本發(fā)明涉及金和鎳摻雜單晶硅片式熱敏電阻,該熱敏電阻采用涂源高溫?cái)U(kuò)散方法,將過(guò)渡金屬元素金和鎳作為摻雜劑,摻入N型單晶硅中,利用金和鎳在N型單晶硅中的電補(bǔ)償性質(zhì),制備出負(fù)溫度系數(shù)熱敏材料,然后在精密劃片機(jī)上劃片,
芯片兩端制作電極,其電極采用鎳、銀兩層結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了硅晶體和電極之間的歐姆接觸。所用硅熱敏
功能材料以單晶硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ),摻雜金和鎳金屬原子,形成深能級(jí)俘獲中心,使材料產(chǎn)生熱敏特性,經(jīng)過(guò)嚴(yán)格控制摻雜原子在硅中的濃度及其分布,易于實(shí)現(xiàn)用氧化物陶瓷熱敏材料難以實(shí)現(xiàn)的高B值低阻值元件,并提高熱敏材料和元件的一致性、重復(fù)性、穩(wěn)定性。
聲明:
“金和鎳摻雜單晶硅片式負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)