本發(fā)明公開一種基于光子晶體結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)發(fā)光二極管及制備方法,方法包括:在基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層和量子點(diǎn)發(fā)光層;然后在量子點(diǎn)發(fā)光層上制備一層有機(jī)聚合物,隨后將有機(jī)聚合物制成具有光子晶體結(jié)構(gòu)的電子阻隔層;在電子阻隔層上依次制備電子傳輸層和電子注入層;在電子注入層上蒸鍍一陰極,形成QLED。本發(fā)明在量子點(diǎn)發(fā)光層上沉積一層
功能材料,然后利用飛秒激光多光束干涉法或其他方法制備出具有光子晶體結(jié)構(gòu)的電子阻隔層,利用光子晶體的表面效應(yīng),從而有效利用量子點(diǎn)射向金屬電極一側(cè)的光,提高量子點(diǎn)發(fā)光二極管的出光效率。
聲明:
“基于光子晶體結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)發(fā)光二極管及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)