在控制位置具有薄區(qū)域與較厚區(qū)域的一種使用薄半導(dǎo)體晶片的
太陽(yáng)能電池。內(nèi)部可以小于180微米或者更薄到50微米,具有180?250微米的較厚部分。薄晶片具有較高的效率。較厚周邊提供了操作強(qiáng)度。較厚的條狀部、平臺(tái)與島狀部用于噴鍍聯(lián)接。晶片可以由熔化物直接制成,在型板上具有不同熱量提取傾向的區(qū)域,其布置為與相對(duì)厚度的位置相應(yīng)。間隙氧小于6x1017原子/cc,優(yōu)選地小于2x1017,全氧小于8.75x1017原子/cc,優(yōu)選地小于5.25x1017。較厚區(qū)域形成具有相對(duì)較高熱量提取傾向的鄰近型板區(qū)域;較薄區(qū)域鄰近具有較小提取傾向的區(qū)域。較厚的型板區(qū)域具有較高的提取傾向。在型板上的功能性材料還也具有不同的提取傾向。
聲明:
“使用薄半導(dǎo)體晶片的太陽(yáng)能電池” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)