本發(fā)明涉及一種制備硒化鎘納米帶的方法,屬于
納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用雙坩堝法,將靜電紡絲技術(shù)與硒化技術(shù)相結(jié)合,制備了CdSe納米帶。本發(fā)明包括三個(gè)步驟:(1)配制紡絲液;(2)制備CdO納米帶,采用靜電紡絲技術(shù)制備PVP/Cd(NO3)2復(fù)合納米帶,在空氣中進(jìn)行熱處理得到CdO納米帶;(3)制備CdSe納米帶。采用雙坩堝法,在氬氣保護(hù)下用硒粉對CdO納米帶進(jìn)行硒化處理,得到CdSe納米帶,具有良好的晶型,寬度為2.1560±0.2014μm,厚度為618nm,長度大于50μm。硒化鎘納米帶是一種重要的
功能材料。本發(fā)明的制備方法簡單易行,可以批量生產(chǎn),具有廣闊的應(yīng)用前景。
聲明:
“制備硒化鎘納米帶的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)