權(quán)利要求
1.鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,其特征在于,工藝步驟為:
1)將烘干后的納米二氧化鈦粉體、鋁粉、五氧化二釩與鈣粉按照比例混合均勻,得到混合物料;將混合物料加入自蔓延反應(yīng)爐中,引發(fā)自蔓延反應(yīng),反應(yīng)物料冷卻后,得到還原產(chǎn)物TC4合金粉及氧化鈣混合物;其中,納米二氧化鈦粉體、鋁粉、五氧化二釩的配比按Ti-6Al-4V合金中Ti、Al、V的固有摩爾比配比,鈣粉的加入量按摩爾比TiO2:Ca=1:2.0~3.0配比;
2)將還原產(chǎn)物TC4合金粉及氧化鈣混合物置于密閉反應(yīng)器中,以稀鹽酸為浸出液對粗產(chǎn)物進(jìn)行浸出,過濾后得到濾液和浸出產(chǎn)物;將浸出產(chǎn)物洗滌、真空干燥后得到產(chǎn)品TC4合金粉。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,其特征在于:
所得的產(chǎn)品TC4合金粉的化學(xué)成分及質(zhì)量百分比為:Al:5.5~6.75%,V:3.5~4.5%,O:0.08~0.15%,其余為Ti和不可避免雜質(zhì);平均粒徑為5μm~150μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,其特征在于:步驟1)中所述的混合物料首先在10MPa~30MPa下壓制成塊狀物料,然后再加入自蔓延反應(yīng)爐中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,其特征在于:步驟1)中所述的烘干的工藝條件為:溫度100℃~160℃,時間24h~30h。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,其特征在于:步驟1)中所述自蔓延反應(yīng)的引發(fā)方式為局部點火法:在自蔓延反應(yīng)爐中用電熱絲加熱混合原料的局部,引發(fā)自蔓延反應(yīng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,其特征在于:步驟2)中所述的稀鹽酸與還原產(chǎn)物TC4合金粉的加入量按反應(yīng)理論需要的鹽酸過量5%~35%配比,稀鹽酸的摩爾濃度為1.0mol/L~6.0mol/L。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,其特征在于:步驟2中)所述的浸出的浸出溫度為25℃~50℃,浸出時間60min~120min。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,其特征在于:步驟2中所述的洗滌、真空干燥的具體工藝為:將過濾得到的浸出產(chǎn)物用水洗滌至中性,然后在真空烘箱中烘干,烘干溫度為30~50℃,烘干時間為12~24h。
說明書
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]一種鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,屬于粉末冶金工藝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
[0002]Ti-6Al-4V(TC4)是一種兩相鈦合金,具有密度低、比強度高、優(yōu)良的耐腐蝕性能和較好的焊接性能等而被廣泛應(yīng)用于航空航天、石油化工、生物醫(yī)學(xué)及3D打印技術(shù)領(lǐng)域。目前,工業(yè)生產(chǎn)鈦合金的方法主要有Kroll法、真空自耗電弧熔煉及電子束冷床熔煉等。傳統(tǒng)鈦合金制造技術(shù)存在工藝復(fù)雜、流程長、生產(chǎn)成本高及產(chǎn)品性能低等問題,在一定程度上限制了TC4鈦合金的應(yīng)用。隨著材料設(shè)計概念的變化以及新技術(shù)、新應(yīng)用領(lǐng)域的開發(fā),低成本的合金化設(shè)計以及近凈成形技術(shù)尤其是增材制造技術(shù)的開發(fā)是目前鈦合金領(lǐng)域一個非常關(guān)注的話題,而TC4是鈦合金研究中的熱點。
