權(quán)利要求書： 1.太陽能電池片的制備方法，其特征在于，采用正面為非100晶向的單晶硅片制備電池片，且通過制絨制得正面具有棱錐絨面結(jié)構(gòu)的電池片；棱錐頂點(diǎn)在該棱錐底面所在平面上的投影，位于該棱錐底面中心的一側(cè)；且電池片上各棱錐的頂點(diǎn)朝向相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池片的制備方法，其特征在于，棱錐頂點(diǎn)在該棱錐底面所在平面上的投影，位于該棱錐底面的外側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池片的制備方法，其特征在于，所述棱錐為四棱錐，包括底面和四個(gè)側(cè)面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能電池片的制備方法，其特征在于，所述四棱錐的底面為長方形或正方形。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能電池片的制備方法，其特征在于，所述四棱錐有一個(gè)側(cè)面與底面的夾角為鈍角，該鈍角不大于110度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池片的制備方法，其特征在于，所述正面為非100晶向的單晶硅片，其由100晶向的單晶硅棒切片制得，且切片的方向與單晶硅棒的軸心存在非90度的夾角。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池片的制備方法，其特征在于，所述正面為非100晶向的單晶硅片，其由非100晶向的單晶硅棒切片制得，且切片的方向與單晶硅棒的軸心垂直。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池片的制備方法，其特征在于，所述正面為非100晶向的單晶硅片，包括：正面為110晶向或111晶向的單晶硅片。

說明書： 太陽能電池片的制備方法技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本發(fā)明涉及光伏領(lǐng)域，具體涉及一種太陽能電池片的制備方法。背景技術(shù)[0002] 硅片表面的反射率是影響太陽能電池效率的重要因素，為了降低硅片表面的反射率，需要在硅片表面制備絨面結(jié)構(gòu)，常見的是金字塔結(jié)構(gòu)，即正四棱錐結(jié)構(gòu)。

[0003] 現(xiàn)有的正四棱錐絨面結(jié)構(gòu)可以降低硅片表面的反射率，但還需要進(jìn)一步優(yōu)化絨面結(jié)構(gòu)，以便進(jìn)一步降低硅片表面的反射率。

發(fā)明內(nèi)容[0004] 為了進(jìn)一步降低硅片表面的反射率，本發(fā)明提供一種太陽能電池片的制備方法，采用正面為非100晶向的單晶硅片制備電池片，且通過制絨制得正面具有棱錐絨面結(jié)構(gòu)的

電池片；棱錐頂點(diǎn)在該棱錐底面所在平面上的投影，位于該棱錐底面中心的一側(cè)；且電池片

上各棱錐的頂點(diǎn)朝向相同。

[0005] 優(yōu)選的，棱錐頂點(diǎn)在該棱錐底面所在平面上的投影，位于該棱錐底面的外側(cè)；且電池片上各棱錐的頂點(diǎn)朝向相同。且棱錐優(yōu)選為四棱錐，該四棱錐包括底面和四個(gè)側(cè)面，底面

為長方形或正方形，有一個(gè)側(cè)面與底面的夾角為鈍角，該鈍角優(yōu)選為不大于110度。

[0006] 在電池片放置狀態(tài)相同、且太陽光入射角度相同的情況下，本發(fā)明棱錐絨面結(jié)構(gòu)對太陽光的反射次數(shù)可多于現(xiàn)有正四棱錐絨面結(jié)構(gòu)對太陽光的反射次數(shù)，故與現(xiàn)有采用正

