本申請揭示了一種抗氣體干擾型MEMS氣體傳感器及制備方法,該方法包括:在氧化層的表面沉積形成一層金屬電極層;利用化學(xué)氣相沉積法,在金屬電極層的表面沉積一層絕緣層;在絕緣層表面沉積一層氣敏材料層;利用涂布或印刷的方式,在氣敏材料層表面沉積一層分離膜,分離膜的納米通道的孔徑小于干擾氣體分子的運(yùn)動直徑。本申請通過在制作MEMS氣體傳感器時(shí),增加了分離膜,該分離膜的納米通道的孔徑小于干擾氣體分子的運(yùn)動直徑,從而使得干擾氣體分子在分離膜的納米通道內(nèi)發(fā)生大量碰撞,無法通過分離膜,從而實(shí)現(xiàn)對干擾氣體的阻隔,避免干擾氣體對傳感器內(nèi)敏感材料的影響,提高了熱式傳感器的準(zhǔn)確性,使熱式傳感器對目標(biāo)氣體選擇性較好。
聲明:
“抗氣體干擾型MEMS氣體傳感器及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)