[0003]中國專利202010217878.6公開了一種Ti-6Al-4V合金粉的制備方法,該方法將金屬鈦原料、含鋁原料和含釩原料混合、壓制成塊并燒結(jié)使壓制塊致密化并實現(xiàn)元素合金化,再破碎燒結(jié)塊料至顆粒狀料,同時進(jìn)一步用還原劑金屬脫除氧,可保證制得氧含量較低的Ti-6Al-4V合金粉;所述方法原料選擇面廣,無需限定氧含量低的原材料,而且制備過程能耗低,可極大降低合金粉的制備成本。該制備方法包括高溫?zé)Y(jié)過程,仍存在工藝流程長、能耗高等問題。
[0004]本發(fā)明針對現(xiàn)有TC4合金粉制備方法中存在的技術(shù)難題,減少反應(yīng)中的添加劑,簡化反應(yīng)操作過程,制備成本低、純度高、粒度分布均勻、氧含量低的TC4合金粉,提出了鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝。
發(fā)明內(nèi)容
[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種純度高、球形度高、流動性好、粒度分布均勻及氧含量低的鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝。
[0006]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:該鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,其特征在于,工藝步驟為:
[0007]1)將烘干后的納米二氧化鈦粉體、鋁粉、五氧化二釩與鈣粉按照比例混合均勻,得到混合物料;將混合物料加入自蔓延反應(yīng)爐中,引發(fā)自蔓延反應(yīng),反應(yīng)物料冷卻后,得到還原產(chǎn)物TC4合金粉及氧化鈣混合物;其中,納米二氧化鈦粉體、鋁粉、五氧化二釩的配比按Ti-6Al-4V合金中Ti、Al、V的固有摩爾比配比,鈣粉的加入量按摩爾比TiO2:Ca=1:2.0~3.0配比;
[0008]2)將還原產(chǎn)物TC4合金粉及氧化鈣混合物置于密閉反應(yīng)器中,以稀鹽酸為浸出液對粗產(chǎn)物進(jìn)行浸出,過濾后得到濾液和浸出產(chǎn)物;將浸出產(chǎn)物洗滌、真空干燥后得到產(chǎn)品TC4合金粉。
[0009]針對現(xiàn)有技術(shù)的TC4合金粉的缺點,本發(fā)明提出一種鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金的工藝,本發(fā)明以納米二氧化鈦粉體為鈦源,以鈣粉為還原劑,通過合理的配比能夠穩(wěn)定、安全的發(fā)生自蔓延高溫反應(yīng)。通過自蔓延高溫反應(yīng)及酸浸反應(yīng),獲得了純度高、球形度高、流動性好、粒度分布均勻及氧含量低的TC4合金粉產(chǎn)品。本方法原料成本低、操作簡單,不但省去了金屬鈦的提前制備,而且無需像傳統(tǒng)工藝那樣重復(fù)進(jìn)行燒結(jié)、破碎,工藝流程及反應(yīng)時間短、能耗低,對儀器和設(shè)備要求低,為工業(yè)化生產(chǎn)奠定了基礎(chǔ)。
[0010]本發(fā)明采用的自蔓延高溫合成技術(shù),是制備無機化合物高溫材料的一種新方法。它成功克服了傳統(tǒng)制備高溫難熔材料方法的缺點,如:高溫熔煉及高溫?zé)Y(jié)等,由于熔煉溫度高和工藝時間長,造成較大的能源和時間消耗。自蔓延高溫合成技術(shù)是在高真空或介質(zhì)氣氛中點燃原料,產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),化學(xué)反應(yīng)放出的生成熱使得鄰近的物料溫度驟然升高,而引起新的化學(xué)反應(yīng)并以燃燒波的形式蔓延至整個反應(yīng)物,當(dāng)燃燒波推行前進(jìn)的時候反應(yīng)物變成生成物產(chǎn)品。
[0011]上述鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,所得的產(chǎn)品TC4合金粉的化學(xué)成分及質(zhì)量百分比為:Al:5.5~6.75%,V:3.5~4.5%,O:0.08~0.15%,其余為Ti和不可避免雜質(zhì);平均粒徑為5μm~150μm。本發(fā)明純度高、球形度高、流動性好、粒度分布均勻及氧含量低。