四棱錐絨面結(jié)構(gòu)的電池片相比，本發(fā)明電池片的反射率更低。

[0007] 優(yōu)選的，所述正面為非100晶向的單晶硅片，其由100晶向的單晶硅棒切片制得，且切片的方向與單晶硅棒的軸心存在非90度的夾角。

[0008] 優(yōu)選的，所述正面為非100晶向的單晶硅片，其由非100晶向的單晶硅棒切片制得，且切片的方向與單晶硅棒的軸心垂直。

[0009] 本發(fā)明采用的正面為非100晶向的單晶硅片，既可以由100晶向的單晶硅棒切片制得，又可以由非100晶向的單晶硅棒切片制得，比較便捷。

[0010] 優(yōu)選的，所述正面為非100晶向的單晶硅片，包括：正面為110晶向或111晶向的單晶硅片。

[0011] 本發(fā)明采用的正面為非100晶向的單晶硅片，可以是正面為110晶向的單晶硅片，也可以是正面為111晶向的單晶硅片，還可以是其它正面為非100晶向的單晶硅片，選擇面

廣。

附圖說明[0012] 圖1是電池片都平置時(shí)的示意圖；[0013] 圖2是電池片都豎置時(shí)的示意圖；[0014] 圖3是電池片都斜置時(shí)的示意圖。具體實(shí)施方式[0015] 下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例僅用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。

[0016] 為了進(jìn)一步降低硅片表面的反射率，本發(fā)明提供一種太陽能電池片的制備方法，采用正面為非100晶向的單晶硅片制備電池片，且通過制絨制得正面具有棱錐絨面結(jié)構(gòu)的

電池片；棱錐頂點(diǎn)在該棱錐底面所在平面上的投影，位于該棱錐底面的外側(cè)；且電池片上各

棱錐的頂點(diǎn)朝向相同。所述棱錐優(yōu)選為四棱錐，該四棱錐包括底面和四個(gè)側(cè)面，底面為長方

形或正方形，有一個(gè)側(cè)面與底面的夾角為鈍角，該鈍角優(yōu)選為不大于110度。所述正面為非

100晶向的單晶硅片，包括：正面為110晶向或111晶向的單晶硅片。

[0017] 如圖1所示，在電池片都平置、且太陽光入射角度相同的情況下，本發(fā)明棱錐絨面結(jié)構(gòu)對太陽光的反射次數(shù)可多于現(xiàn)有正四棱錐絨面結(jié)構(gòu)對太陽光的反射次數(shù)；

[0018] 如圖2所示，在電池片都豎置、且太陽光入射角度相同的情況下，本發(fā)明棱錐絨面結(jié)構(gòu)對太陽光的反射次數(shù)可多于現(xiàn)有正四棱錐絨面結(jié)構(gòu)對太陽光的反射次數(shù)；

[0019] 如圖3所示，在電池片都斜置、且太陽光入射角度相同的情況下，本發(fā)明棱錐絨面結(jié)構(gòu)對太陽光的反射次數(shù)可多于現(xiàn)有正四棱錐絨面結(jié)構(gòu)對太陽光的反射次數(shù)；

[0020] 綜上可知，在電池片放置狀態(tài)相同、且太陽光入射角度相同的情況下，本發(fā)明棱錐絨面結(jié)構(gòu)對太陽光的反射次數(shù)可多于現(xiàn)有正四棱錐絨面結(jié)構(gòu)對太陽光的反射次數(shù)，故與現(xiàn)

有采用正四棱錐絨面結(jié)構(gòu)的電池片相比，本發(fā)明電池片的反射率更低。

[0021] 本發(fā)明采用的正面為非100晶向的單晶硅片，可以是正面為110晶向的單晶硅片，也可以是正面為111晶向的單晶硅片，還可以是其它正面為非100晶向的單晶硅片，選擇面

廣。

[0022] 本發(fā)明采用的正面為非100晶向的單晶硅片，可以由100晶向的單晶硅棒切片制得，且切片的方向與單晶硅棒的軸心存在非90度的夾角。

[0023] 本發(fā)明采用的正面為非100晶向的單晶硅片，還可以由非100晶向的單晶硅棒切片制得，且切片的方向與單晶硅棒的軸心垂直。

[0024] 本發(fā)明采用的正面為非100晶向的單晶硅片，既可以由100晶向的單晶硅棒切片制得，又可以由非100晶向的單晶硅棒切片制得，比較便捷。

[0025] 以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾

也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。