一種單片三維(3D)集成電路(IC)裝置包括感測(cè)層、存儲(chǔ)器層和處理層。所述感測(cè)層包括多個(gè)
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管(CNFET),所述碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管用至少50種
功能材料功能化以響應(yīng)于暴露于氣體而生成數(shù)據(jù)。所述存儲(chǔ)器層存儲(chǔ)由所述多個(gè)CNFET生成的數(shù)據(jù),并且所述處理層基于由所述多個(gè)CNFET生成的數(shù)據(jù)識(shí)別所述氣體的一種或多種組分。
聲明:
“用于氣體感測(cè)的系統(tǒng)、裝置和方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)