[0012]優(yōu)選的一種上述鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,步驟1)中所述的混合物料首先在10MPa~30MPa下壓制成塊狀物料,然后再加入自蔓延反應(yīng)爐中。在壓制成塊狀物料后,自蔓延高溫反應(yīng)的反應(yīng)速率更加合理,所的產(chǎn)品的球形度更好、粒度分布更均勻。
[0013]優(yōu)選的一種上述鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,步驟1)中所述的烘干的工藝條件為:溫度100℃~160℃,時間24h~30h。納米二氧化鈦粉體經(jīng)過優(yōu)選的工藝條件烘干,烘干徹底,且物料之間分散,容易與其他物料混合均勻。
[0014]優(yōu)選的一種上述鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,步驟1)中所述自蔓延反應(yīng)的引發(fā)方式為局部點火法:在自蔓延反應(yīng)爐中用電熱絲加熱混合原料的局部,引發(fā)自蔓延反應(yīng)。局部點火法引發(fā)的自蔓延高溫反應(yīng)的反應(yīng)速率更加合理,所的產(chǎn)品的球形度更好、粒度分布更均勻。
[0015]優(yōu)選的一種上述鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,步驟2)中所述的稀鹽酸與還原產(chǎn)物TC4合金粉的加入量按反應(yīng)理論需要的鹽酸過量5%~35%配比,稀鹽酸的摩爾濃度為1.0mol/L~6.0mol/L。
[0016]優(yōu)選的一種上述鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,步驟2中)所述的浸出的浸出溫度為25℃~50℃,浸出時間60min~120min。
[0017]優(yōu)選的一種上述鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,步驟2中所述的洗滌、真空干燥的具體工藝為:將過濾得到的浸出產(chǎn)物用水洗滌至中性,然后在真空烘箱中烘干,烘干溫度為30~50℃,烘干時間為12~24h。
[0018]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的一種鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝所具有的有益效果是:(1)本發(fā)明利用鈦氧化物在還原過程中的價態(tài)演變規(guī)律,將自蔓延高溫合成作為還原反應(yīng),無需外加能量即可完成反應(yīng),同時反應(yīng)的溫度梯度大,產(chǎn)物的活性高,產(chǎn)品粒度可控。自蔓延高溫反應(yīng)方程式為:TiO2+2Ca=Ti+2CaO;
[0019](2)本發(fā)明TC4合金材料合成和燒結(jié)同時完成,工藝流程短、操作簡單、能耗低等優(yōu)點,解決了現(xiàn)有TC4合金制備過程中的工藝復(fù)雜,流程長、能耗高污染大等技術(shù)難題,有效解決了能量消耗、時間消耗、環(huán)境污染等。
[0020](3)本發(fā)明采用一級還原反應(yīng)操作,即在自蔓延反應(yīng)階段還原劑該用量為理論量的120%~150%,因此,TC4合金中的氧被更完全脫除。
[0021](4)本發(fā)明可在真空或控制氣氛下進(jìn)行,制得產(chǎn)品純度高、球形度高、流動性好、粒度分布均勻及氧含量低。
[0022](5)本工藝生產(chǎn)成本低,產(chǎn)品性能好,能夠用于3D打印技術(shù)等增材制造領(lǐng)域。
附圖說明
[0023]圖1為本發(fā)明的鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝的流程圖。
[0024]圖2為本發(fā)明的實施例7制備的TC4鈦合金粉顆粒形貌圖。從圖中可見產(chǎn)品純度高、球形度高、流動性好、粒度分布均勻。
具體實施方式
[0025]下面結(jié)合圖1的流程圖和具體實施例對本發(fā)明做進(jìn)一步說明,其中實施例1為最佳實施。
