，多層所述包繞層的內(nèi)層包繞層整體包覆所述光活性層，多層所述包繞層的外層包繞層至少部分地包覆所述光活性層。

[0015] 進一步地，所述鈣鈦礦薄膜太陽能電池包括：從第一方向朝第二方向排列的前基板層、透明導(dǎo)電氧化物層、所述光活性層、后金屬電極和后基板層，所述內(nèi)層包繞層的包繞

層本體設(shè)置在所述光活性層、所述透明導(dǎo)電氧化物層之間，所述內(nèi)層包繞層的外圍層至少

包覆所述光活性層，所述外層包繞層的包繞層本體設(shè)置在所述前基板層、所述透明導(dǎo)電氧

化物層之間，所述外層包繞層的外圍層至少部分地包覆所述光活性層。

[0016] 具體地，所述內(nèi)層包繞層為第一電荷轉(zhuǎn)移層，所述內(nèi)層包繞層還包覆所述后金屬電極、所述后基板層。

[0017] 進一步地，所述外層包繞層為減反射層，所述外層包繞層還包覆所述透明導(dǎo)電氧化物層、所述內(nèi)層包繞層。

[0018] 進一步地，所述光活性層、所述后金屬電極之間設(shè)置有第二電荷轉(zhuǎn)移層。[0019] 具體地，所述鈣鈦礦薄膜太陽能電池還包括封裝層，所述封裝層設(shè)置在所述前基板層、所述外層包繞層之間。

[0020] 可選地，所述減反射層為單層減反射層或多層減反射層，且所述減反射層的折射率為1.6～1.9。

[0021] 可選地，所述減反射層為單層Al2O3層或單層SiOxNy層或Al2O3層、SiOxNy層組成的雙層結(jié)構(gòu)。

[0022] 可選地，所述前基板層和所述后基板層均為玻璃基板。[0023] 相對于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所述的鈣鈦礦薄膜太陽能電池具有以下優(yōu)勢：[0024] 本發(fā)明所述的鈣鈦礦薄膜太陽能電池，通過設(shè)置包繞層包覆光活性層，可將光活性層與外部的水分、氣體隔絕，從而保證光活性層的性能良好，避免光活性層惡化，這樣，光

活性層在吸收光能之后，可最大限度地將光能轉(zhuǎn)化為電能。

附圖說明[0025] 構(gòu)成本發(fā)明的一部分的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

[0026] 圖1是本發(fā)明實施例的鈣鈦礦薄膜太陽能電池的第一實施例示意圖；[0027] 圖2是本發(fā)明實施例的鈣鈦礦薄膜太陽能電池的第二實施例示意圖；[0028] 圖3是SiOxNy中N的含量與折射率的關(guān)系曲線圖；[0029] 圖4是SiOxNy中N的含量與Jph的關(guān)系曲線圖；[0030] 圖5是SiOxNy層的厚度對Jph的影響曲線圖；[0031] 圖6是Al2O3層的厚度對Jph的影響曲線圖；[0032] 圖7是具有雙層減反射層的鈣鈦礦薄膜太陽能電池的光生電流Jph與不同Al2O3、SiOxNy厚度組合的關(guān)系圖。

[0033] 附圖標(biāo)記說明：[0034] 鈣鈦礦薄膜太陽能電池10、光活性層1、前基板層2、透明導(dǎo)電氧化物層3、后金屬電極4、后基板層5、封裝層6、包繞層7、內(nèi)層包繞層(第一電荷轉(zhuǎn)移層)71、外層包繞層(減反射

層)72、第二電荷轉(zhuǎn)移層8。

具體實施方式[0035] 需要說明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。

[0036] 下面將參考圖1?圖7并結(jié)合實施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。[0037] 參照圖1?圖2所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的鈣鈦礦薄膜太陽能電池10包括：疊置的多層功能層，多層功能層中的其中一層為光活性層1，多層功能層中除去光活性層1的其它至

少一層功能層構(gòu)造為包繞層7，包繞層7包括：充當(dāng)疊置部分的包繞層本體711、721以及從包

繞層本體的至少部分邊緣延伸的外圍層712、722，包繞層本體和外圍層包繞在光活性層1的

至少三個側(cè)面，以將光活性層1與外界的水分和/或氣體隔離。優(yōu)選地，包繞層本體和外圍層

包繞在光活性層1的六個側(cè)面，使光活性層1處于完全密閉的環(huán)境中，隔離效果更好。

[0038] 在本發(fā)明的實施例中，光活性層1為鈣鈦礦層，光活性層1可將吸收的太陽光光能轉(zhuǎn)化為電能，以供電器元件使用。鈣鈦礦材料制成的光活性層1在接觸到外界的水分或氣體

