本發(fā)明涉及一種Ag?Ga?Zn?Te四元p?型熱電半導(dǎo)體及其制備工藝。其設(shè)計要點在于該Ag?Ga?Zn?Te四元p?型熱電半導(dǎo)體是由Ag0.317Ga0.561Te中的部分Ga元素等摩爾量替換為Zn元素,所述Zn元素在所述Ag?Ga?Zn?Te四元p?型熱電半導(dǎo)體中的摩爾分?jǐn)?shù)為0.01~0.053,所述Ga元素在Ag?Ga?Zn?Te四元p?型熱電半導(dǎo)體中的摩爾分?jǐn)?shù)為0.24~0.29,所述Ag?Ga?Zn?Te四元p?型熱電半導(dǎo)體的化學(xué)式為Ag0.317Ga0.561?xZnxTe,其中0≤x≤0.1。本發(fā)明采用常規(guī)的
粉末冶金法制備,工藝簡單;采用金屬元素Zn等摩爾替換Ag0.317Ga0.561Te中Ga元素,成本較低;材料具有環(huán)保特性,無噪音,適合作為一種綠色能源材料使用。
聲明:
“Ag?Ga?Zn?Te四元p?型熱電半導(dǎo)體及其制備工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)