[0026]實施例1
[0027]鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,參照附圖1的工藝流程具體包括以下步驟:
[0028]步驟1:自蔓延反應(yīng)
[0029]將納米二氧化鈦和五氧化二釩置于烘箱中,120℃烘干24h;將烘干后的納米二氧化鈦粉體、五氧化二釩、鋁粉與鈣粉混合均勻,將混合物料在15MPa下壓制成塊,將塊狀物料加入自蔓延反應(yīng)爐中,在自蔓延反應(yīng)爐中用電熱絲加熱混合原料的局部,引發(fā)自蔓延反應(yīng),反應(yīng)物料冷卻后,得到還原產(chǎn)物;其中,納米二氧化鈦粉體、鋁粉、五氧化二釩的配比按Ti-6Al-4V合金中Ti、Al、V的固有摩爾比配比,鈣粉的加入量按摩爾比TiO2:Ca=1:2.5投入物料;
[0030]步驟2:酸浸反應(yīng)
[0031]將還原產(chǎn)物置于密閉反應(yīng)器中,以稀鹽酸為浸出液對粗產(chǎn)物進(jìn)行浸出,其中,鹽酸的摩爾濃度為2.5mol/L,浸出溫度30℃,浸出時間為80min;稀鹽酸與還原產(chǎn)物TC4合金粉的加入量按反應(yīng)理論需要的鹽酸過量10%配比;
[0032]步驟3:洗滌干燥
[0033]將浸出產(chǎn)物用水洗滌至中性,然后在真空干燥箱中真空條件下烘干,烘干溫度38℃,烘干時間12h,烘干后得到產(chǎn)品TC4合金粉;
[0034]所得產(chǎn)品TC4合金粉,其化學(xué)成分及質(zhì)量百分比為:Ti:89.83%,Al:5.98%,V:4.1%,O:0.08%,余量為雜質(zhì);平均粒徑為42μm,粒徑平方差1.3μm,球形度平均值0.96,球形度平方差0.010。
[0035]實施例2
[0036]鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,參照附圖1的工藝流程具體包括以下步驟:
[0037]步驟1:自蔓延反應(yīng)
[0038]將納米二氧化鈦和五氧化二釩置于烘箱中,110℃烘干28h;將烘干后的納米二氧化鈦粉體、五氧化二釩、鋁粉與鈣粉混合均勻,將混合物料在20MPa下壓制成塊,將塊狀物料加入自蔓延反應(yīng)爐中,在自蔓延反應(yīng)爐中用電熱絲加熱混合原料的局部,引發(fā)自蔓延反應(yīng),反應(yīng)物料冷卻后,得到還原產(chǎn)物;其中,納米二氧化鈦粉體、鋁粉、五氧化二釩的配比按Ti-6Al-4V合金中Ti、Al、V的固有摩爾比配比,鈣粉的加入量按摩爾比TiO2:Ca=1:2.2投入物料;
[0039]步驟2:酸浸反應(yīng)
[0040]將還原產(chǎn)物置于密閉反應(yīng)器中,以稀鹽酸為浸出液對粗產(chǎn)物進(jìn)行浸出,其中,鹽酸的摩爾濃度為1.2mol/L,浸出溫度25℃,浸出時間為100min;稀鹽酸與還原產(chǎn)物TC4合金粉的加入量按反應(yīng)理論需要的鹽酸過量8%配比;
[0041]步驟3:洗滌干燥
[0042]將浸出產(chǎn)物用水洗滌至中性,然后在真空干燥箱中真空條件下烘干,烘干溫度33℃,烘干時間15h,烘干后得到產(chǎn)品TC4合金粉;
[0043]所得產(chǎn)品TC4合金粉,其化學(xué)成分及質(zhì)量百分比為:Ti:91.71%,Al:6.1%,V:3.9%,O:0.09%,余量為雜質(zhì);平均粒徑為47μm,粒徑平方差1.2μm,球形度平均值0.94,球形度平方差0.011。
[0044]實施例3
[0045]鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,參照附圖1的工藝流程具體包括以下步驟:
[0046]步驟1:自蔓延反應(yīng)
[0047]將納米二氧化鈦和五氧化二釩置于烘箱中,150℃烘干24h;將烘干后的納米二氧化鈦粉體、五氧化二釩、鋁粉與鈣粉混合均勻,將混合物料在10MPa下壓制成塊,將塊狀物料加入自蔓延反應(yīng)爐中,在自蔓延反應(yīng)爐中用電熱絲加熱混合原料的局部,引發(fā)自蔓延反應(yīng),反應(yīng)物料冷卻后,得到還原產(chǎn)物;其中,納米二氧化鈦粉體、鋁粉、五氧化二釩的配比按Ti-6Al-4V合金中Ti、Al、V的固有摩爾比配比,鈣粉的加入量按摩爾比TiO2:Ca=1:2.6投入物料;