時其性能會加速惡化，因此，使用包繞層7包覆光活性層1之后，可以避免外界的氣體或水分

進入光活性層1內(nèi)影響光活性層1性能，從而保證光活性層1可最大限度地將光能轉(zhuǎn)化為電

能。

[0039] 根據(jù)本發(fā)明實施例的鈣鈦礦薄膜太陽能電池10，通過設(shè)置包繞層7包覆光活性層1，可將光活性層1與外部的水分、氣體隔絕，從而保證光活性層1的性能良好，避免光活性層

1惡化，這樣，光活性層1在吸收光能之后，可最大限度地將光能轉(zhuǎn)化為電能，轉(zhuǎn)化效率高。

[0040] 參照圖1所示的實施例，包繞層7為一層，且包繞層7整體包覆光活性層1，將光活性層1與外部的水分、氣體完全隔絕。

[0041] 具體而言，鈣鈦礦薄膜太陽能電池10包括：從第一方向朝第二方向排列的前基板層2、透明導(dǎo)電氧化物層3(簡稱TCO)、光活性層1、后金屬電極4和后基板層5，包繞層7的包繞

層本體711設(shè)置在光活性層1、后金屬電極4之間，包繞層7的外圍層712至少包覆光活性層1。

[0042] 進一步地，在圖1所示的實施例中，包繞層7為第一電荷轉(zhuǎn)移層，也就是說，包繞層7兼具電荷轉(zhuǎn)移功能，由此，第一電荷轉(zhuǎn)移層可實現(xiàn)光活性層1、后金屬電極4之間的電荷轉(zhuǎn)

移。包繞層7還包覆前基板層2、透明導(dǎo)電氧化物層3，使光活性層1、前基板層2、透明導(dǎo)電氧

化物層3均與外部的水分、氣體隔絕開。

[0043] 進一步地，透明導(dǎo)電氧化物層3、光活性層1之間設(shè)置有第二電荷轉(zhuǎn)移層8，由此可實現(xiàn)透明導(dǎo)電氧化物層3、光活性層1之間的電荷轉(zhuǎn)移。

[0044] 可選地，前基板層2與透明導(dǎo)電氧化物層3之間設(shè)置有減反射層72。減反射層72用于減少通過前基板層2入射的太陽光的反射率，從而使太陽光更多地進入鈣鈦礦薄膜太陽

能電池10內(nèi)。太陽光的入射方向如圖1中箭頭所示。

[0045] 進一步地，鈣鈦礦薄膜太陽能電池10還包括：封裝層6，封裝層6設(shè)置在后金屬電極4、后基板層5之間。

[0046] 如圖1所示，減反射層72、透明導(dǎo)電氧化物層3、第二電荷轉(zhuǎn)移層8、光活性層1、第一電荷轉(zhuǎn)移層71、后金屬電極4、封裝層6和后基板層5依次形成在前基板層2上。

[0047] 參照圖2所示的實施例，包繞層7為多層，且多層包繞層7嵌套配合。[0048] 具體地，在圖2所示的實施例中，多層包繞層7為內(nèi)、外兩層，多層包繞層7的內(nèi)層包繞層71整體包覆光活性層1，以對光活性層1進行初次包覆，多層包繞層7的外層包繞層72至

少部分地包覆光活性層1和內(nèi)層包繞層71，以對光活性層1進行二次包覆。多層包繞層7共同

作用，將光活性層1與外部的水分、氣體完全隔絕，且隔絕效果更好。在圖2中，外層包繞層72

沒有包覆光活性層1和內(nèi)層包繞層71的上端面，僅包覆了其它五個側(cè)面。在一些優(yōu)選的實施

例中，外層包繞層72完全包覆光活性層1和內(nèi)層包繞層71。

[0049] 進一步地，圖2所示的鈣鈦礦薄膜太陽能電池10包括：從第一方向朝第二方向排列的前基板層2、透明導(dǎo)電氧化物層3、光活性層1、后金屬電極4和后基板層5，內(nèi)層包繞層71的

