權(quán)利要求書： 1.一種固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

將陽極鋁箔裁切成所需寬度的鋁箔片；

將所述鋁箔片的底部直角加工成鈍角；

化成裁切后的所述鋁箔片；

基于化成裁切后的所述鋁箔片制備鋁電解電容器；

所述基于化成裁切后的所述鋁箔片制備鋁電解電容器，包括：在化成裁切后的所述鋁箔片上制備第一導(dǎo)電性高分子層；

所述在化成裁切后的所述鋁箔片上制備第一導(dǎo)電性高分子層，包括：用還原液浸漬并烘干化成裁切后的所述鋁箔片，然后用氧化液浸漬并烘干；重復(fù)上述用還原液浸漬和上述用氧化液浸漬的步驟N次，得到第一導(dǎo)電性高分子層，所述N為大于1且小于20的正整數(shù)；

所述制造方法還包括：在所述還原液中混入聚合物顆粒形成懸濁液；基于所述懸濁液，在所述第一導(dǎo)電性高分子層表面制備出中間較薄、邊角厚度較厚的聚合物層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述基于化成裁切后的所述鋁箔片制備鋁電解電容器，還包括：

在化成裁切后的所述鋁箔片上制備第二導(dǎo)電性高分子層；

在所述第二導(dǎo)電性高分子層上涂覆碳漿銀漿形成半成品，并堆疊、封裝、老化和分選所述半成品得到鋁電解電容器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在用還原液浸漬并烘干時的條件為：浸漬時間1～2min，烘干溫度60℃～100℃，烘干時間30～10min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，使用機械方法或激光切割方法將所述鋁箔片的底部直角加工成鈍角。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電性高分子層通過電化學(xué)聚合制備得到。

6.一種固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器，其特征在于，所述固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器由如權(quán)利要求1?5任一項所述的制造方法制備得到。

說明書： 固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器及其制造方法技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本發(fā)明涉及鋁電解電容器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器及其制造方法。

背景技術(shù)[0002] 如圖1所示，現(xiàn)有固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器組排時主要采用機械裁切方式進行底部裁斷，鋁箔為雙直角的長條形結(jié)構(gòu)。圖中，1為BAR條(不銹鋼條)，2為鋁箔，3為鋁

箔的底部邊角(直角)。制備成電容后直角位置為漏電的主要失效點，并可能導(dǎo)致存在尖端

放電的潛在失效。鋁箔的邊角位置是漏電的容易失效點，如何在邊角位置制備出厚度更厚

的聚合物層，對邊角做到更好的覆蓋，形成更好的保護效果，從而降低漏電流，以及在外界

施加電壓、壓力的情況下，維持漏電流的穩(wěn)定性，是目前固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器

制造中亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容[0003] 因此，有必要提供一種固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器的制造方法，避免上述情況的出現(xiàn)。

[0004] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器的制造方法，所述制造方法包括：

[0005] 將陽極鋁箔裁切成所需寬度的鋁箔片；[0006] 將所述鋁箔片的底部直角加工成鈍角；[0007] 化成裁切后的所述鋁箔片；[0008] 基于化成裁切后的所述鋁箔片制備鋁電解電容器。[0009] 進一步地，所述基于化成裁切后的所述鋁箔片制備鋁電解電容器，具體包括：[0010] 在化成裁切后的所述鋁箔片上制備第一導(dǎo)電性高分子層；[0011] 在化成裁切后的所述鋁箔片上制備第二導(dǎo)電性高分子層；[0012] 在所述第二導(dǎo)電性高分子層上涂覆碳漿銀漿形成半成品，并堆疊、封裝、老化和分選所述半成品得到鋁電解電容器。

[0013] 進一步地，所述在化成裁切后的所述鋁箔片上制備第一導(dǎo)電性高分子層，包括：[0014] 用還原液浸漬并烘干所述化成裁切后鋁箔片，然后用氧化液浸漬并烘干；[0015] 重復(fù)上述用還原液浸漬和上述用氧化液浸漬的步驟N次，得到第一導(dǎo)電性高分子層，所述N為大于1的正整數(shù)。

