本發(fā)明涉及一種提純硅廢料制備高純硅的方法,以含硅90%以上的塊狀的單晶硅尾料或堝底料作為原料,進(jìn)行真空蒸發(fā)及定向冷凝精煉提純處理,首先加熱到原料的熔點以上,在真空狀態(tài)下保溫進(jìn)行真空蒸發(fā),去除易揮發(fā)的雜質(zhì),然后再拉伸冷卻進(jìn)行真空定向冷凝精煉提純處理,使得金屬雜質(zhì)富集于一端,既除去了非金屬雜質(zhì),又除去了金屬雜質(zhì),制備得純度在99.999%以上的高純硅。
聲明:
“提純硅廢料制備高純硅的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)