包繞層本體711設(shè)置在光活性層1、透明導(dǎo)電氧化物層3之間，內(nèi)層包繞層71的外圍層712至

少包覆光活性層1，外層包繞層72的包繞層本體721設(shè)置在前基板層2、透明導(dǎo)電氧化物層3

之間，外層包繞層72的外圍層722至少部分地包覆光活性層1。

[0050] 具體地，內(nèi)層包繞層71為第一電荷轉(zhuǎn)移層71，第一電荷轉(zhuǎn)移層71可實現(xiàn)光活性層1、透明導(dǎo)電氧化物層3之間的電荷轉(zhuǎn)移。內(nèi)層包繞層71還包覆后金屬電極4、后基板層5，使

光活性層1、后金屬電極4、后基板層5均與外部的水分、氣體隔絕開。

[0051] 進一步地，外層包繞層72為減反射層72，外層包繞層72還包覆透明導(dǎo)電氧化物層3、內(nèi)層包繞層71。光活性層1被第一電荷轉(zhuǎn)移層71和減反射層72同時覆蓋，從而更有效地防

止外部的水分和氣體滲透到光活性層1的鈣鈦礦中。

[0052] 進一步地，光活性層1、后金屬電極4之間設(shè)置有第二電荷轉(zhuǎn)移層8，由此可實現(xiàn)光活性層1、后金屬電極4之間的電荷轉(zhuǎn)移。

[0053] 具體地，鈣鈦礦薄膜太陽能電池10還包括：封裝層6，封裝層6設(shè)置在前基板層2、外層包繞層72之間。換言之，減反射層72設(shè)置在封裝層6與透明導(dǎo)電氧化物層3之間，且減反射

層72包覆透明導(dǎo)電氧化物層3至后基板層5之間的所有層，保護這些層(即透明導(dǎo)電氧化物

層3、第一電荷轉(zhuǎn)移層71、光活性層1、第二電荷轉(zhuǎn)移層8、后金屬電極4、后基板層5)免受外面

的水分或氣體的影響。透明導(dǎo)電氧化物層3與光活性層1之間的第一電荷轉(zhuǎn)移層71包覆光活

性層1至后基板層5之間的所有層，保護這些層(即光活性層1、第二電荷轉(zhuǎn)移層8、后金屬電

極4、后基板層5)免受外面的水分或氣體的影響。光活性層1被第一電荷轉(zhuǎn)移層71、減反射層

72二次包覆，隔絕水分或氣體的效果更好。

[0054] 如圖2所示，后金屬電極4、第二電荷轉(zhuǎn)移層8、光活性層1、第一電荷轉(zhuǎn)移層71、透明導(dǎo)電氧化物層3、減反射層72、封裝層6和前基板層2依次形成在后基板層5上。

[0055] 在圖2所示的鈣鈦礦薄膜太陽能電池10在成型過程中，當(dāng)在形成光活性層1之后沉積第一電荷轉(zhuǎn)移層71時，通過ALD(原子層沉積)工藝形成覆蓋光活性層1的膜(即第一電荷

轉(zhuǎn)移層71)，此時，TiO2可用作第一電荷轉(zhuǎn)移層71的材料。然后，可以使用諸如濺射、蒸發(fā)和

ALD等工藝來沉積透明導(dǎo)電氧化物層3，并且當(dāng)沉積減反射層72時，使用ITO，AZO(Al摻雜的

ZnO)、FTO(F摻雜SnO2)作為材料，如上所述，與第一電荷轉(zhuǎn)移層71包圍光活性層1的工藝一

樣，使減反射層72包圍光活性層1。減反射層72可以沉積為單層Al2O3或單層SiOxNy或由它們

兩者組成的雙層結(jié)構(gòu)。

[0056] 參照圖1?圖2所示，減反射層72設(shè)置在透明導(dǎo)電氧化物層3的朝向太陽光的一側(cè)，且減反射層72的帶隙較寬，減反射層72具有低反射率、低吸收率和高折射率特性，保證太陽

光更多地穿透減反射層72，使透明導(dǎo)電氧化物層3獲得更高的光電流。

[0057] 可選地，減反射層72為單層減反射層或多層減反射層，且減反射層72的折射率范圍為1.6～1.9，太陽光的照射方向如圖1?圖2中的箭頭所示，即太陽光的方向為從前基板層

2向后基板層5照射的方向。減反射層72的折射率為1.6～1.9，可保證經(jīng)過減反射層72的太

陽光被反射的量很少，絕大部分被折射傳遞至透明導(dǎo)電氧化物層3，進而到達光活性層1參

與光電轉(zhuǎn)化。

[0058] 在實際實施例中，選擇合適的材料用于制作包繞層7，以使包繞層7具有防氣體或防水分功能，材料的選擇是基于其折射率和水蒸氣透過率(WTR)特性。

[0059] 表1多種材料的折射率和WTR[0060][0061] 減反射層72的折射率的理論估算公式為： 由此得出減反射層72的最佳折射率值，當(dāng)減反射層72為單層減反射層時，最佳折射率值n＝1.82，當(dāng)

