鈦酸鍶單晶基片上外延生長(zhǎng)氧化鎂納米線的方法,涉及微電子材料領(lǐng)域,特別涉及應(yīng)用于氧化物(氧化鎂)-復(fù)合氧化物(鈦酸鍶)異質(zhì)外延中納米線及其表面周期結(jié)構(gòu)的制備方法。本發(fā)明提供的方法制備得到的材料具有優(yōu)越的電學(xué)、光學(xué)、力學(xué)和熱學(xué)性質(zhì)。本發(fā)明的方法為:在真空環(huán)境下,對(duì)鈦酸鍶單晶基片進(jìn)行熱處理然后以激光剝離氧化鎂陶瓷靶材,產(chǎn)生的激光等離子體沉積在鈦酸鍶單晶基片上,制得氧化鎂薄膜;同時(shí)監(jiān)控沉積過(guò)程,在鈦酸鍶基片上形成有序表面周期結(jié)構(gòu)的氧化鎂納米線后,停止沉積。本發(fā)明制得的具有序表面周期結(jié)構(gòu)的氧化鎂納米線,將使氧化鎂這種
功能材料在納米尺度的范圍內(nèi)體現(xiàn)出有別于塊材的特殊光、電、磁、化性質(zhì)。
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“鈦酸鍶單晶基片上外延生長(zhǎng)氧化鎂納米線的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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