本發(fā)明涉及一種三維的微結(jié)構(gòu)，其具有：大量的彼此鄰近的、相對(duì)于其相應(yīng)的微柱縱向伸展部基本彼此平行地且彼此間隔地被安置的微柱，所述微柱具有至少一種微柱材料，所述微柱各自具有一在20至1000范圍內(nèi)的縱橫比，并各自具有一在0.1微米直至200微米范圍內(nèi)的微柱直徑；以及在毗鄰的微柱之間配設(shè)的微柱空隙，所述微柱空隙具有在所述毗鄰的微柱之間從1微米至100微米范圍中選出的微柱間距。本發(fā)明也提出一種用于建造所述的三維微結(jié)構(gòu)的方法，其具有如下方法步驟:a)用模板材料制備一模板，其中，所述模板具有一基本與所述微結(jié)構(gòu)相反的三維模板結(jié)構(gòu)，所述三維模板結(jié)構(gòu)具有柱狀模板空腔，b)將所述微柱材料安置在所述柱狀模板空腔中，從而形成所述微柱，和c)至少部分地移去所述模板材料。有利地，將硅晶片用作模板。為了制備所述模板，以PAECE（PhotoAssistedElectro-ChemicalEtching光輔助電化學(xué)蝕刻）-方法為基礎(chǔ)。借助于本發(fā)明，具有極大表面的微結(jié)構(gòu)得以實(shí)現(xiàn)。