[0048]步驟2:酸浸反應(yīng)
[0049]將還原產(chǎn)物置于密閉反應(yīng)器中,以稀鹽酸為浸出液對粗產(chǎn)物進(jìn)行浸出,其中,鹽酸的摩爾濃度為4mol/L,浸出溫度35℃,浸出時間為70min;稀鹽酸與還原產(chǎn)物TC4合金粉的加入量按反應(yīng)理論需要的鹽酸過量20%配比;
[0050]步驟3:洗滌干燥
[0051]將浸出產(chǎn)物用水洗滌至中性,然后在真空干燥箱中真空條件下烘干,烘干溫度45℃℃,烘干時間12h,烘干后得到產(chǎn)品TC4合金粉;
[0052]所得產(chǎn)品TC4合金粉,其化學(xué)成分及質(zhì)量百分比為:Ti:89.47%,Al:6.32%,V:4.1%,O:0.10%,余量為雜質(zhì);平均粒徑為53μm,粒徑平方差1.4μm,球形度平均值0.93,球形度平方差0.010。
[0053]實施例4
[0054]鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,參照附圖1的工藝流程具體包括以下步驟:
[0055]步驟1:自蔓延反應(yīng)
[0056]將納米二氧化鈦和五氧化二釩置于烘箱中,100℃烘干30h;將烘干后的納米二氧化鈦粉體、五氧化二釩、鋁粉與鈣粉混合均勻,將混合物料在10MPa下壓制成塊,將塊狀物料加入自蔓延反應(yīng)爐中,在自蔓延反應(yīng)爐中用電熱絲加熱混合原料的局部,引發(fā)自蔓延反應(yīng),反應(yīng)物料冷卻后,得到還原產(chǎn)物;其中,納米二氧化鈦粉體、鋁粉、五氧化二釩的配比按Ti-6Al-4V合金中Ti、Al、V的固有摩爾比配比,鈣粉的加入量按摩爾比TiO2:Ca=1:2.0投入物料;
[0057]步驟2:酸浸反應(yīng)
[0058]將還原產(chǎn)物置于密閉反應(yīng)器中,以稀鹽酸為浸出液對粗產(chǎn)物進(jìn)行浸出,其中,鹽酸的摩爾濃度為1.5mol/L,浸出溫度25℃,浸出時間為120min;稀鹽酸與還原產(chǎn)物TC4合金粉的加入量按反應(yīng)理論需要的鹽酸過量5%配比;
[0059]步驟3:洗滌干燥
[0060]將浸出產(chǎn)物用水洗滌至中性,然后在真空干燥箱中真空條件下烘干,烘干溫度30℃,烘干時間24h,烘干后得到產(chǎn)品TC4合金粉;
[0061]所得產(chǎn)品TC4合金粉,其化學(xué)成分及質(zhì)量百分比為:Ti:90.83%,Al:5.6%,V:3.7%,O:0.12%,余量為雜質(zhì);平均粒徑為5μm,粒徑平方差0.64μm,球形度平均值0.91,球形度平方差0.012。
[0062]實施例5
[0063]鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,參照附圖1的工藝流程具體包括以下步驟:
[0064]步驟1:自蔓延反應(yīng)
[0065]將納米二氧化鈦和五氧化二釩置于烘箱中,160℃烘干24h;將烘干后的納米二氧化鈦粉體、五氧化二釩、鋁粉與鈣粉混合均勻,將混合物料在30MPa下壓制成塊,將塊狀物料加入自蔓延反應(yīng)爐中,在自蔓延反應(yīng)爐中用電熱絲加熱混合原料的局部,引發(fā)自蔓延反應(yīng),反應(yīng)物料冷卻后,得到還原產(chǎn)物;其中,納米二氧化鈦粉體、鋁粉、五氧化二釩的配比按Ti-6Al-4V合金中Ti、Al、V的固有摩爾比配比,鈣粉的加入量按摩爾比TiO2:Ca=1:3.0投入物料;
[0066]步驟2:酸浸反應(yīng)
[0067]將還原產(chǎn)物置于密閉反應(yīng)器中,以稀鹽酸為浸出液對粗產(chǎn)物進(jìn)行浸出,其中,鹽酸的摩爾濃度為1.5mol/L,浸出溫度50℃,浸出時間為n60min;稀鹽酸與還原產(chǎn)物TC4合金粉的加入量按反應(yīng)理論需要的鹽酸過量35%配比L;
[0068]步驟3:洗滌干燥
[0069]將浸出產(chǎn)物用水洗滌至中性,然后在真空干燥箱中真空條件下烘干,烘干溫度50℃,烘干時間12h,烘干后得到產(chǎn)品TC4合金粉;
[0070]所得產(chǎn)品TC4合金粉,其化學(xué)成分及質(zhì)量百分比為:Ti:88.62%,Al:6.75%,V:4.5%,O:0.12%,余量為雜質(zhì);平均粒徑為150μm,粒徑平方差2.82μm,球形度平均值0.90,球形度平方差0.014。
