本發(fā)明公開了一種層狀電磁薄膜材料鼓包試樣的制備方法。該方法首先采用濕氧化法和機械加工法對單晶硅薄片進行處理,獲得一面為單晶硅表面,另一面為帶特定盲孔的二氧化硅表面。然后在單晶硅面沉積電磁薄膜材料,并完成高溫退火。再使用有機硅膠將沉積薄膜材料的那面粘結(jié)到一個帶有圓孔的石英片襯底上,再密封樣品表面,只暴露出盲孔區(qū)域。然后將其放入到氫氧化鉀溶液中進行腐蝕,使得盲孔區(qū)域底部剩余的基底發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。根據(jù)預(yù)先標(biāo)定好的腐蝕速率來確定腐蝕時間長短,直至把該區(qū)域的單晶硅腐蝕掉,完全露出樣品另一面沉積的薄膜。然后對其清洗、干燥和去除有機硅膠,最終獲得帶獨立支撐窗口的層狀電磁薄膜材料鼓包樣品。
聲明:
“層狀電磁薄膜功能材料鼓包試樣的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)