一種二元交替摻雜BST薄膜的制備方法,屬于
功能材料技術(shù)領(lǐng)域,涉及納米晶BST薄膜的制備方法。本發(fā)明采用Mn、Y二元摻雜,即對即對奇數(shù)層薄膜進(jìn)行Mn或Y摻雜,對偶數(shù)層薄膜進(jìn)行Y或Mn摻雜;同時在“冷卻”和“晶化”步驟之間增加“預(yù)晶化”處理步驟。本發(fā)明所制備的薄膜光滑致密、無裂紋、無縮孔,可大幅度提高納米晶BST薄膜的綜合介電調(diào)諧性能,所得納米晶BST薄膜介電調(diào)諧率大于30.0%、介電損耗小于2.0%、K因子大于15.0、介電強(qiáng)度高,頻率特性和溫度特性穩(wěn)定。采用本發(fā)明所制備的納米晶BST薄膜可以替代鐵氧體和半導(dǎo)體用于制備微波調(diào)諧器件(如移相器),從而顯著降低微波調(diào)諧器件的制造成本;另外,本發(fā)明所制備的納米晶BST薄膜還可用于磁記錄、熱釋電焦平面陣列等。
聲明:
“二元交替摻雜BST薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)