[0071]實施例6
[0072]鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,參照附圖1的工藝流程具體包括以下步驟:
[0073]步驟1:自蔓延反應(yīng)
[0074]將納米二氧化鈦和五氧化二釩置于烘箱中,100℃烘干24h;將烘干后的納米二氧化鈦粉體、五氧化二釩、鋁粉與鈣粉混合均勻,將混合物料加入自蔓延反應(yīng)爐中,在自蔓延反應(yīng)爐中用電熱絲加熱混合原料的局部,引發(fā)自蔓延反應(yīng),反應(yīng)物料冷卻后,得到還原產(chǎn)物;其中,納米二氧化鈦粉體、鋁粉、五氧化二釩的配比按Ti-6Al-4V合金中Ti、Al、V的固有摩爾比配比,鈣粉的加入量按摩爾比TiO2:Ca=1:2.2投入物料;
[0075]步驟2:酸浸反應(yīng)
[0076]將還原產(chǎn)物置于密閉反應(yīng)器中,以稀鹽酸為浸出液對粗產(chǎn)物進(jìn)行浸出,其中,鹽酸的摩爾濃度為1.5mol/L,浸出溫度25℃,浸出時間為80min;稀鹽酸與還原產(chǎn)物TC4合金粉的加入量按反應(yīng)理論需要的鹽酸過量12%配比;
[0077]步驟3:洗滌干燥
[0078]將浸出產(chǎn)物用水洗滌至中性,然后在真空干燥箱中真空條件下烘干,烘干溫度30℃,烘干時間12h,烘干后得到產(chǎn)品TC4合金粉。
[0079]所得產(chǎn)品TC4合金粉,其化學(xué)成分及質(zhì)量百分比為:Ti:90.03%,Al:6.1%,V:3.7%,O:0.15%,余量為雜質(zhì);平均粒徑為84μm,粒徑平方差2.7μm,球形度平均值0.87,球形度平方差0.016。
[0080]實施例7
[0081]鈣熱自蔓延反應(yīng)制備TC4合金粉的工藝,參照附圖1的工藝流程具體包括以下步驟:
[0082]步驟1:自蔓延反應(yīng)
[0083]將納米二氧化鈦和五氧化二釩置于烘箱中,100℃烘干24h;將烘干后的納米二氧化鈦粉體、五氧化二釩、鋁粉與鈣粉混合均勻,將混合物料在12MPa下壓制成塊,將塊狀物料加入自蔓延反應(yīng)爐中,在自蔓延反應(yīng)爐中將混合原料整體升溫,引發(fā)自蔓延反應(yīng),反應(yīng)物料冷卻后,得到還原產(chǎn)物;其中,納米二氧化鈦粉體、鋁粉、五氧化二釩的配比按Ti-6Al-4V合金中Ti、Al、V的固有摩爾比配比,鈣粉的加入量按摩爾比TiO2:Ca=1:2.2投入物料;
[0084]步驟2:酸浸反應(yīng)
[0085]將還原產(chǎn)物置于密閉反應(yīng)器中,以稀鹽酸為浸出液對粗產(chǎn)物進(jìn)行浸出,其中,鹽酸的摩爾濃度為1.5mol/L,浸出溫度25℃,浸出時間為80min;稀鹽酸與還原產(chǎn)物TC4合金粉的加入量按反應(yīng)理論需要的鹽酸過量12%配比;
[0086]步驟3:洗滌干燥
[0087]將浸出產(chǎn)物用水洗滌至中性,然后在真空干燥箱中真空條件下烘干,烘干溫度30℃,烘干時間12h,烘干后得到產(chǎn)品TC4合金粉。
[0088]所得產(chǎn)品TC4合金粉,其化學(xué)成分及質(zhì)量百分比為:Ti:89.73%,Al:5.8%,V:4.3%,O:0.14%,余量為雜質(zhì);平均粒徑為14μm,粒徑平方差3.4μm,球形度平均值0.89,球形度平方差0.015。
[0089]以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實施例而已,并非是對本發(fā)明作其它形式的限制,任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員可能利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容加以變更或改型為等同變化的等效實施例。但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與改型,仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
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