[0016] 進一步地，在用還原液浸漬并烘干時的條件為：[0017] 浸漬時間1～2min，烘干溫度60℃～100℃，烘干時間30～10min。[0018] 進一步地，所述制造方法還包括：在所述還原液中混入聚合物顆粒形成懸濁液；[0019] 基于所述懸濁液，在所述第一導(dǎo)電性高分子層表面制備出中間較薄、邊角厚度較厚的聚合物層。

[0020] 進一步地，使用機械方法或激光切割方法將所述鋁箔片的底部直角加工成鈍角。[0021] 進一步地，所述第二導(dǎo)電性高分子層通過電化學(xué)聚合制備得到。[0022] 本發(fā)明還提出所述固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器由如上述的制造方法制備得到。

[0023] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器，所述固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器由如上述的制造方法制備得到。

[0024] 本發(fā)明提出的固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器及其制造方法，將陽極鋁箔裁切成所需寬度的鋁箔片；將所述鋁箔片的底部直角加工成鈍角；化成裁切后的所述鋁箔片；基

于所述化成裁切后鋁箔片制備鋁電解電容器。通過將裁切后的所述鋁箔片底部直角加工成

鈍角的形狀，來改善漏電及尖端放電。

附圖說明[0025] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本

發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以

根據(jù)這些附圖示出的結(jié)構(gòu)獲得其他的附圖。

[0026] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)的固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器的鋁箔的底部邊角(直角)示意圖；

[0027] 圖2是本發(fā)明一個固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器制造方法的流程圖；[0028] 圖3是本發(fā)明一個固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器制造方法的制造過程示意圖；

[0029] 圖4是本發(fā)明一個固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器制造方法的制造過程示意圖；

[0030] 圖5是本發(fā)明一個固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器制造方法的制造過程示意圖；

[0031] 圖6是本發(fā)明一個固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器制造方法的制造過程示意圖；

[0032] 圖7是本發(fā)明工藝與現(xiàn)有技術(shù)工藝的對比圖。具體實施方式[0033] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；?br>
于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其

他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

[0034] 需要說明，本發(fā)明實施例中所有方向性指示(諸如上、下、左、右、前、后……)僅用于解釋在某一特定姿態(tài)(如附圖所示)下各部件之間的相對位置關(guān)系、運動情況等，如果該

特定姿態(tài)發(fā)生改變時，則該方向性指示也相應(yīng)地隨之改變。

[0035] 另外，在本發(fā)明中涉及“第一”、“第二”等的描述僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示其相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第

二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個該特征。另外，各個實施例之間的技術(shù)方案可

以相互結(jié)合，但是必須是以本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)為基礎(chǔ)，當(dāng)技術(shù)方案的結(jié)合出現(xiàn)

相互矛盾或無法實現(xiàn)時應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種技術(shù)方案的結(jié)合不存在，也不在本發(fā)明要求的保護范

圍之內(nèi)。

[0036] 在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“連接”、“固定”等應(yīng)做廣義理解，例如，“固定”可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機械連接，也可以是

電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通或兩

個元件的相互作用關(guān)系，除非另有明確的限定。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)

具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

[0037] 為實現(xiàn)上述目的，如圖2所示，本發(fā)明提出一種固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器的制造方法，所述制造方法包括：

[0038] 步驟1、將陽極鋁箔裁切成所需寬度的鋁箔片；陽極鋁箔為化成裁切后的所述鋁箔片。

[0039] 如圖3所示，將陽極箔片裁切成所需的寬度；將裁切后的鋁箔片焊接在不銹鋼條上，并涂布絕緣膠，進行陰陽極分區(qū)。圖3中，1為BAR條(不銹鋼條)，2為鋁箔，3為鋁箔的底部

邊角(直角)，4為絕緣膠/阻隔膠。

[0040] 步驟2、將所述鋁箔片的底部直角加工成鈍角；[0041] 步驟3、化成裁切后的所述鋁箔片；[0042] 步驟4、基于化成裁切后的所述鋁箔片制備鋁電解電容器。[0043] 如圖4所示，鋁箔片的底部直角加工成鈍角的圖示。圖4中，1為BAR條(不銹鋼條)，2為鋁箔，3為鋁箔的底部邊角(鈍角)。

