氧化鋅納米棒陣列在二氧化鈦薄膜上的直接垂直沉積方法,氧化鋅是一種重要的無機(jī)半導(dǎo)體
功能材料,由于它擁有獨(dú)特的催化、電學(xué)、光學(xué)以及光化學(xué)等方面的性能而引起人們廣泛的關(guān)注。一維氧化鋅納米線陣列的顯著激光行為激起了人們對一維氧化鋅控制合成的興趣。在室溫條件下,制備二氧化鈦溶膠,預(yù)處理,通過浸漬、提拉的方法在預(yù)處理過的玻璃或?qū)щ姴ATO上附著一層二氧化鈦溶膠,干燥,旋涂之前二氧化鈦納米粒子要經(jīng)過預(yù)處理,接著采用旋涂的方法在上述底片上固定一層溶膠-水熱法制備的二氧化鈦納米粒子,干燥,焙燒,得到納米二氧化鈦薄膜,將納米二氧化鈦薄膜放入鋅鹽和有機(jī)胺的密封水溶液體系中,在45-90℃反應(yīng)溫度下反應(yīng)12-72小時(shí),取出,用二次水沖洗,干燥。本發(fā)明涉及一種
納米材料。
聲明:
“氧化鋅納米棒陣列在二氧化鈦薄膜上的直接垂直沉積方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)