本發(fā)明公開(kāi)了一種氧化鎘鎂合金透明導(dǎo)電薄膜,該薄膜采用磁控濺射技術(shù),設(shè)計(jì)合理的濺射參數(shù)制備而成。磁控濺射的靶材為氧化鎘和氧化鎂,薄膜中鎂的原子數(shù)百分比組分含量值x為:0≤x<0.5;薄膜厚度為:170—290nm。本發(fā)明研究認(rèn)為,增大薄膜中鎂的含量,可實(shí)現(xiàn)薄膜在短波范圍的截止波長(zhǎng)繼續(xù)向短波方向的拓展,從而拓寬其光學(xué)帶隙,有效提高短波范圍的光透過(guò)性能,使其在太陽(yáng)輻射波長(zhǎng)375—1800nm之間,光譜透過(guò)率達(dá)到75%以上,而鎂組分含量與靶材濺射功率、靶材和基片之間的距離、及與薄膜沉積時(shí)間長(zhǎng)短相關(guān)。本發(fā)明以磁控濺射方法調(diào)節(jié)薄膜中Mg的含量,操作簡(jiǎn)便,只要控制好設(shè)計(jì)參數(shù),便能工業(yè)化規(guī)范生產(chǎn),使之在
太陽(yáng)能電池、光電探測(cè)等光電
功能材料和器件領(lǐng)域中獲得良好的應(yīng)用前景。
聲明:
“氧化鎘鎂合金透明導(dǎo)電薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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