成果簡介：
集成電路技術(shù)作為一個(gè)國家國民經(jīng)濟(jì)和國防建設(shè)的戰(zhàn)略核心，一直受到我國政府的高度重視。作為電子信息材料的重要組成部分，電子封裝銅合金在集成電路中起著支撐
芯片、傳遞信號、散失集成電路工作時(shí)產(chǎn)生的熱量的重要作用。目前已開發(fā)出的電子封裝銅合金有Cu-Ni-Si、Cu-Fe、Cu-Fe-P、Cu-Cr-Zr、Cu-Ag 等。但是我國在Cu-Cr-Zr 和Cu-Ni-Si 合金研制中與國外相比長期處于落后狀態(tài)，且大量依賴進(jìn)口。本項(xiàng)目開發(fā)了微合金化Cu-Cr-Zr 和Cu-Ni-Si 合金，對合金的成分設(shè)計(jì)和制備加工工藝進(jìn)行了研究，為我國電子封裝銅合金的研制與開發(fā)提供了重要的技術(shù)支撐，取得了顯著的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益。
(1)發(fā)明了系列微合金化Cu-Cr-Zr 和Cu-Ni-Si 合金。在Cu-Cr-Zr 和Cu-Ni-Si 合金中加入微量合金元素與
稀土元素，成功設(shè)計(jì)開發(fā)了Cu-Cr-Zr-(Ce、Y、Nd)、Cu-Cr-Zr-(Ni、Ti)-Re、Cu-Cr-Zr-(Ag、P)-Re 和Cu-Ni-Si-(Ag、P、Cr)等一系列合金，其性能指標(biāo)完全滿足實(shí)際需要。
(2)開發(fā)了冷變形與時(shí)效結(jié)合的組合加工技術(shù)。系統(tǒng)研究了時(shí)效前預(yù)冷變形，以及微量合金元素和稀土元素相互作用對Cu-Cr-Zr 和Cu-Ni-Si 合金時(shí)效析出的影響及其規(guī)律;通過改善加工工藝(多次冷變形和時(shí)效相結(jié)合的方式)提高了合金的綜合性能，發(fā)現(xiàn)合金元素和稀土元素的添加提高了合金的抗拉強(qiáng)度、導(dǎo)電率、硬度和抗軟化溫度，如Cu-Ni-Si-P 合金的抗拉強(qiáng)度達(dá)到804 MPa，在國內(nèi)外少有報(bào)道;特別對Cu-Cr-Zr-(Ce、Y)合金在250-400 °C范圍內(nèi)時(shí)效特性和綜合性能以及析出相進(jìn)行了研究，發(fā)現(xiàn)時(shí)效析出相為體心立方Cr 相和Cu4Zr 相，在該溫度范圍內(nèi)的時(shí)效性能研究在國內(nèi)外幾乎沒有報(bào)道，具有一定的創(chuàng)新性。
(3)優(yōu)化和制定了Cu-Cr-Zr 和Cu-Ni-Si 合金的熱加工關(guān)鍵技術(shù)。系統(tǒng)考察了Cu-Cr-Zr和Cu-Ni-Si 合金在高溫?zé)嶙冃螚l件下的組織結(jié)構(gòu)變化、動(dòng)態(tài)再結(jié)晶機(jī)理以及析出相的強(qiáng)化機(jī)制，計(jì)算了合金在熱變形中的參數(shù)，建立了合金的熱加工模型，最終制定了Cu-Cr-Zr 和Cu-Ni-Si 合金的熱加工工藝。
聲明：
“高性能電子封裝銅合金關(guān)鍵制備技術(shù)與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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編輯：中冶有色技術(shù)網(wǎng)
來源：河南科技大學(xué)
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2025年01月03日 ~ 05日 
