針對常規(guī)BST薄膜居里溫度(Tc)范圍窄導(dǎo)致鐵電相或順電相單相結(jié)構(gòu),從而導(dǎo)致BST薄膜綜合介電性能難以提高的技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種二元梯度摻雜BST薄膜的制備方法,屬于
功能材料技術(shù)領(lǐng)域。通過對(Ba+Sr)/Ti摩爾比,摻雜元素、濃度、梯度與方向以及薄膜設(shè)計、預(yù)熱處理與膜厚(或?qū)訑?shù))的控制,制備Tc范圍拓寬的二元梯度摻雜BST薄膜,具有鐵電相和順電相復(fù)合結(jié)構(gòu),獲得介電常數(shù)小于240、調(diào)諧率大于25%、介電損耗小于0.63%及介溫系數(shù)小于0.0024/K的優(yōu)異綜合性能。該方法方便、快捷、廉價、高效,制備的二元梯度摻雜BST薄膜能實現(xiàn)在微波調(diào)諧器件中的應(yīng)用。
聲明:
“二元梯度摻雜BST薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)