本發(fā)明提供了一種氧化鎘(CdO)基透光波段可調(diào)的導(dǎo)電薄膜制備方法。該方法的核心技術(shù)是導(dǎo)電薄膜的透光波段與導(dǎo)電薄膜中銦(In)組分的含量相關(guān),In組分含量的變化與磁控濺射靶材、濺射功率,與靶材和基片之間的距離相關(guān),導(dǎo)電薄膜厚度與薄膜沉積時(shí)間長(zhǎng)短相關(guān)。該方法以雙面拋光玻璃基片為襯底,將兩種靶材的濺射參數(shù)調(diào)至設(shè)計(jì)數(shù)值,進(jìn)行濺射沉積:測(cè)量獲得透明導(dǎo)電薄膜中In的含量。本發(fā)明所制備的不同銦(In)含量的氧化鎘(CdO)基透明導(dǎo)電薄膜,可供不同
半導(dǎo)體材料體系
太陽(yáng)能電池選用,使光譜響應(yīng)范圍內(nèi)的太陽(yáng)光更多地射入太陽(yáng)能電池半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中,從而可最大限度地提高太陽(yáng)能電池的光利用效率,在太陽(yáng)能電池、光電探測(cè)等光電
功能材料和器件領(lǐng)域中具有良好的應(yīng)用前景。
聲明:
“氧化鎘基透光波段可調(diào)的導(dǎo)電薄膜制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)