本發(fā)明公開了一種陣列
碳納米管泡沫金屬?gòu)?fù)合基板的制備方法及應(yīng)用,屬于
功能材料技術(shù)領(lǐng)域。具體包括生長(zhǎng)陣列碳納米管及對(duì)其表面作等離子體處理,清洗泡沫金屬基底,使用壓片機(jī)施加合適的正壓力將陣列碳納米管與泡沫金屬力學(xué)復(fù)合,即可得到陣列碳納米管泡沫金屬?gòu)?fù)合基板。與傳統(tǒng)的
儲(chǔ)能器件電極材料如泡沫金屬相比,本發(fā)明方法制備的碳納米管基復(fù)合基板大幅提升了電極的比表面積,解決了活性物質(zhì)與導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)接觸不良、黏附不牢固容易脫落等問題,增加了電極體系的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性及柔韌性,同時(shí)提高了電極的抗沖擊能力及安全性。將制備得到的陣列碳納米管泡沫金屬?gòu)?fù)合基板用于超級(jí)電容器領(lǐng)域,制備得到的電極具有超高的循環(huán)穩(wěn)定性。
聲明:
“陣列碳納米管泡沫金屬?gòu)?fù)合基板的制備方法及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)