減反射層72為雙層減反射層時，第一層的最佳折射率值n1＝1.66，第二層的最佳折射率值

n2＝1.86。

[0062] 可選地，減反射層72為單層Al2O3層或單層SiOxNy層或Al2O3層、SiOxNy層組成的雙層結(jié)構(gòu)。減反射層72可改善鈣鈦礦薄膜太陽能電池10的反射率，即降低對太陽光的反射率，提

高對太陽光的折射率，以提升太陽光的利用率，提高鈣鈦礦薄膜太陽能電池10的光電轉(zhuǎn)化

效率。

[0063] 對于含有SiOxNy的減反射層72來講，減反射層72的折射率變化取決于SiOxNy中N元素的含量，由圖3可知，當(dāng)N元素的含量在0％?80％之間變化時，減反射層72的折射率變化范

圍為1.48?1.88，且折射率與N元素的含量近似呈正相關(guān)。

[0064] 鈣鈦礦薄膜太陽能電池10的光生電流為Jph，SiOxNy中N元素的含量還對Jph有影響，具體如圖4所示。由圖4可知，光生電流Jph的變化取決于SiOxNy中N元素的含量，當(dāng)N元素

的含量近似在60％時，Jph最高。此時，SiOxNy層的厚度為100nm。將AlOx和N元素含量為60％

的SiOxNy層的最佳層厚度模擬為單層減反射層，保證光生電流Jph較高。

[0065] 圖5?圖6表示，鈣鈦礦薄膜太陽能電池10的光生電流Jph取決于層厚度，圖5?圖6中的參考結(jié)構(gòu)(Ref.)為在前基板層2和透明導(dǎo)電氧化物層3之間沒有設(shè)置減反射層72，其Jph

較小。由圖5?圖6結(jié)果表明，在SiOxNy厚度為80nm和Al2O3厚度為100nm的條件下，可以得到最

佳的Jph值。與參考的Jph(沒有減反射層72)相比，設(shè)置減反射層72之后，Jph表現(xiàn)出最高約

2

0.7mA/cm 的增加。在假設(shè)其他單元參數(shù)(例如oc和FF)相同的情況下，這可以導(dǎo)致效率增

2

加約0.7％，參考效率為18.06％(Jsc＝22.05mA/cm ，oc＝1.05，F(xiàn)F＝78％)，由此，設(shè)置減

2

反射層72之后例如SiOxNy厚度為75nm(Jsc＝22.87mA/cm ，oc＝1.05，F(xiàn)F＝78％)時，效率

為18.73％。

[0066] 圖7是具有雙層減反射層的鈣鈦礦薄膜太陽能電池10的光生電流Jph與不同Al2O3、SiOxNy厚度組合的關(guān)系。

[0067] 圖7中的參考結(jié)構(gòu)(Ref.)為在前基板層2和透明導(dǎo)電氧化物層3之間沒有設(shè)置減反射層72，其Jph較小。由圖7可知，具有雙層減反射層的鈣鈦礦薄膜太陽能電池10的Jph高于

參考結(jié)構(gòu)的Jph，并且高于單層減反射層的Jph。在SiOxNy厚度為80nm和Al2O3厚度為90nm的

2

條件下，最大Jph值幾乎達到23mA/cm。

[0068] 可選地，前基板層2和后基板層5均為玻璃基板，由此，前基板層2和后基板層5可對其它功能層進行更好地支撐。

[0069] 在本發(fā)明實施例中，第一電荷轉(zhuǎn)移層71、第二電荷轉(zhuǎn)移層8可以是空穴傳輸層或電子傳輸層。

[0070] 根據(jù)本發(fā)明實施例的鈣鈦礦薄膜太陽能電池10其內(nèi)部具有減反射層72，保證鈣鈦礦薄膜太陽能電池10具有較低的光反射率，同時，光活性層1被第一電荷轉(zhuǎn)移層71和/或減

反射層72包覆，保證鈣鈦礦薄膜太陽能電池10具有較高的可靠性。此外，由于包繞層7由第

一電荷轉(zhuǎn)移層71和/或減反射層72充當(dāng)，而不使用額外的材料和工藝，因此有利于節(jié)省成

本。

[0071] 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。