本實(shí)用新型公開了用于半導(dǎo)體
功能材料表面缺陷調(diào)控的等離子體反應(yīng)裝置,包括密封箱,所述密封箱的底部設(shè)置有底座,所述密封箱內(nèi)腔的頂部和底部通過支撐桿分別設(shè)置有上部極板和下部極板,所述密封箱內(nèi)腔的左側(cè)轉(zhuǎn)動連接有空心管,所述空心管的一端貫穿密封箱并轉(zhuǎn)動連接有進(jìn)氣管,所述密封箱內(nèi)設(shè)置有與空心管配合使用的輔助機(jī)構(gòu),所述密封箱的右側(cè)連通有總管,所述總管的右側(cè)連通有彎管,本實(shí)用新型利用輔助機(jī)構(gòu)可使氣體更快的充滿密封箱的內(nèi)部空間,同時(shí)轉(zhuǎn)動的第一連通架,可進(jìn)一步攪動氣流,進(jìn)一步加快了反應(yīng)氣體的流動速度,提高了氣體的等離子反應(yīng)效果,從而提高了對半導(dǎo)體功能材料表面缺陷的調(diào)控效果。
聲明:
“用于半導(dǎo)體功能材料表面缺陷調(diào)控的等離子體反應(yīng)裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)