本發(fā)明涉及一種新型白光LED器件的制備方法,包括以下步驟:制備AlN晶體材料;對(duì)AlN晶體材料進(jìn)行切割、打磨和拋光,制成表面平整的AlN薄片;對(duì)制成的AlN薄片進(jìn)行清洗,清洗后對(duì)其進(jìn)行烘烤以除去表面的水氣與溶劑殘留物;在AlN薄片上圖形化電極并蒸鍍金屬電極;最后再進(jìn)行氮?dú)夥障碌耐嘶鹛幚?,制成新型白光LED器件。本發(fā)明直接采用氣相傳輸法制備的AlN晶體材料作為
功能材料,在晶體上制備電極后直接通電發(fā)光。該方法實(shí)現(xiàn)單一材料的白光輸出,無(wú)需熒光粉的二次轉(zhuǎn)換,因此器件結(jié)構(gòu)更加簡(jiǎn)單緊湊,單晶狀態(tài)的AlN功能層也能承載更大的功率密度。由于利用寬禁帶半導(dǎo)體AlN材料禁帶內(nèi)的缺陷發(fā)光,使器件的發(fā)射光譜十分豐富,可覆蓋整個(gè)可見光區(qū)域,且光色品質(zhì)出色。
聲明:
“新型白光LED器件的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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