[0044] 進一步地，所述基于化成裁切后的所述鋁箔片制備鋁電解電容器，具體包括：[0045] 在化成裁切后的所述鋁箔片上制備第一導(dǎo)電性高分子層；[0046] 在所述初步成型的化成裁切后的所述鋁箔片上制備第二導(dǎo)電性高分子層；[0047] 在所述第二導(dǎo)電性高分子層上涂覆碳漿銀漿形成半成品，并堆疊、封裝、老化和分選所述半成品得到鋁電解電容器。

[0048] 進一步地，所述在化成裁切后的所述鋁箔片上制備第一導(dǎo)電性高分子層，包括：[0049] 用還原液浸漬并烘干化成裁切后的所述鋁箔片，然后用氧化液浸漬并烘干；[0050] 重復(fù)上述用還原液浸漬和上述用氧化液浸漬的步驟N次，得到第一導(dǎo)電性高分子層，所述N為大于1且小于20的正整數(shù)。

[0051] 進一步地，在用還原液浸漬并烘干時的條件為：[0052] 浸漬時間1～2min，烘干溫度60℃～100℃，烘干時間30～10min。[0053] 進一步地，所述制造方法還包括：在所述還原液中混入聚合物顆粒形成懸濁液；[0054] 基于所述懸濁液，在所述第一導(dǎo)電性高分子層表面制備出中間較薄、邊角厚度較厚的聚合物層。

[0055] 如圖5所示，圖5中，1為BAR條(不銹鋼條)，2為鋁箔，3為鋁箔的底部邊角(鈍角)，4為絕緣膠/阻隔膠，53為聚合物顆粒。

[0056] 如圖6所示，圖中，1為BAR條(不銹鋼條)，2為鋁箔，3為鋁箔的底部邊角(鈍角)，4為絕緣膠/阻隔膠，51為聚合物層中部，52為聚合物層邊角。

[0057] 進一步地，按照質(zhì)量百分比，所述還原液的組成如下：[0058] 噻吩單體，4％；[0059] 甲苯磺酸，96％，其濃度為0.9mol/L；或者，[0060] 所述還原液的組成如下：吡咯單體，4％；[0061] 甲苯磺酸，96％，其濃度為1mol/L；或者，[0062] 按照質(zhì)量百分比，所述氧化液的組成如下：[0063] 過硫酸銨，3％；或者，[0064] 所述氧化液的組成如下：[0065] 甲苯磺酸鐵，2％。[0066] 進一步地，按照質(zhì)量百分比，所述還原液用溶劑的組成如下：[0067] 水和乙醇的混合液，其中水，80％；乙醇，20％；或加入以下成分：[0068] 顆粒大小100nm的聚噻吩，0.5％～1％；或者，[0069] 按照質(zhì)量百分比，所述氧化液用溶劑的組成如下：[0070] 水的混合液，其中水，80％；或者，[0071] 所述氧化液用溶劑的組成如下：[0072] 甲苯磺酸鐵，2％。[0073] 進一步地，使用機械方法或激光切割方法將所述鋁箔片的底部直角加工成鈍角。[0074] 固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器的鋁箔，也可以采用模具進行沖壓，底部可以沖出雙R角的形狀，從而減小尖端放電的概率，但帶R角的沖壓模具不易加工，且使用過程中

模具的R角部分容易磨損，需要經(jīng)常返修及維護。同時，在固體聚合物片式疊層鋁電解電容

器制程中邊角位置的聚合物厚度主要通過增加含浸次數(shù)來實現(xiàn)，會導(dǎo)致中間位置的聚合物

層也同時增厚。本發(fā)明提出的固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器的制造方法，通過將裁切

后的所述鋁箔片底部直角加工成鈍角的形狀，來改善漏電及尖端放電，同時在聚合物制備

時，在含浸溶液中摻入顆粒物，形成懸濁液，在鋁箔表面制備出中間較薄、邊角厚度較厚的

聚合物層。

[0075] 如圖7所示，圖中左圖(本發(fā)明制備芯子效果)，右圖(現(xiàn)有技術(shù)工藝制備的芯子效果)，2為鋁箔，4為絕緣膠/阻隔膠，5為聚合物層，51為聚合物層中部，52為聚合物層邊角。

[0076] 進一步地，所述第二導(dǎo)電性高分子層通過電化學(xué)聚合制備得到。[0077] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出一種固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器，所述固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器由如上述的制造方法制備得到。

