本發(fā)明提供的高純鉭靶材制備方法,包括:將鉭粉混合均勻;將混合好的鉭粉裝入模具;冷壓成型;真空熱壓燒結(jié)。與傳統(tǒng)的通過高真空電子束熔煉爐獲得高純鉭錠、然后對鉭錠反復(fù)進行塑性變形和退火制得鉭靶坯的工藝相比,本發(fā)明通過
粉末冶金的真空熱壓燒結(jié)技術(shù)直接由粉末制得鉭靶坯,消除鉭的“固有織構(gòu)帶”,獲得內(nèi)部織構(gòu)均勻的可用于半導(dǎo)體靶材制造用的鉭靶坯。
聲明:
“高純鉭靶材制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)