本發(fā)明涉及一種制備高純納米
多晶硅顆粒的裝置及制備高純納米多晶硅顆粒的方法,首先利用電子束熔煉法制備晶粒為納米級別、疏松多孔的高純氣相沉積硅;然后行星式球磨機(jī)球磨氣相沉積硅,獲得納米多晶硅顆粒;把納米多晶硅顆粒與水混合,攪拌、超聲沉淀去除較大顆粒;舍去沉淀在底部較大顆粒的硅泥,取上層懸浮液倒入離心管,置于高速離心機(jī)分離;把沉淀在離心管底部的硅顆粒置于真空干燥箱干燥,得到粒徑小于500nm,且D50≤100nm的多晶硅顆粒,該方法解決了目前納米硅顆粒結(jié)晶性差、純度低的問題,提高了生產(chǎn)效率,制備的硅顆粒純度高、結(jié)晶性良好、粒徑分布窄。
聲明:
“制備高純納米多晶硅顆粒的裝置及制備高純納米多晶硅顆粒的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)