本發(fā)明公開了基于低能氬粒子束調(diào)制的二維晶體管及其制備與調(diào)控方法,屬于光電響應(yīng)探測技術(shù)領(lǐng)域,包括:由下向上層疊設(shè)置的襯底和功能層,還包括:左電極和右電極;其中,所述左電極和右電極位于所述功能層兩側(cè)。本發(fā)明還公開了上述二維晶體管的具體制備方法,同時,還公開了根據(jù)所述功能層性能輻照前和第一次、第二次輻照后的性能對比,來探究低能氬粒子對晶體管性能的調(diào)控方法。本發(fā)明提供的二維晶體管以及調(diào)控方法不僅在硬質(zhì)器件中具有廣泛的應(yīng)用前景,在柔性器件應(yīng)用方面也具有十分廣泛的應(yīng)用前景。
聲明:
“基于低能氬粒子束調(diào)制的二維晶體管及其制備與調(diào)控方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)