本發(fā)明屬于光電子信息
功能材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種Ga摻雜ZnO透明導(dǎo)電薄膜的制備方法,包括如下步驟:稱取ZnO粉末和Ga2O3粉末,其中Ga占總粉末的摩爾百分含量為1~3%,將稱取的粉末經(jīng)預(yù)燒結(jié)和燒結(jié)處理,制得Ga摻雜ZnO靶材;將襯底和制得的靶材裝入磁控濺射鍍膜機(jī)中,將濺射室抽真空,通入氬氣,控制工作壓強(qiáng)為0.1~0.5Pa;將襯底的溫度升至300~600℃,控制濺射功率為80~120W,進(jìn)行鍍膜處理,制得Ga摻雜ZnO透明導(dǎo)電薄膜,本發(fā)明的制備方法可大面積規(guī)?;a(chǎn)、工藝簡(jiǎn)單、成本低,制得的透明導(dǎo)電薄膜表面平整致密,粗糙度較小,電阻率低,透過率高,性能穩(wěn)定,應(yīng)用前景廣闊。
聲明:
“Ga摻雜ZnO透明導(dǎo)電薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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