本發(fā)明公開(kāi)了一種集成電路元件的形成方法,根據(jù)一實(shí)施例提供一種具有基腳形狀的銅柱工藝,在凸塊下冶金層上采用兩道不同光敏性及厚度的光致抗蝕劑膜。在曝光顯影工藝后,在第一光致抗蝕劑膜中形成具有實(shí)質(zhì)上垂直的側(cè)壁的第一開(kāi)口,并在第二光致抗蝕劑層中形成具有傾斜側(cè)壁的第二開(kāi)口。第二開(kāi)口的底部直徑大于第二開(kāi)口的頂部直徑,且第二開(kāi)口的底部直徑大于第一開(kāi)口的直徑。接著形成導(dǎo)電層于第一開(kāi)口及第二開(kāi)口中,之后移除兩道光致抗蝕劑膜。本發(fā)明在不需額外化學(xué)或等離子體工藝的情況下,即可輕易定義基腳形狀的尺寸,大幅節(jié)省制造成本。
聲明:
“集成電路元件的形成方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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