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低溫等離子硫化制備硫化銻薄膜的方法

749   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 15:05:02
本發(fā)明涉及一種低溫等離子硫化制備硫化銻薄膜的方法,屬于光電功能材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明先制備金屬銻、氧化銻或氫氧化銻的薄膜,再采用低溫等離子發(fā)生器對(duì)固體硫源進(jìn)行低溫等離子化形成等離子態(tài)硫,等離子態(tài)硫?qū)Ρ∧みM(jìn)行低溫等離子硫化處理得到硫化銻薄膜。本發(fā)明在惰性氣體環(huán)境下,將惰性氣體經(jīng)過(guò)電場(chǎng)作用等離子化后獲得高活性的惰性氣體離子和電子,高活性惰性氣體離子、電子與固體硫源相互碰撞,生成等離子態(tài)硫;各種粒子之間的相互碰撞帶來(lái)的環(huán)境溫度升高增加了固體硫源的熱運(yùn)動(dòng),又進(jìn)一步促進(jìn)了等離子態(tài)硫的生成。等離子態(tài)硫由于具有較高活性,可快速實(shí)現(xiàn)薄膜的硫化得到硫化銻薄膜。本發(fā)明硫化銻薄膜成分均勻、結(jié)構(gòu)平整、致密、晶粒尺寸大。
聲明:
“低溫等離子硫化制備硫化銻薄膜的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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