[0078] 本發(fā)明提出的固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器及其制造方法，將陽極鋁箔裁切成所需寬度的鋁箔片；將所述鋁箔片的底部直角加工成鈍角；化成裁切后的所述鋁箔片，基

于所述懸濁液，在所述第一導(dǎo)電性高分子層表面制備出中間較薄、邊角厚度較厚的聚合物

層；基于化成裁切后的所述鋁箔片制備鋁電解電容器。通過將裁切后的所述鋁箔片底部直

角加工成鈍角的形狀，來改善漏電及尖端放電。

[0079] 實施例一[0080] 將陽極箔片裁切成所需的寬度；將裁切后的鋁箔片焊接在不銹鋼條上，并涂布絕緣膠，進行陰陽極分區(qū)；將裁切后鋁箔的底部直角采用模具加工成鈍角；裁切后的鋁箔片化

成；在化成裁切后的所述鋁箔上含浸制備第一導(dǎo)電性高分子層，還原液為重量占比4％的噻

吩單體、摻雜劑為對甲苯磺酸濃度為0.9mol/L、(還原液用)溶劑為水和乙醇的混合液，并加

入0.5％顆粒大小100nm的聚噻吩顆粒攪拌均勻，氧化液為重量占比3％的過硫酸銨，(氧化

液用)溶劑為水的混合液。浸漬還原液1min后在烘箱設(shè)置60℃和30min烘干；浸漬氧化液

1min后在烘箱烘干；還原液與氧化液的烘干條件不同。重復(fù)以上步驟4次；電化學(xué)聚合制備

第二導(dǎo)電性高分子層；被上碳漿銀漿；產(chǎn)品進行堆疊、封裝、老化和分選。

[0081] 實施例二[0082] 將陽極箔片裁切成所需的寬度；將裁切后的鋁箔片焊接在不銹鋼條上，并涂布絕緣膠，進行陰陽極分區(qū)；將裁切后鋁箔的底部直角采用激光切割加工成鈍角；裁切后的鋁箔

片化成；在化成裁切后的所述鋁箔上含浸制備第一導(dǎo)電性高分子層，還原液為重量占比4％

的吡咯單體、摻雜劑為對甲苯磺酸濃度為1mol/L、(還原液用)溶劑為水和乙醇的混合液，氧

化液為重量占比2％的對甲苯磺酸鐵，(氧化液用)溶劑為水的混合液，并加入1％顆粒大小

200nm的聚苯胺顆粒攪拌均勻；浸漬還原液2min后在烘箱設(shè)置100℃和10min烘干；浸漬氧化

液1min后在烘箱烘干；重復(fù)以上步驟5次；電化學(xué)聚合制備第二導(dǎo)電性高分子層；被上碳漿

銀漿；產(chǎn)品進行堆疊、封裝、老化和分選。

[0083] 實施例三[0084] 將陽極箔片裁切成所需的寬度；將裁切后的鋁箔片焊接在不銹鋼條上，并涂布絕緣膠，進行陰陽極分區(qū)；將裁切后鋁箔的底部直角采用激光切割加工成鈍角；裁切后的鋁箔

片化成；在化成裁切后的所述鋁箔上含浸制備第一導(dǎo)電性高分子層，還原液為重量占比4％

的噻吩單體、摻雜劑為對甲苯磺酸濃度為0.9mol/L、(還原液用)溶劑為水和乙醇的混合液，

并加入1％顆粒大小100nm的聚噻吩顆粒攪拌均勻，氧化液為重量占比3％的過硫酸銨，(氧

化液用)溶劑為水的混合液。浸漬還原液1min后在烘箱設(shè)置60℃和30min烘干；浸漬氧化液

1min后在烘箱烘干；重復(fù)以上步驟4次；電化學(xué)聚合制備第二導(dǎo)電性高分子層；被上碳漿銀

漿；產(chǎn)品進行堆疊、封裝、老化和分選。

[0085] 本發(fā)明實施例的固體電解質(zhì)片式疊層鋁電解電容器的制造方法，制備鋁箔陽極區(qū)底部邊角為鈍角，制備的導(dǎo)電性高分子層邊角保護好，電容器具有較好的漏電性能。

[0086] 以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是在本發(fā)明的發(fā)明構(gòu)思下，利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)變換，或直接/間接運用在其

他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域均包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。